新谷 一人

1. Navier-Stokes方程式に基づく漸近展開法により、楕円柱まわりの低レイノルズ数流れの解析を行った。柱近傍の流れ場は楕円の2焦点の位置に配置された特異点まわりの流れとして特徴づけられる。楕円の極限としての平板まわりの流れにおいては、一様流の迎え角が90度に近づくと平板の一端から閉じた渦領域が現れ、迎え角が90度で双子渦が生じること示した。
2. ピラミッド型量子ドットのひずみ分布を分子動力学シミュレーションによって計算した。ナノスケールでのひずみ分布はStillinger-Weberポテンシャルにより評価すべきであること、連続体力学による結果は10nm以下の量子ドットに対しては妥当ではなくなることを明らかにした。
3. 単層カーボンナノチューブの引張変形特性の分子動力学シミュレーションを行った。単層カーボンナノチューブのポアソン比はひずみ依存性とカイラル角依存性を示す。このことは、六員環構造を形成する炭素原子間結合の結合角の変化を考慮した力の釣り合いから理解できることを明らかにした。
4. 低温におけるシリコン原子の堆積シミュレーションを行い、limited-thickness epitaxy現象の原子論的モデルを構築した。過渡的な表面における2×1ダイマー列がアド原子により破壊され、次の層のダイマー列の再構成を誘起するというのがエピタキシーのナノスケールにおける描像であること、このダイマー列の破壊と再構成の過程がダイマーの安定化によって停止することによりエピタキシャル成長から非エピタキシャル成長への遷移が起こることが明らかとなった。