杉浦修 (Sugiura Osamu) - マイポータル

基本情報

学位: 工学博士(東京工業大学)

研究者番号: 10187643
J-GLOBAL ID: 200901065059090820
researchmap会員ID: 1000015506

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / 電子デバイス、電子機器

経歴

2020年4月 - 現在

千葉工業大学, 工学研究科電気電子工学専攻, 教授 (教授)
2016年4月 - 現在

千葉工業大学, 工学部電気電子工学科, 教授 (教授)
2010年4月 - 現在

千葉工業大学, 工学研究科工学専攻, 教授 (教授)
2010年4月 - 現在

千葉工業大学, 工学研究科電気電子情報工学専攻, 教授
2010年4月 - 現在

千葉工業大学, 工学研究科工学専攻, 教授
2010年4月 - 2020年3月

千葉工業大学, 工学研究科電気電子情報工学専攻, 教授 (教授)
2005年4月 - 2016年3月

千葉工業大学, 工学部電気電子情報工学科, 教授 (教授)

学歴

- 1986年3月

東京工業大学, 電子物理工学専攻

論文

Schottky and pn junction cryogenic radiation detectors made of p-InSb compound semiconductor

I.Kanno S.Hishiki, H.Murakami, O.Sugiura, Y.Murase, T.Nakamura, M.Katagiri

Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A520(1-3) 93-95-95 2004年3月
Cryogenic neutron detector comprising an InSb semiconductor detector and a supercritical helium-3 gas converter

Tatsuya Nakamura Masaaki Katagiri, Yasuyuki Aratono, Ikuro Kanno, Shigeomi Hishiki, Osamu Sugiura, Yasuhiro Murase

Review of Scientific Instruments 75(2) 340-344-344 2004年2月
化合物半導体InSbを用いた放射線検出器

神野郁夫菱木繁臣,杉浦修,村瀬徳博,中村龍也,片桐政樹

放射線 30(1) 9-18 2004年1月
Radiation measurements by a cryogenic pn junction InSb detector with operating temperatures up to 115K

I.Kanno Fumiki Yoshihara, Ryo Nouchi, Osamu Sugiura, Yasuhiro Murase, Tatsuya Nakamura, Masaki Katagiri

Reviews of Scientific Instruments 74(9) 3968-3973-3973 2003年9月
Cryogenic InSb detector for radiation measurements

Ikuo Kanno Fumiki Yoshihara, Ryo Nouchi, Osamu Sugiura, Tatsuya Nakamura, Masaki Katagiri

Review of Scientific Instruments 73(7) 2533-2536-2536 2002年7月
マイクロエレクトロニクス学生実験

小田俊理杉浦修,松村正清

応用物理 60(4) 396-398 1991年4月
Newly Designed Hg Cell for Molecular Beam Epitaxy Growth of CdHgTe

Ken Haseyama Osamu Sugiura, Ryou Haga, Satoshi Sugahara, Masakiyo Matsumura

Japanese Journal of Applied Physics 30(2A) L202-204-L204 1991年2月
Chemical Vapour Deposition of Amorphous Silicon with Silanes for Thin Film Transistors -The Influence of the Amorphous Silicon Deposition Temperture-

Paul A Breddels Hiroshi Kanoh, Osamu Sugiura, Masakiyo Matsumura

Japanese Journal of Applied Physics 30(2) 233-239-239 1991年2月
Top-Gate Amorphous-Silicon Thin-Film Transistors Produced by CVD Method

Hiroshi Kanoh Msahiro Yasukawa, Osamu Sugiura, Paul A. Breddels, Masakiyo Matsumura

Japanese Journal of Applied Physics 29(12) 2366-2369-L2369 1990年12月
Optimization of Chemical Vapor Deposition Conditions of Amorphous-Silicon Films for Thin-Film Transistor Application

Hiroshi Kanoh Osamu Sugiura, Paul A. Breddels, Masakiyo Matsumura

Japanese Journal of Applied Physics 29(11) 2358-2364-2364 1990年11月
On-Chip Bottom-Gate Polysilicon and Amorphous Silicon Thin-Film Transistors Using Excimer Laser Annealing

Kazuhiro Shimizu Osamu Sugiura, Masakiyo Matsumura

Japanese Journal of Applied Physics 29(10) L1775-L1777-L1777 1990年10月
Amorphous-Silicon Thin-Film Transistors with Silicon Dioxide Gate Grown in Nitric-Acid Gas

Hongyong Zhang Hiroshi Kanoh, Shunji Yamaji, Osamu Sugiura, Masakiyo Matsumura

Japanese Journal of Applied Physics 29(1) 58-61-61 1990年1月
Heteroepitaxial growth of HgTe on InSb at 200℃ by metalorganic chemical vapor deposition using ditertiary butyltelluride

