森本 章治

J-GLOBALへ         更新日: 19/01/19 10:53
 
アバター
研究者氏名
森本 章治
 
モリモト アキハル
URL
http://lem1.w3.kanazawa-u.ac.jp/
所属
金沢大学
部署
理工研究域 電子情報通信学系
職名
教授
学位
工学博士(東京工業大学)
その他の所属
金沢大学

研究分野

 
 

経歴

 
2018年4月
 - 
現在
金沢大学 理工研究域 電子情報通信学系 教授
 
2008年4月
 - 
2018年3月
金沢大学 理工研究域 電子情報学系 教授
 
2002年4月
 - 
2008年3月
金沢大学 工学部 教授 
 
1990年
 - 
2002年
金沢大学 工学部 助教授 准教授
 
1988年
 - 
1990年
金沢大学 工学部 講師 
 
1981年
 - 
1988年
金沢大学 工学部 助手 
 

学歴

 
1979年4月
 - 
1981年3月
東京工業大学 理工学研究科 電気・電子工学専攻
 
1975年4月
 - 
1979年3月
金沢大学 工学部 電子工学科
 

委員歴

 
2001年
 - 
2002年
応用物理学会  薄膜・表面物理分科会常任幹事(企画幹事)
 
2007年
 - 
2008年
応用物理学会  薄膜・表面物理分科会常任幹事(庶務幹事)
 
2007年
 - 
2010年
応用物理学会  代議員
 
1999年
   
 
日本学術振興会薄膜第131委員会  企画委員
 
1997年
 - 
2002年
応用物理学会  薄膜・表面「薄膜新材料」世話人
 

受賞

 
2018年6月
北陸情報通信協議会 北陸情報通信協議会会長表彰
 
2014年9月
応用物理学会 第8回(2014年度)応用物理学会フェロー
 
1995年
村田学術振興財団研究助成金
 
2000年
北陸産業活性化センター研究助成金
 
1999年
材料科学技術振興財団研究助成金
 

Misc

 
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV   48(9) 09KB01   2009年12月
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV   48(9) 09KA12   2009年12月
KAWAE T., TERAUCHI Y., TSUDA H., KUMEDA M., MORIMOTO A.
APPLIED PHYSICS LETTERS   94(11) 112904   2009年3月
TAKAHARA Seiichi, MORIMOTO Akiharu, KAWAE Takeshi, KUMEDA Minoru, YAMADA Satoru, OHTSUBO Shigeru, YONEZAWA Yasuto
THIN SOLID FILMS   516(23) 8393-8398   2008年10月
KAWAE Takeshi, TSUDA Hisashi, NAGANUMA Hiroshi, YAMADA Satoru, KUMEDA Minoru, OKAMURA Soichiro, MORIMOTO Akiharu
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV   47(9 Issue 2) 7586-7589   2008年9月

Works

 
レーザアブレーションによる酸化物機能性薄膜の作製
1991年
レーザーアブレーションによる高誘電体薄膜/電極薄膜の作製と評価
2004年
レーザアブレーションによる光IC要素技術の開発
1999年

