齋藤順雄 (Nobuo Saito) - マイポータル - researchmap

基本情報

学位: 工学博士(静岡大学)

J-GLOBAL ID: 200901010891244049
researchmap会員ID: 1000023164

研究キーワード

2

研究分野

4

経歴

1

宮崎大学工学部材料物理工学科, 教授

委員歴

1

1995年 - 1996年

電気学会, 四国支部協議員

受賞

1

1988年

斎藤研究奨励賞

MISC

31

Electrical and optical properties of InN films prepared by reactive sputtering

N. Saito, Y. Igasaki

Applied Surface Science 169-170 349-352 2001年1月15日
Properties of amorphous ternary alloy films a-SixCyGez : H prepared by magnetron co-sputtering

N Saito, Nakaaki, I, S Nakamura, S Yoshioka, T Yamaguchi

APPLIED SURFACE SCIENCE 169 472-475 2001年1月
Indium doping of amorphous SiC : H films prepared by reactive magnetron co-sputtering

N Saito, Y Inui, T Yamaguchi, Nakaaki, I

THIN SOLID FILMS 353(1-2) 189-193 1999年9月
Adhesion strength of plasma-assisted CVD B(C,N) film to silicon substrate

S Nakamura, N Saito, S Yoshioka, Nakaaki, I, Y Suzaki

JOURNAL OF ADHESION SCIENCE AND TECHNOLOGY 13(5) 615-627 1999年
Effects of gallium doping on the properties of amorphous SIC : H films

J. Appl. Phys 83(4) 2067-2071 1998年
Electrical, optical and structural properties of a-SiNGe:H films prepared by the rf glow-discharged decomposition

Nakaaki, I, N Saito

THIN SOLID FILMS 281(1/2) 308-310 1996年8月
Effect of Tl impurities on the properties of amorphous SiC : H films prepared by co-sputtering

Thin Solid Films 281/282(1/2) 302-304 1996年
Influence of deposition conditions on the properties of a-GeC:H and a-Ge:H films prepared by rf magnetron sputtering

N Saito, Nakaaki, I, T Yamaguchi, S Yoshioka, S Nakamura

THIN SOLID FILMS 269(1-2) 69-74 1995年11月
Liquid phase epitaxial growth of high-quality GaInAsSb/InAs

Japan. J. Appl. Phys. , Part1, 32(2) 711-715 1993年
Enhancement of photoconductivity in r. f. glow-discharge-deposited a-SiC : H films doped with nitrogen

Philos. Mag. B 68(1) 55-65 1993年
Electrical and optical properties of a-Ge<D2>1-x</D2>Se<D2>x</D2> thin films prepared by vacuum evaporation

Advances in Electronic Packaging 2 687-693 1992年
Improvement of photoconductivity of a-SiC : H films by introducing nitrogen during magnetron sputtering process

J. Appl. Phys. , 69(3) 1518-1521 1991年
Doping effects of aluminium on the properties of hydrogenated amorphous silicon-carbon alloy films prepared by magnetron sputtering

Philos. Mag. B, 62(5) 527-536 1990年
Highly photosensitive magnetron sputtered amorphous Si-C : H doped with Al

Philos. Mag. Lett. , 59(1) 43-45 1989年
Effect of Hydrocarbon on the Properties of Magnetron Sputtering of Hydrogenated Amorphous Silicon Carbon Films

J. Non-Cryst. Solids, 108(2) 211-215 1989年
Esr observations of Ar+-irradiated a-Si1−xCx:H films deposited on quartz substrates

Takato Nakamura, Yoshiko Suzuki, Nobuo Saito, Yoichiro Nakanishi, Goro Shimaoka

Philosophical Magazine B: Physics of Condensed Matter; Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties 60(2) 257-263 1989年
Preparation of a-SiC : H /a-Gec : H superlattices by dual magnetron sputtering

J. Appl. Phys. , 66(7) 3114-3116 1989年
Electron spin resonance observations of Ar<D1>+</D1>-irradiated a-Si<D2>1-X</D2>C<D2>X</D2> : H films,

Appl. Surf. Sci. , 33-34,779-783 1988年
Electron spin resonance of hydrogenated amorphous silicon carbon alloy films prepared by magnetron sputtering

Philos. Mag. Lett. , 56(4) 161-163 1987年
Properties of hydrogenated and fluorinated amorphous silicon-carbon alloy films prepared by magnetron sputtering

N. Saito

Philosophical Magazine B: Physics of Condensed Matter; Statistical Mechanics, Electronic, Optical and Magnetic Properties 55(5) 615-625 1987年

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所属学協会

4

Works(作品等)

8

エレクトロクロミック薄膜

2001年
Electro chromic thin films

2001年
CdS薄膜

1999年
CdS films

1999年
SiC薄膜のドーピンク効果

1988年 - 1992年
Doping effects of SiC films

1988年 - 1992年
テトラヘトラル系半導体薄膜

1984年
Tetrahedrally-bonded Semiconductor films

1984年

共同研究・競争的資金等の研究課題

2