宮本恭幸 (Yasuyuki Miyamoto) - マイポータル

基本情報

所属: 東京科学大学工学院教授

学位: 工学博士(東京工業大学)

研究者番号: 40209953
J-GLOBAL ID: 200901061280294885
researchmap会員ID: 1000015480

経歴

2013年5月 - 現在

東京工業大学, 教授
1992年 - 2013年

-:東京工業大学助教授
1988年 - 1992年

-:東京工業大学助手
1992年

-:
1988年

-:

学歴

委員歴

2007年 - 現在

電子情報通信学会, 電子デバイス研究専門委員会委員
2015年3月 - 2017年3月

応用物理学会, 講演会担当理事
2016年 - 2017年

電気学会, 電子デバイス技術委員会委員長
2006年 - 2015年12月

応用物理学会, シリコンテクノロジー分科会リソグラフィ委員会幹事
2009年 - 2011年

電気学会, グリーンITにおける化合物半導体電子デバイス調査専門委員会”
2009年 - 2010年

IEEE, IEEE東京支部理事
2007年 - 2009年

電気学会, "More Moore, More than Moore"における化合物半導体デバイス調査専門委員会委員長
2004年 - 2009年

応用物理学会, Japanese Journal of Applied Physics 編集運営委員

受賞

2014年

エレクトロニクスソサエティ賞, 低消費電力と高速動作を両立させるInP系電子デバイス構造に関する先駆的研究, 電子情報通信学会エレクトロニクスソサエティ

宮本恭幸
2009年

APEX/JJAP editorial contribution Award
2009年

APEX/JJAP編集貢献賞
1989年

手島記念研究賞研究奨励賞

論文

108

A Method for Determining Trap Distributions of Specific Channel Surfaces in InGaAs Tri-Gate MOSFETs

Seiko Netsu, Markus Hellenbrand, Cezar B. Zota, Yasuyuki Miyamoto, Erik Lind

IEEE Journal of the Electron Devices Society 6(1) 408-412 2018年査読有り
Type-II HfS2/MoS2 Heterojunction Transistors.

Seiko Netsu, Toru Kanazawa, Teerayut Uwanno, Tomohiro Amemiya, Kosuke Nagashio, Yasuyuki Miyamoto

IEICE Trans. Electron. 101-C(5) 338-342 2018年査読有り
Performance Improvement of HfS2 Transistors by Atomic Layer Deposition of HfO2

Toru Kanazawa, Tomohiro Amemiya, Vikrant Upadhyaya, Atsushi Ishikawa, Kenji Tsuruta, Takuo Tanaka, Yasuyuki Miyamoto

IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY 16(4) 582-587 2017年7月査読有り
Vacuum Annealing and Passivation of HfS2 FET for Mitigation of Atmospheric Degradation

Vikrant Upadhyaya, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E100C(5) 453-457 2017年5月査読有り
Dependence of electron mobility on gate voltage sweeping width and deposition temperature in MOSFETs with HfO2/Al2O3/InGaAs gate stacks

Kazuto Ohsawa, Seiko Netsu, Nobukazu Kise, Shinji Noguchi, Yasuyuki Miyamoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(4) 2017年4月査読有り
Fin width dependence on gate controllability of InGaAs channel FinFETs with regrown source/drain

Nobukazu Kise, Haruki Kinoshita, Atsushi Yukimachi, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto

SOLID-STATE ELECTRONICS 126 92-95 2016年12月査読有り
InGaAs/AlAs triple-barrier p-i-n junction diode for realizing superlattice-based FET for steep slope

Atsushi Yukimachi, Yasuyuki Miyamoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(11) 2016年11月査読有り
Scaling limit for InGaAs/GaAsSb heterojunction double-gate tunnel FETs from the viewpoint of direct band-to-band tunneling from source to drain induced off-characteristics deterioration

Wenbo Lin, Shinjiro Iwata, Koichi Fukuda, Yasuyuki Miyamoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(7) 2016年7月査読有り
Few-layer HfS2 transistors

Toru Kanazawa, Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Vikrant Upadhyaya, Kenji Tsuruta, Takuo Tanaka, Yasuyuki Miyamoto

SCIENTIFIC REPORTS 6 2016年3月査読有り
A 60-nm-thick enhancement mode In0.65Ga0.35As/InAs/In0.65Ga0.35As high-electron-mobility transistor fabricated using Au/Pt/Ti non-annealed ohmic technology for low-power logic applications