競争的資金等の研究課題

 
鉄系ペロブスカイト酸化膜の強誘電性分極を用いた新規太陽電池の創成
日本学術振興会: 基盤研究(C)
研究期間: 2016年 - 2019年    代表者: 森本 章治 金沢大学, 電子情報学系, 教授 (60143880)
強誘電体薄膜を用いたReRAM型高機能不揮発メモリの開発と機構解明
日本学術振興会: 挑戦的萌芽研究
研究期間: 2014年 - 2016年    代表者: 森本 章治 金沢大学, 電子情報学系, 教授 (60143880)
超低損失ダイヤモンドパワーデバイス開発のための基盤研究
日本学術振興会: 若手研究(A)
研究期間: 2012年 - 2015年    代表者: 徳田 規夫 金沢大学, 電子情報学系, 准教授 (80462860)
巨大残留分極を用いたカーボン系材料の表面キャリア制御
日本学術振興会: 挑戦的萌芽研究
研究期間: 2012年 - 2014年    代表者: 川江 健 金沢大学, 電子情報学系, 准教授 (30401897)
ダイヤモンドはワイドギャップ半導体としての優れた性能に加えて高濃度不純物添加により超伝導が発現する事が知られている。当該分野の将来の発展と現状の打破を目指し、強誘電体(Bi,Pr)(Fe,Mn)O3(BPFM)の巨大分極を利用した表面キャリア制御を提案する。
ダイヤモンド・BPFM間において良好な界面構造を確認した。また、BPFMの良好な強誘電性を示した。一方、現在までにソース・ドレインを形成したMFISダイヤモンドFET構造の動作特性に関して、BPFMの自発分極に対するダイヤモンドチャネ...
低環境負荷金属酸化物を用いた中間バンド半導体薄膜の開発と光電特性
日本学術振興会: 挑戦的萌芽研究
研究期間: 2011年 - 2012年    代表者: 森本 章治 金沢大学, 電子情報学系, 教授 (60143880)
母体材料として不純物を添加しない酸化鉄(α-Fe2O3)薄膜及びBi系酸化鉄強誘電体薄膜(BiFeO3)を選択し、パルスレーザ堆積(PLD)法により太陽電池構造を作製した。その結果、α-Fe2O3 薄膜ショットキー太陽電池で明瞭な光起電力特性を確認すると共にα-Fe2O3へのTiやCu添加に対するドーピング効果があることを確認した。さらにNd添加BiFeO3薄膜太陽電池で強誘電性分極誘起光起電力効果を確認し、透明酸化物電極の利用による変換効率の大幅な改善に成功し、この新規光起電力効果が反電...
超伝導ダイヤモンド薄膜による格子冷却型ホットエレクトロンボロメータ
日本学術振興会: 挑戦的萌芽研究
研究期間: 2011年 - 2012年    代表者: 中島 健介 山形大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (70198084)
極低温での大きな熱伝導性と優れたテラヘルツ波透過特性という特長を有するダイヤモンドを基板とするHEB 用超伝導NbN 超薄膜を初めて作製してその超伝導特性を示した。超伝導ダイヤモンド薄膜の超伝導特性のボロンドープ量依存性を明らかにして全ダイヤモンド積層型ジョセフソン接合を作製することに初めて成功した。
次世代高分子ナノコンポジットを用いた有機太陽電池
日本学術振興会: 特別研究員奨励費
研究期間: 2009年 - 2011年
機能性有機膜を原子スケールで制御された基板や電極表面へ固定化したハイブリッドデバイスが注目されている。特に、各種有機デバイスに利用されているITO基板への自己組織化単分子膜(SAMs)の固定化は重要な基盤技術である。しかし、SAMsを酸化物表面に固定化させる反応は限定されていた。本研究では、ヒドロキシル基とアルデヒド基との反応によってアセタール化合物が生成されることに着目し、芳香族ジアルデヒド化合物(テレフタル酸アルデヒドTPA)の一方のアルデヒド基を、ITO基板表面のヒドロキシル基とアセ...
