論文

査読有り
2011年9月

InP/InGaAs Composite Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with Regrown Source and Al2O3 Gate Dielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/mu m (vol 4, 054201, 2011)

APPLIED PHYSICS EXPRESS
  • Ryousuke Terao
    • ,
  • Toru Kanazawa
    • ,
  • Shunsuke Ikeda
    • ,
  • Yoshiharu Yonai
    • ,
  • Atsushi Kato
    • ,
  • Yasuyuki Miyamoto
巻
4
号
9
記述言語
英語
掲載種別
DOI
10.1143/APEX.4.099202
出版者・発行元
JAPAN SOC APPLIED PHYSICS
リンク情報
DOI
https://doi.org/10.1143/APEX.4.099202
Web of Science
https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000294673300045&DestApp=WOS_CPL
ID情報
  • DOI : 10.1143/APEX.4.099202
  • ISSN : 1882-0778
  • Web of Science ID : WOS:000294673300045
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