田中成泰 (Shigeyasu Tanaka) - マイポータル

基本情報

学位: 工学博士(名古屋大学)

J-GLOBAL ID: 200901054611813130
researchmap会員ID: 1000023929

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論文

SEM observation and analysis of InGaN/GaN multiple quantum well structure using obliquely polished sample

Shigeyasu Tanaka, Takahiro Karumi

MICROSCOPY 66(2) 131-135 2017年4月査読有り
A simple way to obtain backscattered electron images in a scanning transmission electron microscope

Hiroki Tsuruta, Shigeyasu Tanaka, Takayoshi Tanji, Chiaki Morita

MICROSCOPY 63(4) 333-336 2014年8月査読有り
Mapping of minority carrier lifetime distributions in multicrystalline silicon using transient electron-beam-induced current

Takuya Kushida, Shigeyasu Tanaka, Chiaki Morita, Takayoshi Tanji, Yoshio Ohshita

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY 61(5) 293-298 2012年10月査読有り
Determination of Piezoelectric Fields Across InGaN/GaN Quantum Wells by Means of Electron Holography

Masashi Deguchi, Shigeyasu Tanaka, Takayoshi Tanji

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 39(6) 815-818 2010年6月査読有り
Selective growth and impurity incorporation in semipolar GaN grown on Si substrate

N. Sawaki, Y. Honda, T. Hikosaka, S. Tanaka, M. Yamaguchi, N. Koide, K. Tomita

GALLIUM NITRIDE MATERIALS AND DEVICES V 7602 2010年査読有り
Growth and properties of semi-polar GaN on a patterned silicon substrate

Nobuhiko Sawaki, Toshiki Hikosaka, Norikatsu Koide, Shigeyasu Tanaka, Yoshio Honda, Masahito Yamaguchi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(10) 2867-2874 2009年5月査読有り
EBIC imaging using scanning transmission electron microscopy: experiment and analysis

Shigeyasu Tanaka, Hiroki Tanaka, Tadahiro Kawasaki, Mikio Ichihashi, Takayoshi Tanji, Koji Arafune, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS 19 S324-S327 2008年12月査読有り
Electron-beam-induced-current investigation of GaN/AlGaN/Si heterostructures using scanning transmission electron microscopy

Shigeyasu Tanaka, Kentaro Aoyama, Mikio Ichihashi, Shigeo Arai, Yoshio Honda, Nobuhiko Sawaki

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY 56(4) 141-144 2007年8月査読有り
Application of electron holography to the determination of contact potential difference in an AIGaN/AIN/Si heterostructure

Shigeyasu Tanaka, Akiyuki Naito, Yoshio Honda, Nobuhiko Sawaki, Mikio Ichihashi

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY 56(2) 37-42 2007年4月査読有り
Effects of thermal cycle annealing on reduction of defect density in lattice-mismatched InGaAs solar cells

T Sasaki, K Arafune, HS Lee, NJ Ekins-Daukes, S Tanaka, Y Ohshita, M Yamaguchi

PHYSICA B-CONDENSED MATTER 376 626-629 2006年4月
Transmission electron microscopy study of an AlN nucleation layer for the growth of GaN on a 7-degree off-oriented (0 0 1) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

Shigeyasu Tanaka, Yoshio Honda, Norifumi Kameshiro, Ryuta Iwasaki, Nobuhiko Sawaki, Takayoshi Tanji, Mikio Ichihashi

Journal of Crystal Growth 260(3-4) 360-365 2004年1月9日査読有り
Selective area growth of GaN microstructures on patterned (1 1 1) and (0 0 1) Si substrates

Y. Honda, Y. Kawaguchi, Y. Ohtake, S. Tanaka, M. Yamaguchi, N. Sawaki

Journal of Crystal Growth 230(3-4) 346-350 2001年9月査読有り
Structural characterization of GaN laterally overgrown on a (111)Si substrate

S Tanaka, Y Honda, N Sawaki, M Hibino

APPLIED PHYSICS LETTERS 79(7) 955-957 2001年8月査読有り
LPE GROWTH OF INGAP INGAASP MULTIPLE THIN-LAYERS ON (111)A GAAS SUBSTRATES

S TANAKA, H TAKAMATSU, K HIRAMATSU, AKASAKI, I

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 98(4) 653-658 1989年12月査読有り
ANALYSIS OF COMPOSITIONAL VARIATION AT INITIAL TRANSIENT TIME IN LPE GROWTH OF INGAASP/GAAS SYSTEM

K HIRAMATSU, S TANAKA, N SAWAKI, AKASAKI, I

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 24(8) 1030-1035 1985年査読有り
CHARACTERIZATION OF INTERFACE INSTABILITY IN INGAASP LPE GROWTH ON GAAS BY FOURIER-ANALYSIS