Shunri Oda Yuko Tanaka, Osamu Sugiura, Masakiyo Matsumura

Journal of Applied Physics 65(4) 1808-1810-1810 1989年2月
High-current gain InGaAs/InP double-heterojunction bipolar transistors grown by metal organic vapor phase epitaxy

O.Sugiura A.G.Dentai, C.H.Joyner, S.Chandrasekhar, J.C.Campbell

Electron Device Letters 9(5) 253-255-255 1988年5月
Low-Temperature Growth of InSb by Vacuum MOCVD using TEIn and SbH3

O.Sugiura H.Kameda, K.Shiina, M.Matsumura

Journal of Electronic Materials 17(1) 11-14-14 1988年1月
Normal-Pressure and Low-Temperature Thermal Oxidation of Silicon

Honyong Zhang Hiroshi Kanoh, Osamu Sugiura, Shunri Oda, Yasutaka Uchida, Takeo Hattori, Masakiyo Matsumura

Japanese Journal of Applied Physics 26(11) 1907-1911-1911 1987年11月
Fully Self-Aligned Amorphous-Silicon MOS Transistors

Hiroyuki Okada Yasutaka Uchida, Hongyon Zhang, Osamu Sugiura, Masakiyo Matsumura

Japanese Journal of Applied Physics 25(9) L755-L757-L757 1987年9月
Ultra-Thin Amorphous-Silicon Transistors Fabricated by Two-Step Deposition Method

Yuukoh Katoh Osamu Sugiura, Yuusuke Takeuchi, Masakiyo Matsumura

Japanese Journal of Applied Physics 25(4) L309-L312-L312 1986年4月
A New Thermal-Oxidation Method for III-V Semiconductors

Yuhichi Takagi Osamu Sugiura, Yasuo Naruke, Toshio Takahashi, Masakiyo Matsumura

Japanese Journal of Applied Physics 23(7) L490-L492-L492 1984年7月

講演・口頭発表等

無電解銅めっき法で作製したエアブリッジ構造の長尺化

松本,坂倉,杉浦

第52回応用物理学関係連合学術講演会 2005年4月
中性無電解銅めっき浴を用いた選択めっきにおける線幅依存性

森,坂倉,杉浦

第52回応用物理学関係連合学術講演会 2005年4月
コバルト塩を用いた無電解銅めっき浴の磁化率測定

永井,坂倉,杉浦

第52回応用物理学関係連合学術講演会 2005年4月
コバルト塩を用いた無電解銅めっき液の保存性に関する検討

津久井,坂倉,杉浦

第52回応用物理学関係連合学術講演会 2005年4月
アルゴン雰囲気中における無電解銅めっき

坂倉,杉浦

第52回応用物理学関係連合学術講演会 2005年4月
EDTAを添加したコバルト塩無電解銅めっき浴に関する検討

草川,坂倉,杉浦

第52回応用物理学関係連合学術講演会 2005年4月
分光エリプソメトリーによる銅表面上錯体構造の解析

西澤,杉浦,松村,羽場,華園

第52回応用物理学関係連合学術講演会 2005年3月
銅表面からのBTA 皮膜脱離に関する検討

西澤,杉浦,松村,羽場,華園

2005年精密工学会春季大会 2005年3月
無電解銅めっき膜に対する超音波照射効果

坂倉,杉浦

第65回応用物理学会学術講演会 2004年9月
無電解銅めっき法で作製したエアブリッジ構造

松本,坂倉,杉浦

第65回応用物理学会学術講演会 2004年9月
分光エリプソメトリーによる銅表面上BTA吸着構造の解析

西澤,杉浦,華園,羽場,松村

第65回応用物理学会学術講演会 2004年9月
過酸化水素水が及ぼすBTA膜の吸着構造変化の解析

西澤,杉浦,華園,羽場,松村

2004年度精密工学会秋季大会 2004年9月
コバルト(Ⅱ)を還元剤に用いた無電解銅めっき浴の組成に関する検討

草川,坂倉,杉浦

第65回応用物理学会学術講演会 2004年9月
コバルト(Ⅱ)を還元剤に用いた無電解銅めっき浴による選択めっき

森,坂倉,杉浦修

第65回応用物理学会学術講演会 2004年9月
コバルト(Ⅱ)を還元剤に用いた無電解銅めっき浴におけるめっき速度劣化現象

永井,坂倉,杉浦

第65回応用物理学会学術講演会 2004年9月

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産業財産権

3305826 二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法