福家俊郎 (Shunro Fuke) - マイポータル

基本情報

所属: 旧所属静岡大学工学部電気電子工学科教授

学位: 工学博士(東京大学)
工学修士(東京大学)

J-GLOBAL ID: 200901068512740962
researchmap会員ID: 1000022976

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

1976年 - 1989年

静岡大学工学部助教授
1976年 - 1989年

Associate Professor, Faculrty of Engineering, Shizuoka University
1989年

- 静岡大学工学部教授
1989年

- Professor, Faculrty of Engineering, Shizuoka University
1971年 - 1976年

静岡大学工学部講師
1971年 - 1976年

Assistant Professor, Faculty of Engineering, Shizuoka University

学歴

委員歴

1999年 - 2000年

電子情報通信学会, 電子部品材料研究専門委員会委員長

MISC

141

Microfabrication of GaN groove on sapphire substrate treated selectively by electron-beam

H. Matsumura, M. Sumiya, Y. Kawai, M. Tomiki, K. Murakami, S. Fuke

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6 3(6) 1649-1652 2006年
Microfabrication of GaN groove on sapphire substrate treated selectively by electron-beam

H. Matsumura, M. Sumiya, Y. Kawai, M. Tomiki, K. Murakami, S. Fuke

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 6 3(6) 1649-1652 2006年
Threading dislocations and phase separation in InGaAs layers on GaAs substrates grown by low-temperature metalorganic vapor phase epitaxy

Y Takano, K Kobayashi, H Iwahori, M Umezawa, S Shirakata, S Fuke

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44(9A) 6403-6411 2005年9月
Threading dislocations and phase separation in InGaAs layers on GaAs substrates grown by low-temperature metalorganic vapor phase epitaxy

Y Takano, K Kobayashi, H Iwahori, M Umezawa, S Shirakata, S Fuke

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44(9A) 6403-6411 2005年9月
Temperature dependence of threading dislocation density in In0.2Ga0.8As layers grown on GaAs substrates by metalorganic-vapor phase epitaxy

Y Takano, K Kobayashi, S Shirakata, M Umezawa, S Fuke

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 282(1-2) 36-44 2005年8月
Temperature dependence of threading dislocation density in In0.2Ga0.8As layers grown on GaAs substrates by metalorganic-vapor phase epitaxy

Y Takano, K Kobayashi, S Shirakata, M Umezawa, S Fuke

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 282(1-2) 36-44 2005年8月
Effect of treatments of sapphire substrate on growth of GaN film

Masatomo Sumiya, Shunro Fuke

Applied Surface Science 244(1-4) 269-272 2005年5月15日
Effect of treatments of sapphire substrate on growth of GaN film

M Sumiya, S Fuke

APPLIED SURFACE SCIENCE 244(1-4) 269-272 2005年5月
Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO

A Tsukazaki, A Ohtomo, T Onuma, M Ohtani, T Makino, M Sumiya, K Ohtani, SF Chichibu, S Fuke, Y Segawa …

NATURE MATERIALS 4(1) 42-46 2005年1月
極性構造から見たGaN薄膜成長におけるサファイア基板上低温バッファ層の機能

日本結晶成長学会誌 32(2) 66-73 2005年
Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO

Nature Materials 4(1) 42-46 2005年
Metalorganic vapor phase epitaxy of InAs layers on GaAs substrates using low-temperature growth of InGaAs graded buffer layers

Y Takano, M Umezawa, S Shirakata, S Fuke

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 43(7B) L944-L946 2004年7月
Metalorganic vapor phase epitaxy of InAs layers on GaAs substrates using low-temperature growth of InGaAs graded buffer layers

Y Takano, M Umezawa, S Shirakata, S Fuke

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 43(7B) L944-L946 2004年7月
SIMS analysis of ZnO films co-doped with N and Ga by temperature gradient pulsed laser deposition

M Sumiya, A Tsukazaki, S Fuke, A Ohtomo, H Koinuma, M Kawasaki

APPLIED SURFACE SCIENCE 223(1-3) 206-209 2004年2月
SIMS analysis of ZnO films co-doped with N and Ga by temperature gradient pulsed laser deposition

M Sumiya, A Tsukazaki, S Fuke, A Ohtomo, H Koinuma, M Kawasaki

APPLIED SURFACE SCIENCE 223(1-3) 206-209 2004年2月
Review of polarity determination and control of GaN

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 9 1-34 2004年
Review of polarity determination and control of GaN

MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research 9 1-34 2004年
Donor-acceptor pair luminescence in nitrogen-doped ZnO films grown on lattice-matched ScAlMgO4 (0001) substrates

K Tamura, T Makino, A Tsukazaki, M Sumiya, S Fuke, T Furumochi, M Lippmaa, CH Chia, Y Segawa, H Koinuma …

SOLID STATE COMMUNICATIONS 127(4) 265-269 2003年7月
Donor-acceptor pair luminescence in nitrogen-doped ZnO films grown on lattice-matched ScAlMgO4 (0001) substrates

K Tamura, T Makino, A Tsukazaki, M Sumiya, S Fuke, T Furumochi, M Lippmaa, CH Chia, Y Segawa, H Koinuma …

SOLID STATE COMMUNICATIONS 127(4) 265-269 2003年7月
Quantitative control and detection of heterovalent impurities in ZnO thin films grown by pulsed laser deposition

M Sumiya, S Fuke, A Tsukazaki, K Tamura, A Ohtomo, M Kawasaki, H Koinuma

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 93(5) 2562-2569 2003年3月

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書籍等出版物

所属学協会

Works(作品等)

窒化物半導体の極性構造を利用した光電面に関する研究

2003年 - 2009年
電界効果型ナノ構造光機能素子の集積化技術開発

2006年 - 2008年

共同研究・競争的資金等の研究課題

窒化物半導体を用いた光電デバイス

2002年
Optoelectronic device using nitride semiconductor

2002年
MOCVD法によるGaNおよびその混晶の成長

1996年
The growth of GaN and its alloy by Metalorganic Chemical Vapor depodition

1996年