澤木 宣彦

J-GLOBALへ         更新日: 09/03/27 00:00
 
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研究者氏名
澤木 宣彦
 
サワキ ノブヒコ
所属
名古屋大学
部署
大学院工学研究科 電子情報システム専攻 大学院工学研究科・工学部 電子情報システム専攻
職名
教授,その他
学位
工学博士(名古屋大学), 工学修士

研究分野

 
 

経歴

 
1973年
 - 
1977年
 名古屋大学助手(工学部)
 
1977年
 - 
1982年
 名古屋大学講師(工学部)
 
1982年
 - 
1989年
 名古屋大学助教授(工学部)
 
1988年
 - 
1989年
 インスブルック大学客員教授
 
1989年
   
 
- 名古屋大学教授(工学部・工学研究科)
 

受賞

 
2007年
応用物理学会フェロー
 
2004年
IEEEフェロー
 
1999年
IOP フェロー
 

Misc

 
Negative magneto-resistance in an Si delta-doped GaAs nano-structure
J.of Phys. Conf. Ser.   109 012027   2008年
Light propagation in a coupled waveguide-triple quantum well structure
physica status solidi (c)   5 2825-2827   2008年
MBE growth of GaAs nanowires on a (111)Si substrate
physica status solidi (c)   5 2740-2742   2008年
Growth of semi-polar (11-22)GaN on a (113)Si substrate by selective MOVPE
phys.sta.sol.(c)   5 2966-2968   2008年
Energy relaxation process of photo-generated carriers in Mg doped (0001)GaN and (1-101)GaN
phys.sta.sol.(c)   5(6) 1746-1749   2008年

書籍等出版物

 
Selective area growth and epitaxial lateral overgrowth of wurtzite GaN on (111) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
Institute of Physics Conference Series   1999年   
The negative magneto-resistance in an Si atomic layer doped GaAs
Institute of Physics Conference Series   1999年   
Hot Electrons in Semiconductors (共著)
Oxford University Press   1998年   
Facets formation mechanism of GaN hexagonal phyramids on dot patterns via selective MOVPE(共著)
Material Research Soe Symposium Proceeding   1996年   
電子通信材料工学
培風館   1995年   

Works

 
半導体素子(特許第1765021号)(1993年6月)
1989年
(Negative resistance semiconductor device) United States Patent No 4,816,878 (Mar. 28.1989)
1986年

競争的資金等の研究課題

 
量子井戸,量子細線における電子散乱と伝導現象
GaN微細構造の作製と評価
化合物半導体の光電物性と光デバイス

特許

 
半導体素子
3751423
窒化物半導体の製造方法
3785059
半導体発光素子の製造方法
US-6806115B2
半導体発光素子およびその製造方法
3884969