Faiz Aizad Fatah, Yueh-Chin Lin, Ren-Xuan Liu, Kai-Chun Yang, Tai-We Lin, Heng-Tung Hsu, Jung-Hsiang Yang, Yasuyuki Miyamoto, Hiroshi Iwai, Chenming Calvin Hu …

APPLIED PHYSICS EXPRESS 9(2) 2016年2月査読有り
Normally-off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor using digital etching technique

Ryota Yamanaka, Toru Kanazawa, Eiji Yagyu, Yasuyuki Miyamoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(6) 2015年6月査読有り
Body width dependence of subthreshold slope and on-current in GaAsSb/InGaAs double-gate vertical tunnel FETs

Kazumi Ohashi, Motohiko Fujimatsu, Shinjiro Iwata, Yasuyuki Miyamoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(4) 2015年4月査読有り
Permeability-controlled optical modulator with Tri-gate metamaterial: control of permeability on InP-based photonic integration platform

Tomohiro Amemiya, Atsushi Ishikawa, Toru Kanazawa, JoonHyung Kang, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Takuo Tanaka, Shigehisa Arai

SCIENTIFIC REPORTS 5 8985 2015年3月査読有り
Potential of Enhancement Mode In0.65Ga0.35As/InAs/In0.65Ga0.35As HEMTs for Using in High-Speed and Low-Power Logic Applications

Faiz Aizad Fatah, Yueh-Chin Lin, Tsung-Yun Lee, Kai-Chun Yang, Ren-Xuan Liu, Jing-Ray Chan, Heng-Tung Hsu, Yasuyuki Miyamoto, Edward Yi Chang

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 4(12) N157-N159 2015年査読有り
Loss reduction of Si optical waveguides by beam step-size fracturing technique in electron beam lithography

Yuki Atsumi, Nit Taksatorn, Nobuhiko Nishiyama, Yasuyuki Miyamoto, Shigehisa Arai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(6) 2014年6月査読有り
Delay Time Component of InGaAs MOSFET Caused by Dynamic Source Resistance

Masayuki Yamada, Ken Uchida, Yasuyuki Miyamoto

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E97C(5) 419-422 2014年5月査読有り
Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with n-InP source for high current density

Kazuto Ohsawa, Atsushi Kato, Toru Kanazawa, Eiji Uehara, Yasuyuki Miyamoto

IEICE ELECTRONICS EXPRESS 11(14) 2014年査読有り
InGaAs MOSFET Source Structures Toward High Speed/low Power Applications

Yasuyuki Miyamoto, Toru Kanazawa, Yoshiharu Yonai, Atsushi Kato, Motohiko Fujimatsu, Masashi Kashiwano, Kazuto Ohsawa, Kazumi Ohashi

26TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM) 2014年査読有り
InGaAs tri-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain

Yuichi Mishima, Toru Kanazawa, Haruki Kinoshita, Eiji Uehara, Yasuyuki Miyamoto

2014 72ND ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE (DRC) 121-+ 2014年査読有り
High Open-Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa

Masashi Kashiwano, Jun Hirai, Shunsuke Ikeda, Motohiko Fujimatsu, Yasuyuki Miyamoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(4) 2013年4月査読有り

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MISC

176

High-Power-Density InAlGaN/GaN-HEMT Technology for W-Band Amplifier

K. Makiyama, K. Makiyama, K. Makiyama, Y. Niida, Y. Niida, S. Ozaki, S. Ozaki, T. Ohki, T. Ohki, N. Okamoto …

Technical Digest - IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, CSIC 2016-November 2016年11月21日
Recent progress in compound semiconductor electron devices

Yasuyuki Miyamotoa

IEICE ELECTRONICS EXPRESS 13(18) 2016年9月
Operation of 16-nm InGaAs channel multi-gate MOSFETs with regrown source/drain

H. Kinoshita, N. Kise, A. Yukimachi, T. Kanazawa, Y. Miyamoto

2016 Compound Semiconductor Week, CSW 2016 - Includes 28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM and 43rd International Symposium on Compound Semiconductors, ISCS 2016 2016年8月1日
Source and drain concentration dependence on double gate GaAsSb/InGaAs tunnel FET

