作製したSpindt型Mo FEAデバイスの電子放出特性と計算した結果との比較を行った.ここで,我々はデバイス構造に基づいたモデルの解析に用いるチップのエリアモデルを提案し,更に計算精度を高める広義的な因子ψを定義することにより妥当な計算結果を得た.また実験データに基づくファウラー-ノルドハイム式による各種特性のシミュレーションを行った.モデルに従って計算した結果は,素子のSEM観察に基づく実験結果とよい一致が見られ,これに基づきより微細な尖鋭度を有するデバイスのチップ径が推定できた.