高野泰 (Yasushi TAKANO) - マイポータル

基本情報

学位: 工学博士(静岡大学)
工学修士(静岡大学)
Doctor of Technology(Shizuoka University)
Master of Technology(Shizuoka University)

J-GLOBAL ID: 200901048426737729
researchmap会員ID: 1000022982

外部リンク: http://www2u.biglobe.ne.jp/~yasusi/ztaka/

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2002年 - 現在

静岡大学工学部助教授
1987年 - 2001年

豊橋技術科学大学工学部助手

学歴

委員歴

2015年6月 - 現在

電子情報通信学会, 電子情報通信学会電子部品材料研究会顧問
2013年5月 - 現在

電子情報通信学会論文誌C編集アドバイザリー
2013年5月 - 2015年5月

電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ電子部品材料研究会委員長
2011年5月 - 2013年5月

電子情報通信学会
2011年9月 - 2013年3月

評価委員(電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエテイ学術奨励賞選定委員会)
2001年5月 - 2011年5月

電子情報通信学会
2001年5月 - 2011年5月

電子情報通信学会
2001年9月 - 2002年3月

財団法人中部科学技術センター

受賞

1994年10月

高柳研究奨励賞 (課題名：格子不整合ヘテロエピタキシーに関する研究)

論文

Fabrication of SnS-MgSnO heterojunction solar cells using vacuum thermal evaporation and sol-gel method

Y. Takano, K. Oyaizu

Materials Letters 228 414-417 2018年10月1日査読有り
Interband absorption in PbTe/PbSnTe-based type-II superlattices

Ishida Akihiro

Appl. Phys. Lett. 133(7) 072103-3pages 2018年8月査読有り
Preparation of SnS films in chemical solution usingmicrowave irradiation

R. Hayakawa, Y. Takano

THIN SOLID FILMS 636((num)) 171-176 2017年8月査読有り
The role of chemisorption for push-pull chromophores on SiO2 surfaces in non-electrically poling host-guest NLO polymers

Atsushi Sugita, Kazuma Ito, Yasuaki Sato, Ryota Suzuki, Kohei Sato, Tetsuo Narumi, Nobuyuki Mase, Yasushi Takano, Tomonori Matsushita, Shigeru Tasaka …

JOURNAL OF PHOTOCHEMISTRY AND PHOTOBIOLOGY A-CHEMISTRY 340((num)) 35-45 2017年5月査読有り
Double-polarity selective area growth of GaN metal organic vapor phase epitaxy by using carbon mask layers

責任著者, Yohei Fujita, 共著者]Yasushi Takano, Yoku Inoue, Masatomo Sumiya, Shunro Fuke, Takayuki Nakano

Japanese Journal of Applied Physics 52(8) 08JB26 2013年8月査読有り
2 W high efficiency PbS mid-infrared surface emitting laser

責任著者]A. Ishida, 共著者]Y. Sugiyama, Y. Isaji, K. Kodama, Y. Takano, H, Sakata,M. Rahim

APPLIED PHYSICS LETTERS 99(12) 121109 2011年9月査読有り
Seebeck effects and electronic thermal conductivity of IV-VI materials

責任著者]Akihiro Ishida, 共著者]Tomohiro Yamada, Takayuki Nakano, Yasushi Takano, Sadao Takaoka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 50(3) 031302(5pages) 2011年3月査読有り
Sublattice rotation of GaP grown on 2degree-misoriented Si substrate using metalorganic vapor phase epitaxy

責任著者, Y.Takano, 共著者]T.Misaki, T.Takagi, H.Yamada, S.Fuke

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 50(2) 025601 2011年2月査読有り
Threading dislocations in InGaAs layers with InGaAs graded layers grown on Si substrates

責任著者]Y. Takano, 共著者]K. Kobayashi, T. Uranishi, S. Fuke

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 49(10) 105502-5pages 2010年10月査読有り
Surface evolution of GaP grown on Si substrates using metalorganic vapor phase epitaxy