酸化物半導体表面に構築した共役系単分子膜の電気物性計測と単一分子発光素子への展開
日本学術振興会: 基盤研究(A)
研究期間: 2008年 - 2011年    代表者: 村田 英幸 北陸先端科学技術大学院大学, マテリアルサイエンス研究科, 教授 (10345663)
本研究では,共役系高分子の化学構造と秩序構造を精密に制御可能な合成法を開発し,これらの構造制御が共役系高分子の光学物性と電気物性に及ぼす影響を評価することを目指した。その結果,酸化物半導体(Indium-Tin-Oxide:ITO)表面上に芳香族アルデヒド化合物をアセタール化反応によって化学的に固定化できることを見出すと共に,芳香族アルデヒドとジアミンとの反応によって分子鎖長を精密に制御した共役系宇高分子を合成することに成功した。さらに独自に開発したエレクトロスピニング法よって作製した共役...
極限環境動作を目指した強誘電体不揮発性メモリデバイスの開発
日本学術振興会: 若手研究(B)
研究期間: 2009年 - 2010年    代表者: 川江 健 金沢大学, 電子情報学系, 講師 (30401897)
極限環境動作を目指した新規強誘電体不揮発性メモリデバイスの実現を目指し、ワイドギャップ半導体ダイヤモンド上に高キュリー温度非鉛強誘電体BiFeO3(BFO)を堆積した積層構造の作製と特性評価を行った。ボロン添加した導電性ダイヤモンド層上にBFOが結晶化可能である事および良好な強誘電性を示す事が確認された。また、同構造試料の高温特性を検証したところ、最大200℃まで安定的に動作可能である事が確認された。
以上の結果より、本研究課題が掲げるBFO/ダイヤモンド積層構造を用いた極限環境動作型強誘...
強誘電体薄膜を用いたチューナブル光学デバイスに関する研究
日本学術振興会: 特別研究員奨励費
研究期間: 2009年 - 2010年
現在、光ネットワークシステムでは、スイッチや変調器など、様々な光デバイスが使用されており、システム全体の小型化・低コスト化・高信頼化を実現するための技術開発が進められている。こういった光デバイスの小型化に対するブレークスルーとして、数μmの大きさでプリズムやフィルタなどの光部品が形成できるフォトニック結晶が注目されている。フォトニック結晶中では、結晶の周期に応じて特定の波長領域の光が透過できないため、光の閉じ込めや急峻な曲げなどが可能であり、微小光回路などとしての応用が期待されている。しか...
高濃度ボロン添加ダイヤモンド超伝導体薄膜を用いたジョセフソンデバイスの開発
日本学術振興会: 若手研究(B)
研究期間: 2007年 - 2008年    代表者: 川江 健 金沢大学, 電子情報学系, 講師 (30401897)
ダイヤモンド超伝導体ジョセフソン接合の作製を目指し、高濃度ボロン添加ダイヤモンド薄膜の作製および微細加工プロセスの確立を試みた。
マイクロ波プラズマCVD法を用いた高濃度ボロン添加ダイヤモンド薄膜作製に関して、Si(111)およびダイヤモンド(111)基板上に超伝導転移温度4?6Kの超伝導ダイヤモンド薄膜の作製を実現した。特にSi(111)基板上でのダイヤモンド超伝導体薄膜のヘテロエピ成長は世界的にも初めての成功例であり、当該材料を用いた今後のデバイス応用を検討する上で有用な成果と言える。...
ダイヤモンド超伝導体におけるFET素子の開発
日本学術振興会: 基盤研究(B)
研究期間: 2007年 - 2008年    代表者: 高野 義彦 独立行政法人物質・材料研究機構, 超伝導材料センター, グループリーダー (10354341)
本研究は、ダイヤモンド超伝導体の電子状態や超伝導発現機構の理解を深め、半導体におこる超伝導という新規な特徴を生かした新しい基礎デバイスの開発を試みるものである。光電子分光やNMR測定を行い、ドープしたホウ素に複数のサイトがあることが理解され、ホウ素が単独に炭素サイトを置換した時のみキャリアがドープされ、ペアーなどを形成した場合キャリアに貢献しないことを明らかにした。デバイスの試作として、二枚の超伝導ダイヤモンド超薄膜の間に絶縁体ダイヤモンド層を積層させ、ダイヤモンド超伝導体で初の積層型ジョ...
