古屋一仁 (FURUYA KAZUHITO) - マイポータル

基本情報

学位: 工学博士(東京工業大学)
工学修士(東京工業大学)

J-GLOBAL ID: 200901061332817563
researchmap会員ID: 1000015461

経歴

東京工業大学

学歴

委員歴

1994年 - 1994年

電子情報通信学会, 電子デバイス研究専門委員会委員長、エレクトロニクスグループ運営委副委員長、ハンドブック幹事会（第５次から継続中）幹事長

受賞

MISC

431

Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistors with Ultrathin Graded Bases

Takafumi Uesawa, Masayuki Yamada, Yasuyuki Miyamoto, Kazuhito Furuya

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49(2) 024302 2010年
Improvement in Gate Insulation in InP Hot Electron Transistors for High Transconductance and High Voltage Gain

Hisashi Saito, Yasuyuki Miyamoto, Kazuhito Furuya

APPLIED PHYSICS EXPRESS 2(3) 034501 2009年3月
Cutoff Frequency Characteristics of Gate-Control Hot Electron Transistors by Monte Carlo Simulation

IGARASHI M.

Phys. Status Solidi (C) 5(1) 70-73 2008年
Design and Simulation of Hot-Electron Diffraction Oservation by Scanning Probe 窶骭 Quantitative Evaluation of Observation Possibility 窶骭

So Nishimura, KAZUHITO FURUYA, YASUYUKI MIYAMOTO

Jap. J. Appl. Phys. 47(11) 8652-8658 2008年
Design and Simulation of Hot-Electron Diffraction Oservation by Scanning Probe 窶骭 Quantitative Evaluation of Observation Possibility 窶骭

So Nishimura, KAZUHITO FURUYA, YASUYUKI MIYAMOTO

Jpn. J. Appl.Phys. 47(11) 8652-8658 2008年
Cutoff Frequency Characteristics of Gate-Control Hot Electron Transistors by Monte Carlo Simulation

M. Igarashi, Y. Miyamoto, K. Furuya

Physica Status Solidi(C) 5(1) 70 2008年
Design and Simulation of Hot-Electron Diffraction Oservation by Scanning Probe 窶骭 Quantitative Evaluation of Observation Possibility 窶骭

So Nishimura, KAZUHITO FURUYA, YASUYUKI MIYAMOTO

Jap. J. Appl. Phys. 47(11) 8652-8658 2008年
Design and Simulation of Hot-Electron Diffraction Oservation by Scanning Probe 窶骭 Quantitative Evaluation of Observation Possibility 窶骭

So Nishimura, KAZUHITO FURUYA, YASUYUKI MIYAMOTO

Jpn. J. Appl.Phys. 47(11) 8652-8658 2008年
Increase in collector current in hot-electron transistors controlled by gate bias

Akira Suwa, Issei Kashima, Yasuyuki Miyamoto, Kazuhito Furuya

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 46(8-11) L202-L204 2007年3月
InP buried growth of SiO2 wires toward reduction of collector capacitance in HBT

Yasuyuki Miyamoto, Masashi Ishida, Tohru Yamamoto, Tsukasa Miura, Kazuhito Furuya

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 298 867-870 2007年1月
Transfer efficiency in ballistic electron emission microscopy taking diffraction of emitted hot electrons into account

Nobuya Machida, Shunsuke Satoh, Kazuhito Furuya

SURFACE SCIENCE 600(21) 4843-4847 2006年11月
Charging time of double-layer emitter in heterojunction bipolar transistor based on transmission formalism

Nobuya Machida, Yasuyuki Miyamoto, Kazuhito Furuya

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 45(33-36) L935-L937 2006年9月
Current gain and voltage gain in hot electron transistors without base layer

Yasuyuki Miyamoto, Ryo Nakagawa, Issei Kashima, Masashi Ishida, Nobuya Machida, Kazuhito Furuya

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E89C(7) 972-978 2006年7月
Charging Time of Double-Layer Emitter in Heterojunction Bipolar Transistor Based on Transmission Formalism

N. Machida, Y. Miyamoto, K. Furuya

Jpn. J. Appl. Phys. 45(35) L935-L937 2006年
MC simulation of ultrafast transistor using ballistic electron in intrinsic semiconductor and its fabrication feasibility