責任著者]Y. Takano, 共著者]T. Takagi, Y. Matsuo, S. Fuke

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 49(49) 035502_1-033502_5 2010年3月査読有り
Influence of PH3 Preflow Time on Initial Growth of GaP on Si Substrates by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

Yasushi Takano, Takuya Okamoto, Tatsuya Takagi, Shunro Fuke

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E92C(12) 1443-1448 2009年12月査読有り
High Temperature Growth of GaP on Si Substrates by MetalorganicVapor Phase Epitaxy

責任著者, Yasushi Takano, 共著者]Kenta Morizumi, Satoshi Watanabe, Hiroyuki Masuda, Takuya Okamoto, Kunihiro Noda, Shinya Fukuda, Tomokazu Ozeki, Kazuhiro Kuwahara …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REV 48(1) 011102(7pages) 2009年1月査読有り
Threading dislocations and phase separation in InGaAs layers on GaAs substrates grown by low-temperature metalorganic vapor phase epitaxy

Y Takano, K Kobayashi, H Iwahori, M Umezawa, S Shirakata, S Fuke

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44(9A) 6403-6411 2005年9月査読有り
Temperature dependence of threading dislocation density in In0.2Ga0.8As layers grown on GaAs substrates by metalorganic-vapor phase epitaxy

Y Takano, K Kobayashi, S Shirakata, M Umezawa, S Fuke

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 282(1-2) 36-44 2005年8月査読有り
Metalorganic vapor phase epitaxy of InAs layers on GaAs substrates using low-temperature growth of InGaAs graded buffer layers

責任著者, Y.Takano, 共著者]M.Umezawa, S.Shirakata, S.Fuke

Jpn. J. Appl. Phys. 43(7B) L944-L946 2004年7月査読有り
Formation of MnSb during the growth of MnSi layers in the presence of an Sb flux

責任著者]K.Matsuda, 共著者]Y.Takano, K.Kuwahar

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 91(8) 31-36 2002年8月査読有り
Low temperature growth of InGaAs layers on misoriented GaAs substrates by metalorganic vapor phase epitaxy

Y Takano, K Kobayashi, H Iwahori, N Kuroyanagi, K Kuwahara, S Fuke, S Shirakata

APPLIED PHYSICS LETTERS 80(12) 2054-2056 2002年3月査読有り
Epitaxial growth of InGaAs on misoriented GaAs(100) substrate by metal-organic vapor phase epitaxy

責任著者, Y.Takano, 共著者]M.Masuda, K.Kuwahar

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 236 31-36 2002年2月査読有り
Reduction of defect density in GaN epilayer having buried Ga metal by MOCVD

Masatomo Sumiya, Youichi Kurumasa, Kohji Ohtsuka, Kazuhiro Kuwahara, Yasushi Takano, Shunro Fuke

Journal of Crystal Growth 237-239(1) 1060-1064 2002年査読有り
Residual strain and threading dislocation density in InGaAs layers grown on Si substrate by metalorganic Vapor phase epitaxy

責任著者, Y.Takano, 共著者]T.Kururi, K.Kuwaha

APPLIED PHYSICS LETTERS 78(1) 93-95 2001年3月査読有り

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MISC

MOVPE法により成長させたシリコン基板上GaPの成長初期表面

責任著者, 高野泰, 共著者, 山田洋毅, 見崎龍, 高木達也, 福家俊郎

電子情報通信学会技術研究報告 119(29) 75-79 2010年5月
Estimation of residual strain and threading dislocation density of In-doped GaAs layers on Si substrate

責任著者]K.Kobayashi, 共著者]T.Uranishi, Y.Takano他

Extended abstracts of the 20th electronic materials symposium 189(190) 2001年6月
Reduction of threading dislocation density of GaAs on Si by doping In

責任著者]T.Uranishi, 共著者]T.Kururi, Y.Takano他

Extended Abstracts of the 19th Electronic Materials Symposium 81(82) 2000年6月
Effects of Substrate Nitridation and AlN Buffer Layer on the properties of GaN on Sapphire

責任著者]T.Ito, 共著者]M.Sumiya, Y.Takano, S.Fuke他

Proceedings of the 2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting 178-181 1999年1月