K HIRAMATSU, S TANAKA, N SAWAKI, AKASAKI, I

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 24(7) 822-827 1985年査読有り

MISC

Structural evolution of AlN buffer and crystal quality of GaN films on a- and c-sapphire grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Okuno, Koji, Oshio, Takahide, Shibata, Naoki, Honda, Yoshio, Yamaguchi, Masahito, Tanaka, Shigeyasu, Amano, Hiroshi

Physica Status Solidi C 10(3) 369-372 2013年3月査読有り
Electrical properties and structural defects in lattice mismatched InGaAs solar cells

T. Sasaki, K. Arafune, H. S. Lee, N. J. Ekins-Daukes, S. Tanaka, W. Metzger, M. J. Romero, K. Jones, M. Al-Jassim, Y. Ohshita …

Conference Record of the 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, WCPEC-4 1 795-798 2007年12月1日
Carbon related defects and iron distribution in cast-grown polycrystalline silicon

Y. Ohshita, K. Arafune, T. Sasaki, M. Tachibana, Y. Terada, S. Tanaka, M. Yamaguchi

Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference 1269-1272 2005年11月30日
Transmission electron microscopy study of the microstructure in selective-area-grown GaN and an AlGaN/GaN heterostructure on a 7-degree off-oriented (001) Si substrate

Shigeyasu Tanaka, Yoshio Honda, Norifumi Kameshiro, Ryuta Iwasaki, Nobuhiko Sawaki, Takayoshi Tanji

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 41(7 B) L846-L848 2002年7月15日
Defect structure in selective area growth GaN pyramid on (111)Si substrate

S Tanaka, Y Kawaguchi, N Sawaki, M Hibino, K Hiramatsu

APPLIED PHYSICS LETTERS 76(19) 2701-2703 2000年5月
Transmission electron microscopy study of selective area growth of GaN on (111)Si using AlGaN as an intermediate layer

S Tanaka, Y Kawaguchi, K Yamada, N Sawaki, M Hibino, K Hiramatsu

PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS 1 300-301 2000年
(111)Si上に選択成長したGaNピラミッドのTEM観察

応用電子物性分科会誌 5 197 1999年
Characterization of etch pits and correlated defects in ZnSe/(001)GaAs

S Tanaka, T Goto, M Hibino

MICROSCOPY RESEARCH AND TECHNIQUE 43(6) 518-519 1998年12月
Photochemical etching technique for preparing high-quality TEM samples of n-type compound semiconductors

S Tanaka, H Fujii, M Hibino

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY 46(2) 129-133 1997年
XTEM sample preparation technique for n-type compound semiconductors using photochemical etching

S Tanaka, H Fujii, M Hibino

MICROSCOPY RESEARCH AND TECHNIQUE 35(4) 363-364 1996年11月
Transmission electron microscopy study of InGaAsP/InGaP thin-layer structure grown by liquid phase epitaxy

S Tanaka, T Ishikawa, M Hibino

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 166(1-4) 334-338 1996年9月
Electron microscope study of modulated structures in LPE-grown InGaAsP epitaxial layers lattice matched on (001) GaAs

S TANAKA, M HIBINO

ELECTRON MICROSCOPY 1994, VOLS 2A AND 2B 2A 617-618 1994年
DETECTION SYSTEM FOR FAST STEM ELEMENTAL MAPPING USING PARALLEL EELS WITH A MODERATE-SCALE DETECTOR

MICROBEAM ANALYSIS 3(6) 299 1994年
RAMAN-SCATTERING OF INGAASP LATTICE-MATCHED TO GAAS IN THE REGION OF IMMISCIBILITY

T SUGIURA, N HASE, H GOTO, S TANAKA, K HIRAMATSU, N SAWAKI, AKASAKI, I

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 32(6A) 2718-2721 1993年6月
GROWTH AND CHARACTERIZATION OF INGAAS BULK CRYSTALS GROWN BY LIQUID-PHASE ELECTRO-EPITAXY

M YANAGASE, S TANAKA, K HIRAMATSU, AKASAKI, I

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 128(1-4) 562-566 1993年3月
GROWTH OF INGAP EPITAXIAL LAYERS BY LIQUID-PHASE ELECTRO-EPITAXY

M YANAGASE, S TANAKA, K HIRAMATSU, AKASAKI, I

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 115(1-4) 304-308 1991年12月
BEHAVIOR OF ANION VACANCY IN INXGA1-XASYP1-Y GROWN ON (111)A AND (100) GAAS

QS ZHU, K HIRAMATSU, S TANAKA, AKASAKI, I

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 103(1-4) 367-370 1990年6月
EFFECTS ON A1 ADDITION IN LIQUID PHASE EPITAXY OF InGaP ON (111)A GaAs SUBSTRATES