K. Furuya, N. Machida, M. Igarashi, R. Nakagawa, I. Kashima, M. Ishida, Y. Miyamoto

Seventh International Conference on New Phenomena in Mesoscopic Structures and Fifth International Conference on Surfaces and Interfaces of Mesoscopic Devices, 2005 38 208-211 2006年
Double-slit interference observation of hot electrons in semiconductors - Analysis of experimental data

K Furuya, Y Ninomiya, N Machida, Y Miyamoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44(5A) 2936-2944 2005年5月
InP ballistic hot electron transistors with reduced emitter width

KAZUHITO FURUYA

2005 Sweden-Japan International Workshop on Quantum Nano-Physics and Electronics, Kyoto, April 7th -8th 2005年
微細HBTのコレクタ中における横方向電流広がりの解析

渡辺丘, 宮本, 古

応用物理学会講演会 2005年
25nm幅エミッタInP系バリスティックトランジスタのエミッタ電流制御特性解析

五十嵐, 中川, 鹿嶋, 町田, 宮本古屋

応用物理学会講演会 2005年
InP ballistic hot electron transistors with reduced emitter width

KAZUHITO FURUYA

2005 Sweden-Japan International Workshop on Quantum Nano-Physics and Electronics, Kyoto, April 7th -8th 2005年

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書籍等出版物

エンサイクロペディア電子情報通信ハンドブック（副幹事長，分担）

オーム社 1998年
先端デバイス材料ハンドブック（副幹事長，分担）

オーム社 1993年

講演・口頭発表等

104

InP/InGaAs composite channel MOSFET with Al2O3 gate dielectric

IEICE Technical Report, Electron Devices 2010年
Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET

電子情報通信学会電子デバイス研究会 2010年
Reduction of the Base Transit Time in Ultra-thin Graded-Base InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistor

Technical Report of IEICE, Electron Devices 2009年
Fabrication of vertical InGaAs-MOSFET with heterostructure launcher and intrinsic channel

Technical Meeting on Electron Devices, IEE Jpn. 2009年
Vertical InGaAs-MOSFET with heterostructure launcher and intrinsic channel

The 56th Spring Meeting, 2009; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies 2009年
Enhanced Possibility of Electron Wave Diffraction Observation with InP/GaInAs Phase-Shifter

The 56th Spring Meeting, 2009; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies 2009年
Reduction of the base transit time in ultra-thin graded base InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistor

The 56th Spring Meeting, 2009; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies 2009年
I-V characteristics of III-V MOSFET with MOVPE regrown source region

The 56th Spring Meeting, 2009; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies 2009年
Vertical InGaAs MOSFET with Hetero-Launcher and Undoped Channel

IEEE 21th Conference on Indium Phosphide and Related Materials 2009年
InP/InGaAs-channel MOSFET with MOVPE Selective Regrown Source

IEEE 21th Conference on Indium Phosphide and Related Materials 2009年
InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source

2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices（AWAD） 2009年
Evaluation of collector current spreading of InGaAs SHBT with 75-nm-thick collector

2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices（AWAD） 2009年
In-situ Etching in MOVPE for Thin Collector of InP HBT with Buried SiO2 Wire

Topical Workshop on Heterostructure Materials (TWHM2009) 2009年
Monte Carlo Analysis of Base Transit Times of InP/Gaines Heterojunction Bipolar Transistors with Ultrathin Bases

Topical Workshop on Heterostructure Materials (TWHM2009) 2009年
High mobility III-V MOSFET with n⁺-source regrown by MOSFET

2009年
I-V characteristics of undoped channel InP/InGaAs MOSFET with regrown source region

The 70th Autumn Meeting, 2008; The Japan Society of Applied Physics 2009年
Fabrication of InP/InGaAs Undoped Channel MOSFET with Selectively Regrown N⁺-InGaAs Source Region

2009 International Conference on Solid State Devices and Materials 2009年
超薄層ベースInP 系HBT におけるGraded Base によるベース走行時間短縮

2009年
ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製

電気学会電子デバイス研究会 2009年
ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFET

第56回応用物理学関係連合講演会 2009年

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古屋一仁

基本情報

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学歴

委員歴

受賞

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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