書籍等出版物

DEFECT AND DIFFUSION FORUM Influence of In-doping on the crystalline quality of GaAs epilayers on Si substrates

Y. Takano, S. Fuke (担当:共著)

SCITEC PUBLICATIONS 2000年12月

講演・口頭発表等

ゾルゲル法によるMgZoO及びMgSnO薄膜の作製

眞部靖之, 水野智史, 高野泰

電子情報通信学会電子部品材料研究会 2022年10月
SnS光吸収層とMgSnOバッファ層を用いた薄膜太陽電池

稲垣賢吾, 高野泰, 水野覚史

電子情報通信学会電子部品材料研究会 2022年3月
真空蒸着法による硫化アンチモン薄膜堆積

高野泰, 井上翔

電子情報通信学会電子部品材料研究会 2019年11月7日
Sol-gel法による太陽光発電用MgZnO薄膜の研究

井上翔, 高野泰

電子情報通信学会電子部品材料研究会 2019年5月
SnSとMgSnOを用いた薄膜太陽電池の作製

小柳津和成, 高野泰

電子情報通信学会電子部品材料研究会 2018年11月
結晶作製実験をふりかえって

高野泰

電子情報通信学会電子部品材料研究会 2018年4月
Sol-gel法によるZnSnO薄膜作製についての研究

野村将太, 高野泰

電子情報通信学会電子部品材料研究会 2018年3月
sol-gel法によるMgSnO薄膜作製に関する研究

小柳津和成, 高野泰

電子情報通信学会電子部品材料研究会 2017年10月
sol-gel法によるZnO薄膜作製に関する研究

菅沼幸雄, 高野泰

電子情報通信学会電子部品材料研究会 2017年7月
真空蒸着法によるSnS堆積に関する研究

高野泰, 菅沼幸雄

電子情報通信学会電子部品材料研究会 2017年5月
Microwaveを用いた溶液成長法によるZnO薄膜堆積

吉谷地優聴, 高野泰

電子情報通信学会電子部品材料研究会 2016年11月
溶液成長法を用いたSnSによるSnS/ZnO構造太陽電池の作製

神田祐作, 高野泰, 石田明広

電子情報通信学会電子部品材料研究会 2016年11月
Microwaveを用いた溶液成長法によるSnS薄膜の作製

早川諒, 高野泰, 石田明広

電子情報通信学会電子部品材料 2016年11月
EDTAを錯化体に用いた溶液成長法によるSnS薄膜堆積

神田祐作, 高野泰, 石田明広

電子情報通信学会ED,SDM,CPM合同研究会 2016年5月
溶液成長法によるSnS薄膜堆積における溶液温度の影響

神田祐作, 高野泰, 石田明広

電子情報通信学会電子材料部品研究会 2015年11月
フローセルを用いた溶液成長法によるSnS薄膜の作製についての研究

早川涼, 高野泰, 石田明広

電子情報通信学会電子材料部品研究会 2015年8月
溶液成長法によるSnS堆積量と撹拌の関係

鈴木大司, 高野泰, 石田明広

電子情報通信学会電子材料部品研究会 2015年5月
溶液成長法によるSnS堆積時の撹拌の影響

鈴木大司, 高野泰, 石田明広

電子情報通信学会総合大会 2015年3月
成長室を用いた溶液成長法によるSnS堆積

山中雄貴, 兼森遥平, 高野泰, 石田明広

電子情報通信学会技術研究報告 2014年10月
溶液成長法を用いたSnS薄膜堆積

山中雄貴, 兼森遥平, 森脇裕, 高野泰

電子情報電子情報通信学会ソサイエティ大会 2014年9月

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

シリコン基板に格子整合させた化合物半導体結晶成長

基盤研究(C) 基盤研究(C) 2007年4月
シリコン基板に格子整合させた化合物半導体結晶成長

基盤研究(C) 基盤研究(C) 2006年4月
自己組織化によるバァッファ層の転位分布の均質化

基盤研究(C) 基盤研究(C) 2003年4月
自己組織化よるバァッファー層の転位分布の均質化

基盤研究(C) 基盤研究(C) 2002年4月