Shinjiro Iwata, Kazumi Ohashi, Wenbo Lin, Koichi Fukuda, Yasuyuki Miyamoto

IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 136(4) 467-473 2016年
MOSFET with III-V channel

Yasuyuki Miyamoto

IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems 136(4) 437-443 2016年
Experimental approach for feasibility of superlattice FETs

M. Kashiwano, A. Yukimachi, Y. Miyamoto

PROCEEDINGS OF THE 25TH BIENNIAL LESTER EASTMAN CONFERENCE ON HIGH PERFORMANCE DEVICES (LEC) 8-11 2016年
InAlGaN/GaN-HEMT Device Technologies for W-band High-Power Amplifier

K. Makiyama, S. Ozaki, Y. Niida, T. Ohki, N. Okamoto, Y. Minoura, M. Sato, Y. Kamada, K. Joshin, K. Watanabe …

PROCEEDINGS OF THE 25TH BIENNIAL LESTER EASTMAN CONFERENCE ON HIGH PERFORMANCE DEVICES (LEC) 31-34 2016年
Effect of the HfO2 passivation on HfS2 Transistors

T. Kanazawa, T. Amemiya, V. Upadhyaya, A. Ishikawa, K. Tsuruta, T. Tanaka, Y. Miyamoto

2016 IEEE 16TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOTECHNOLOGY (IEEE-NANO) 865-867 2016年
Collapse-free high power InAlGaN/GaN-HEMT with 3 W/mm at 96 GHz

K. Makiyama, K. Makiyama, K. Makiyama, S. Ozaki, S. Ozaki, T. Ohki, T. Ohki, N. Okamoto, N. Okamoto, Y. Minoura …

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2016-February 2015年2月16日
Fabrication of Thin-Film HfS2 FET

T. Kanazawa, T. Amemiya, A. Ishikawa, V. Upadhyaya, K. Tsuruta, T. Tanaka, Y. Miyamoto

2015 73RD ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE (DRC) 2015-August 217-218 2015年
Growth process for high performance of InGaAs MOSFETs

Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, K. Ohsawa, Y. Mishima, T. Irisawa, M. Oda, T. Tezuka

Device Research Conference - Conference Digest, DRC 227-228 2014年1月1日
High electron mobility triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B side surfaces formed by MOVPE growth on narrow fin structures

T. Irisawa, M. Oda, K. Ikeda, Y. Moriyama, E. Mieda, W. Jevasuwan, T. Maeda, O. Ichikawa, T. Osada, M. Hata …

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2013年12月1日
Metal-insulator-semiconductor field-effect transistors

Kuan-Wei Lee, Edward Yi Chang, Yeong-Her Wang, Pei-Wen Li, Yasuyuki Miyamoto

Active and Passive Electronic Components 2013 2013年
Simulation study and reduction of reverse gate leakage current for GaN HEMTs

Y. Yamaguchi, K. Hayashi, T. Oishi, H. Otsuka, T. Nanjo, K. Yamanaka, M. Nakayama, Y. Miyamoto

Technical Digest - IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, CSIC 2012年12月20日
InP HBT with 55-nm-wide emitter and relationship between emitter width and current density

Keishi Tanaka, Yasuyuki Miyamoto

Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials 188-191 2012年12月1日
Reduction of Output Conductance in Vertical InGaAs Channel Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region

Hisashi Saito, Yasuyuki Miyamotoy

APPLIED PHYSICS EXPRESS 5(2) 2012年2月
71 mV/dec of sub-threshold slope in vertical tunnel field-effect transistors with GaAsSb/InGaAs heterostructure

Motohiko Fujimatsu, Hisashi Saito, Yasuyuki Miyamoto

Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials 25-28 2012年
Reduction of source parasitic capacitance in vertical InGaAs MISFET

Yutaka Matsumoto, Hisashi Saito, Yasuyuki Miyamoto

Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials 2011年12月1日
High drain current (>2A/mm) InGaAs channel MOSFET at V <inf>D</inf>=0.5V with shrinkage of channel length by InP anisotropic etching

Yoshiharu Yonai, Toru Kanazawa, Shunsuke Ikeda, Yasuyuki Miyamoto

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2011年12月1日
1.3-μm Quantum-dot optical preamplifier with narrow bandwidth

T. Amano, M. Suwa, A. J. Mohammed, Y. Miyamoto, T. Sugaya, K. Komori, M. Mori, Y. Takanashi

Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference 81-82 2010年12月1日