安田幸夫 (Yukio Yasuda) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 旧所属高知工科大学総合研究所教授

学位: 工学博士
工学修士

J-GLOBAL ID: 200901071154476701
researchmap会員ID: 1000024241

研究キーワード

2

研究分野

2

学歴

4

委員歴

7

1996年 - 1998年

国際真空連合(International Union for Vacuum Science, Technique, and Applications), 電子材料部門常任理事会副委員長兼プログラム委員長,電子材料部門常任理事会委員長兼プログラム委員長
1992年 - 1998年

国際真空連合(International Union for Vacuum Science,Technique,and Applications), 電子材料部門常任理事会委員
1992年 - 1998年

日本真空協会, 電子材料部会日本代表,理事会理事
1998年

Materials Science in Semiconductor Processing, 編集委員
1998年

J.Vacuum Science and Technology, 編集委員
1993年 - 1997年

日本結晶成長学会, 理事会理事
1992年 - 1993年

応用物理学会, 評議員,東海支部長,理事会理事(東海代表)

MISC

58

Trap creation in ultrathin SiO2 films due to electron injection studied by scanning tunneling microscopy/scanning tunneling spectroscopy

K Ohmori, S Zaima, Y Yasuda

APPLIED SURFACE SCIENCE 162 395-400 2000年8月
Nucleation and growth of Ge on Si(111) in solid phase epitaxy

Suzumura, I, M Okada, A Muto, Y Torige, H Ikeda, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

THIN SOLID FILMS 369(1-2) 116-120 2000年7月
Orientation dependence of ferroelectric properties of Pb(ZrxTi1-x)O-3 thin films on Pt/SiO2/Si substrates

H Fujita, M Imade, M Sakashita, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

APPLIED SURFACE SCIENCE 159 134-137 2000年6月
A study on initial oxidation of Si(100)-2 X 1 surfaces by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy

M Wasekura, M Higashi, H Ikeda, A Sakai, S Zaima, Y Yasuda

APPLIED SURFACE SCIENCE 159 35-40 2000年6月
Solid-phase epitaxial growth of CoSi2 on clean and oxygen-adsorbed Si(001) surfaces

Y Hayashi, M Yoshinaga, H Ikeda, S Zaima, Y Yasuda

SURFACE SCIENCE 438(1-3) 116-122 1999年9月
Coulomb blockade phenomena in Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with nano-scale channels fabricated using focused-ion beam implantation

Hiroki Kondo, Kenta Izumikawa, Masakazu Sakurai, Shin&ndash, ichi Baba, Hirotaka Iwano, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Japanese Journal of Applied Physics 38(12B) 7222-7226 1999年
Influences of denterium atoms on local bonding structures of SiO₂ studied by HREELS(共著)

Thin Solid Films 343/344 408-411 1999年
Influences of Impurities on Oxidation Processes of Si(100) Substrate(共著)

Hiroya Ikeda, Yasuyuki Nakagawa, Kenji Sato, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Japanese Journal of Applied Physics 38(4B) 2345-2348 1999年
Conductance Oscillations in Low-Dimensional Ion Implanted Regions Annealed by Rapid Thermal Annealing(共著)

Japanese Journal of Applied Physics 38(4A) 1843-1846 1999年
Initial Oxidation Processes of H-Terminated Si(100) Surfaces Analyzed using a Random Sequential Adsorption Model(共著)

Hiroya Ikeda, Yasuyuki Nakagawa, Shigeaki Zaima, Yoshihiro Ishibashi, Yukio Yasuda

Japanese Journal of Applied Physics 38(6A) 3422-3425 1999年
Effects of H-termination on Ge Film growth on Si(111)surfaces by solid phase epitaxy (共著)

Applied Surface Science 130/132 321-326 1998年
Nucleation and growth of Ge on Si(111)by MBE with additional atomic hydrogen irradiation studied by scanning tunneling microscopy (共著)

Journal of Crystal Growth 188(1/4) 119-124 1998年
Hydrogen Effect on Heteroepitaxial Growth of Ge Films on Si(111) Surfaces by Solid Phase Epitaxy(共著)

Masahisa Okada, Akiyoshi Muto, Isao Suzumura, Hiroya Ikeda, Shigeaki Zaima, Yukio Yasuda

Japanese Journal of Applied Physics 37(12B) 6970-6973 1998年
Study of reaction and electrical properties at Ti/SiGe/Si(100) contacts for ultralarge scale integrated applications(共著)

Journal of Vacuum Science and Technology 16(5) 2623-2628 1998年
Effects of atomic hydrogen on growth behavior of Si films by Si₂H₆-source molecular beam epitaxy (共著)

Thim Solid Films 317(1/2) 48-51 1998年
Local bonding structures of SiO₂ films on H-terminated Si(100)surfaces studied by using high-resolution electron energy loss spectroscopy (共著)

Applied Surface Science 130/132 192-196 1998年
Hydrogen Effects onSi1-xGex/SiHeteroepitaxial Growth bySi2H6- andGeH4-Source Molecular Beam Epitaxy

Okada Masahisa, Kondo Masaaki, Ikeda Hiroya, Zaima Shigeaki, Yasuda Yukio

Japanese Journal of Applied Physics 36(1) 7665-7668 1997年12月30日
The influence of additional atomic hydrogen on the monolayer growth of Ge on Si(100) studied by STM

M Okada, T Shimizu, H Ikeda, S Zaima, Y Yasuda

APPLIED SURFACE SCIENCE 113 349-353 1997年4月
Effects of H-termination on initial oxidation process

Y Yasuda, H Ikeda, S Zaima

APPLIED SURFACE SCIENCE 113 579-584 1997年4月
Thermal stability of ultra-thin CoSi₂ films on Si(100)-2×1 surfaces (共著)

Applied Surface Science 117118,275 1997年

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書籍等出版物

4

結晶成長の基礎(共著)

培風館 1997年
"Growth processes in the heteroepitaxy of Ge and Si_1-xGe_x on Si substrates using gassource molecular beam epitaxy" in "Advances in the understanding of crystal growth mechanisms"

Elsevier Science 1997年
マイクロエレクトロニクス入門

オーム社 1984年
Introduction of Microelectronics

Ohm Co. 1984年

所属学協会

11

共同研究・競争的資金等の研究課題

6