RECORD OF ALLOY SEMICONDUCTOR PHYSICS AND ELECTRONICS SYMPOSIUM 1990年
ELECTRON-MICROSCOPE STUDY OF MODULATED STRUCTURES AND HETEROINTERFACES IN LPE-GROWN GAINASP LAYERS LATTICE-MATCHED ON GAAS

N KUWANO, K FUKUDA, K OKI, S TANAKA, K HIRAMATSU, AKASAKI, I

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 98(1-2) 82-89 1989年11月
DEEP LEVELS IN INXGA1-XASYP1-Y GROWN ON (100) GAAS BY LPE

QS ZHU, K HIRAMATSU, S TANAKA, N SAWAKI, AKASAKI, I

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 4(9) 729-738 1989年9月

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

細胞内微細構造のSEM反射電子像の高解像化のための画像処理法の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2022年4月 - 2025年3月

田中成泰
SEM像電位コントラストの原理解明と定量化手法の確立

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2018年4月 - 2023年3月

田中成泰
次世代半導体デバイスのための不純物分布計測技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2013年4月 - 2017年3月

田中成泰, 丹羽辰嗣, 手島基裕, 軽海貴博, 長尾俊介
分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究 2013年 - 2015年

天野浩, 本田善央, 出来真斗, 大野雄高, 三宅秀人, 成塚重弥, 竹内哲也, 岩谷素顕, 福山博之, 田中成泰
電子線を用いた太陽電池セルの品質評価法の開発

科学技術振興機構産学が連携した研究開発成果の展開/研究成果展開事業/研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)/探索タイプ 2010年 - 2010年

田中成泰
次世代デバイス評価のための不純物分布計測技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2008年 - 2010年

田中成泰, 出口将士, 櫛田拓也, 丹羽辰嗣
加工シリコン基板上への窒化物半導体の選択再成長法によるナノヘテロ構造の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2004年 - 2008年

澤木宣彦, 山口雅史, 田中成泰, 本田善央
反強磁性薄膜材料の電子波による研究

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2003年 - 2005年

丹司敬義, 川崎忠寛, 田中成泰
電子線実体位相顕微鏡の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2002年 - 2004年

丹司敬義, 陳軍, 市橋幹雄, 田中成泰
カーボンナノチューブ電界放出型電子銃を透過電子顕微鏡へ搭載するための研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2001年 - 2003年

丹司敬義, 楠美智子, 田中成泰, 市橋幹夫, 岡本篤人, 室岡義栄
選択成長法によるシリコン基板上への集積形窒化物半導体デバイスの作製に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2001年 - 2003年

澤木宣彦, 本田善央, 田中成泰, 山口雅史
薄膜レンズを用いた球面収差補正による電子顕微鏡の高分解能化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 1999年 - 2000年

花井孝明, 田中成泰, 室岡義栄
電子顕微鏡像の最大エントロピー修復による構造解析法の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 1997年 - 1998年

花井孝明, 室岡義栄, 田中成泰
微細構造グラニュラー膜作製のための基礎的研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1996年 - 1997年

丹司敬義, 室岡義栄, 田中成泰, 木村啓子
最大エントロピー法を用いた画像修復による電子顕微鏡の高解像化に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 1995年 - 1996年

花井孝明, 小粥啓子, 田中成泰
高輝度・高解像度電子顕微鏡観察YAGスクリーンに関する基礎研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1995年 - 1996年

日比野倫夫, 木村啓子, 田中成泰, 花井孝明, 丹司敬義
高品質な高分解能電顕像を得るための半導体試料の薄片化法の検討

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1995年 - 1995年

田中成泰
球面収差補正用サイドエントリ-薄膜レンズによる走査透過電子顕微鏡の高分解能化

日本学術振興会科学研究費助成事業試験研究(B) 1993年 - 1995年

花井孝明, 杉山せつ子, 田中成泰, 日比野倫夫
高品質な高分解能電顕像を得るための半導体試料の薄片化法の検討

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1994年 - 1994年

田中成泰
薄膜レンズを用いた透過電子顕微鏡用対物レンズの球面収差補正に関する基礎研究

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(C) 1993年 - 1994年

花井孝明, 田中成泰, 日比野倫夫

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産業財産権

特開2010-051769 X線拡大撮影用徴小焦点電子顕微鏡アダプター

田中成泰, 小山修司, 前田尚利
特許第3884969号半導体発光素子およびその製造方法

澤木宣彦, 本田善央, 亀代典史, 山口雅史, 田中成泰, 小出典克
特開2003-243702 半導体発光素子およびその製造方法

澤木宣彦, 本田善央, 亀代典史, 山口雅史, 田中成泰, 小出典克

田中成泰

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