エルビウム添加強誘電体薄膜の作製と圧電効果を用いた発光制御
日本学術振興会: 特定領域研究
研究期間: 2007年 - 2008年    代表者: 森本 章治 金沢大学, 自然科学研究科, 教授 (60143880)
本研究は、導波路材料かつ圧電体であるLiNbO_3(LN)薄膜にエルビウムErを添加して、動的でマクロな応力印加あるいはミクロな非対称強誘電的歪み印加により、そのフォトルミネッセンス(PL)発光を電気的に制御し、光電子デバイス応用しようというものである。
試料の作製はレーザアブレーション法により行い、ErドーピングしたLN薄膜をサファイア基板上でエピタキシャル成長させ、それに平面型の電極を形成し、±700Vの電圧印加を行った。その発光特性はアルゴンレーザ488nmで励起して発光したPL光を...
エルビウム添加強誘電体薄膜の作製と圧電効果を用いた発光制御
日本学術振興会: 
研究期間: 2008年       代表者: 森本 章治 金沢大学, 電子情報学系, 教授 (60143880)
アモルファスSi中のErの発光に対するダングリングボンドの役割
日本学術振興会: 基盤研究(C)
研究期間: 2004年 - 2006年    代表者: 久米田 稔 金沢大学, 自然科学研究科, 教授 (30019773)
Siダングリングボンドの果たすEr発光に対する役割を調べるために、Siダングリングボンドのある場所と発光に関わるErのある場所を空間的に分離することを考え、Erを光学ギャップの大きい薄膜材料に添加して、その上にダングリングボンド密度を制御してアモルファスSiを作製した。光学ギャップの大きな材料としてLiNbO_3結晶薄膜とアモルファスAl_2O_3薄膜を用いたが、界面が1層だけの場合は、Erの発光に対するa-Si:H堆積の発光強度の増大は観測されなかった。観測の感度を上げるために、Erを添...
電子ビーム誘起効果を用いた選択成長によるナノファブリケーション
日本学術振興会: 萌芽研究
研究期間: 2003年 - 2004年    代表者: 森本 章治 金沢大学, 自然科学研究科, 教授 (60143880)
高集積電子デバイス実現のためにはナノファブリケーション技術が必要である。本研究では、炭化水素膜と電子ビームを用いることにより、金属薄膜の選択成長によるナノサイズ配線を目指し、Si基板及び配線基板として重要な石英ガラス基板上への選択成長を試み、その基礎特性を調べた。
基板には石英ガラス基板またはSi基板、炭化水素膜にはアピエゾンワックスを使用した。具体的には、(1)基板の上に炭化水素膜を堆積しその上にマスクを乗せる、(2)マスクを通して電子ビームを照射する、(3)電子ビームを止めてマスクを取...
青色半導体レーザと強誘電体光導波路の一体型新規光学素子のための複合材料創製
日本学術振興会: 基盤研究(C)
研究期間: 1998年 - 1999年    代表者: 増田 淳 北陸先端科学技術大学院大学, 材料科学研究科, 助手 (30283154)
青色半導体レーザと酸化物強誘電体光導波路の集積化により、表面弾性波を用いた一体型青色レーザスキャナなどの新規光学素子を開発することを目的に、青色半導体レーザ材料である窒化ガリウム(GaN)上に酸化物強誘電体であるチタン酸ジルコン酸鉛(PZT)薄膜を形成することを試みた。その結果、(100)面のガリウム砒素(GaAs)を基板として、有機金属化学気相成長法で形成したGaN薄膜上に、レーザアブレーション法によりPZT薄膜を形成することに初めて成功した。この際、PZTとGaN間に酸化マグネシウム(...
