龍山智栄 (Chiei Tatsuyama) - マイポータル

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所属: 旧所属富山大学教授,工学部長

学位: 工学博士(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901005344015031
researchmap会員ID: 1000019512

研究分野

学歴

委員歴

MISC

Surface structure evolution during Sb adsorption on Si(111)-In(4 x 1) reconstruction

DV Gruznev, BV Rao, T Tambo, C Tatsuyama

APPLIED SURFACE SCIENCE 190(1-4) 134-138 2002年5月
Short-period (Si-14/Ge-1)(N) superlattice buffers for growth of Si0.75Ge0.25 alloy layers

MM Rahman, K Kurumatani, H Matada, T Tambo, C Tatsuyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 41(5A) 2845-2850 2002年5月
Stability of two-step-growth Bi2Sr2CuOx films on Si(001) using SrO buffer layer

T Tambo, A Shimizu, A Matsuda, C Tatsuyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 41(1) 83-85 2002年1月
MBE Grown Short-Period (Si_mGe_n)_N Superlattice (SSLs) and its Effect on the Growth of Uniform Si_0.75Ge_0.25/(SSL)/Si(001) System

Material Science and Technology B89, 252-256 2002年
Growth of Si0.75Ge0.25 alloy layers grown on Si(001) substrates using step-graded short-period (Si-m/Ge-n)(N) superlattices

MM Rahman, H Matada, T Tambo, C Tatsuyama

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 90(1) 202-208 2001年7月
Sb adsorption on Si(1 1 1)-In(4 × 1) surface phase

B. V. Rao, D. Gruznev, T. Tambo, C. Tatsuyama

Applied Surface Science 175-176 187-194 2001年5月15日
Heteroepitaxial Growth of High Quality InSb on Si(111) Substrates

Semiconductor Science & Technology 16, 216-221 2001年
Growth of High-Quality InSb Films on Si(111) Substrates without Buffer Layers

Journal of Grystal Growth 224, 316-322 2001年
Structural Transformations during Sb Adsorption on Si(111)-In(4x1) Reconstruction

Japanese Journal of Applied Physics 40, 4303-4308 2001年
Development of SnO2-based Gas Sensors for Detection of Volatile Organic Compounds

Masahiro Kadosaki, Shigekazu Yamazaki, Satoshi Fujiki, Katsumi Tanino, Chiei TatSUyama

IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 121(7) 395-401 2001年
Twinned InSb molecular layer on Si(111) Substrate

Surface Science 493, 373-380 2001年
Interface formation between S/GaS and diamond films

New Diamond and Frontier Carbon Technologies 11, 331-338 2001年
Role of short period superlattice buffers for the growth of Si_0.75Ge_0.25 alloy layers on Si(001)

Applied Surface Science 175-176, 6-11 2001年
Role of In(4 x 1) superstructure on the heteroepitaxy of InSb on Si(111) substrate

BV Rao, T Okamoto, A Shinmura, D Gruznev, T Tambo, C Tatsuyama

APPLIED SURFACE SCIENCE 162 263-269 2000年8月
Effect of In(4 x 1) reconstruction induced interface modification on the growth behavior of InSb on Si(111) substrate

BV Rao, D Gruznev, T Tambo, C Tatsuyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 39(7A) 3935-3942 2000年7月
Structural characterization of Si1-xGex alloy layers grown by molecular beam epitaxy on Si(001) substrates

T. Asano, T. Nakao, H. Matada, T. Tambo, H. Ueba, C. Tatsuyama

Journal of Applied Physics 87(12) 8759-8765 2000年6月15日
厚膜集積化ガスセンサによる室内VOCの識別（共著）

電気学会論文誌E（センサ・マイクロマシン部内誌） 120-E, 438-445 2000年
In-Situ Annealing of Thin SrO Films Grown on Si(001)-2x1 by MBE

Japanese Journal of Applied Physics 391, 6432-6434 2000年
Passivation of GaAs surface by Gas

Vacuum 591, 824-829 2000年
Growth temperature effect on the heteroepitaxy of Insb on Si(111) 'jointly worked'

Applied Surface Science 159/160 335-340 2000年

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