レーザドロプレットエピタクシ法による高品質電子材料薄膜の作製
日本学術振興会: 基盤研究(B)
研究期間: 1998年 - 1999年    代表者: 森本 章治 金沢大学, 工学部, 助教授 (60143880)
レーザアブレーション(PLA)法の特徴として堆積粒子にクラスタやミクロンサイズのdroplet(液滴状粒子)を含んでいる事が挙げられる。PLA法では一般的にdropletの生成を抑制しなければいけないとされてきた。しかし、本研究ではdropletを逆に積極的に生成し、本来気相プロセスであるPLA薄膜堆積法で液相エピタクシ(LPE)法のような結晶成長を試みたものである。なお、LPE法は堆積速度が早く、欠陥の少ない良好な結晶性の薄膜成長が可能であることが知られている。以降、Dropletを用い...
アモルファスシリコンの光劣化に対するフローティングボンドの寄与
日本学術振興会: 基盤研究(C)
研究期間: 1997年 - 1998年    代表者: 久米田 稔 金沢大学, 工学部, 教授 (30019773)
欠陥生成とランダムネスの関係を、共有結合半径の大きく異なるGeとCの原子からなる_<a->Ge_<1-x>C_x:H薄膜と共有結合半径の近いGeとSiの原子からなる_<a->Ge_<1-x>Si_x:H薄膜における欠陥生成の様子を比較することにより調べた。C添加の場合、共有結合半径の違いによるランダムネスの増加が大きいために、Ge原子1個当たりのGeダングリングボンド(DB)はxの増加と共に増加することを示した。
さらに水素化アモルファスシリコンにおいて、Siダングリングボンド(DB)に対...
レーザアブレーションによる光るSiナノ結晶の作製
日本学術振興会: 基盤研究(C)
研究期間: 1995年 - 1996年    代表者: 清水 立生 金沢大学, 工学部, 教授 (30019715)
レーザアブレーション法によりナノサイズSiを含んだ薄膜を作製するには、レーザアブレーションによる薄膜作製におけるターゲットからの粒子の射出過程、その分解・凝集過程、酸化過程、基板上での堆積過程を理解することが不可欠である。そこで7年度は主に、Si薄膜堆積の基礎過程に重点を置いて調べた。
8年度は、発光するナノSiの作製を目指して、レーザアブレーション法により室温に保った石英基板上でSi薄膜の作製、及び堆積した薄膜のエキシマレーザによる改質を行った。その結果、酸素+ヘリウム雰囲気中で、微結晶...
レーザアブレーションにおける薄膜堆積機構解明
日本学術振興会: 基盤研究(C)
研究期間: 1996年       代表者: 森本 章治 金沢大学, 工学部, 助教授 (60143880)
レーザアブレーション法を用いた本研究の目的は、種々の薄膜の堆積機構の解明である。対象としたのは主に、不揮発メモリ用強誘電体として注目されているPb(Zr_<1-x>Ti_x)O_3(PZT)やPZT用電極として提案してきた新しい電極材料であるTi_<1-x>A1_xN(TAN)である。その他、YBCO高温超伝導体薄膜や、BiIG強磁性体薄膜についても研究を行った。
PZT薄膜は還元雰囲気で作製された時、Pb濃度が欠損することが知られているが、その原因は不明であった。ここでは、Pb及びPbO...
レーザアブレーション法による強誘電体不揮発メモリにおける疲労特性の改善
日本学術振興会: 一般研究(C)
研究期間: 1994年 - 1995年    代表者: 森本 章治 金沢大学, 工学部, 助教授 (60143880)
レーザアブレーション法を用いた本研究の目的は、不揮発メモリの疲労特性の機構解明とその改善である。不揮発メモリとしては金属/強誘電体/金属(MFM)型メモリと金属/強誘電体/絶緑体/半導体(MFIS)FET型メモリがあるが、本研究では、いずれについても新しい電極、新しい絶緑体層を提案しメモリセルを構成した。
また、一部高誘電率誘電体薄膜として注目されているBa_xSr_<1-x>TiO_3についても研究を行った。
MFM型メモリでは 我々がPb(Zr_<1-x>Ti_x)O_3(PZT)用電...
成長表面パルス光照射を用いたレーザアブレーション高機能電子材料薄膜堆積装置の開発
日本学術振興会: 試験研究(B)
研究期間: 1995年       代表者: 森本 章治 金沢大学, 工学部, 助教授 (60143880)
本研究では、薄膜成長表面へのパルス光励起を行いながら各電子材料薄膜を堆積可能な装置を構成した。具体的には、YBa_2Cu_3O_x(YBCO)高温超伝導薄膜、不揮発メモリとして重要なPb(Zr_<0.52>Ti_<0.48>)O_3(PZT)強誘電体薄膜及び高密度光磁気記録用材料として重要なBi置換希土類鉄ガ-ネット(Bi:RIG)強磁性薄膜を、結晶配向、結晶粒径を制御しながら作製し評価した。特に、YBCO薄膜に関しては、本研究の主目的である成長表面へのパルス光照射を授用しながら薄膜を作製...
レ-ザアブレ-ションによる酸化物高温超伝導薄膜の低温作製と評価
日本学術振興会: 重点領域研究
研究期間: 1991年       代表者: 清水 立生 金沢大学, 工学部, 教授 (30019715)
レ-ザアブレ-ション法を用いた本研究の目的は、基礎的な堆積機構を明らかにすると共に、良好な超伝導薄膜を制御性よく低基板温度で作製することである。これまで、我々はレ-ザアブレ-ション法により成長している途上のBa_2YCu_3O_x超伝導薄膜表面に第2レ-ザを照射し、表面平滑性・超伝導特性が改善されることを明らかにしてきた。今年度は、第2レ-ザ照射条件の最適化の一つの手段として、アブレ-ション用レ-ザと照射レ-ザの遅延時間を変化させることによって、結晶配向性を制御できることがわかったので報告...
エキシマレ-ザによる酸化物高温超伝導薄膜の低温作製と評価
日本学術振興会: 重点領域研究
研究期間: 1990年       代表者: 清水 立生 金沢大学, 工学部, 教授 (30019715)
我々はエキシマレ-ザを用いたレ-ザアブレ-ション法において、基礎的な推積機構を明らかにすると共に、種々の活性化法を用い良好な酸化物高温超伝導薄膜を作製することを、主な目的として掲げてきた。今年度は、第1のテ-マとして、その薄膜成長表面への第2パルスレ-ザ照射効果を中心に、主に薄膜の温度過渡応答のレ-ザ波長、パルス幅依存性を数値計算により調べ、最高照射条件を行った。また実際に、エキシマレ-ザの替わりにYAGレ-ザを用いて、照射実験を行った。一方第2のテ-マとして、本推積法の基礎過程と密接な関...
エキシマレーザによる酸化物高温超伝導薄膜の低温作製と評価
日本学術振興会: 重点領域研究
研究期間: 1989年       代表者: 清水 立生 金沢大学, 工学部, 教授 (30019715)
1.目的
本研究では、ArFエキシマレーザを用いたレーザアブレーション法に着目し、その基礎的な堆積機構を明らかにすると共に、良好な酸化物高温超伝導薄膜を主にシリコン基板に直接、低基板温度で作製することを主な目的とする。
2.実験結果の概要
(1)レーザアブレーションの基礎過程を明らかにするため、エキシマレーザ照射によるY系超伝導ターゲット表面の過渡的温度上昇を計算した。ここではターゲット最表面での物質の気化による冷却を考慮している。その結果、レーザアブレーション現象は最表面直下の高温溶融部...
アモルファスシリコン-多結晶硫化亜鉛超格子薄膜
日本学術振興会: 奨励研究(A)
研究期間: 1986年       代表者: 森本 章治 金沢大学, 工学部, 助手
水素化アモルファス Si_<1-x>(ZnS)x, Si_<1-x>(AlP) x の作製
日本学術振興会: 奨励研究(A)
研究期間: 1985年       代表者: 森本 章治 金沢大学, 工学部, 助手