財満鎭明 (Shigeaki Zaima) - マイポータル

基本情報

学位: 工学博士(1982年3月東北大学)

ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-4878-1497
J-GLOBAL ID: 200901092594251873
Researcher ID: I-6688-2014
researchmap会員ID: 1000024244

研究分野

ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

論文

389

Formation and characterization of pseudomorphic Ge1−x−ySixSny/Ge heterojunction structures for photovoltaic application

O. Nakatsuka, S. Asaba, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, S. Zaima

ECS Transactions 102(4) 3-9 2021年
Realizing high thermoelectric performance in p-type Si1-x-yGexSny thin films at ambient temperature by Sn modulation doping

Ying Peng, Huajun Lai, Chengyan Liu, Jie Gao, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Tsunehiro Takeuchi, Shigeaki Zaima, Sakae Tanemura, Lei Miao

APPLIED PHYSICS LETTERS 117(5) 2020年8月
Realizing High Thermoelectric Performance at Ambient Temperature by Ternary Alloying in Polycrystalline Si<inf>1-x-y</inf>Ge<inf>x</inf>Sn<inf>y</inf> Thin Films with Boron Ion Implantation

Ying Peng, Lei Miao, Jie Gao, Chengyan Liu, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Scientific Reports 9(1) 2019年12月1日
Operation of thin-film thermoelectric generator of Ge-rich poly-Ge<inf>1-x</inf>Sn<inf>x</inf> on SiO<inf>2</inf> fabricated by a low thermal budget process

Kouta Takahashi, Hiroshi Ikenoue, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Masashi Kurosawa

Applied Physics Express 12(5) 51016-51016 2019年5月1日
Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al2O3/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment (vol 58, SBBD05, 2019)

Takuma Doi, Wakana Takeuchi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 SBBD05-SBBD05 2019年4月
Synthesis of heavily Ga-doped Si1−xSnx/Si heterostructures and their valence-band-offset determination

Kurosawa Masashi, Inaishi Yu, Tange Ryuji, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

Japanese Journal of Applied Physics 58(SA) SAAD02-SAAD02 2019年2月
Influence of Sn precursors on Ge1−x Sn x growth using metal-organic chemical vapor deposition

Miki Yusuke, Takeuchi Wakana, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

Japanese Journal of Applied Physics 58(SA) SAAD07-SAAD07 2019年2月
Development of germanium-tin-related semiconductor heterostructures for energy band design in electronic and optoelectronic applications

O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, S. Shibayama, S. Zaima

ECS Transactions 92(4) 41-46 2019年
Erratum: Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al <inf>2</inf> O <inf>3</inf> /4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment (Japanese Journal of Applied Physics (2019) 58 (SBBD05) DOI: 10.7567/1347-4065/aafb54)

Takuma Doi, Wakana Takeuchi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics 58(SB) 2019年
Formation and optoelectronic property of strain-relaxed Ge1−x−y Si x Sn y /Ge1−x Sn x /Ge1−x−y Si x Sn y double heterostructures on a boron-ion-implanted Ge(001) substrate

Fukuda Masahiro, Rainko Denis, Sakashita Mitsuo, Kurosawa Masashi, Buca Dan, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

Japanese Journal of Applied Physics 58(SI) SIIB23-SIIB23 2019年
Growth and electrical properties of in situ Sb-doped Ge1− x Sn x epitaxial layers for source/drain stressor of strained-Ge transistors

Jeon Jihee, Suzuki Akihiro, Takahashi Kouta, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

Japanese Journal of Applied Physics 57(12) 121303-121303 2018年12月
Optoelectronic properties of high-Si-content-Ge<inf>1-x-y</inf>Si<inf>x</inf>Sn <inf>y</inf> /Ge<inf>1-x</inf>Sn<inf>x</inf>/Ge<inf>1-x-y</inf>Si<inf>x</inf>Sn<inf>y</inf> double heterostructure

Masahiro Fukuda, Denis Rainko, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Dan Buca, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Semiconductor Science and Technology 33(12) 2018年11月16日
Defect evaluation in strain-relaxed Ge<inf>0.947</inf>Sn<inf>0.053</inf> grown on (001) Si

S. Gupta, Y. Shimura, O. Richard, B. Douhard, E. Simoen, H. Bender, O. Nakatsuka, S. Zaima, R. Loo, M. Heyns

Applied Physics Letters 113(19) 2018年11月5日
Formation of ultra-low resistance contact with nickel stanogermanide/heavily doped n ⁺-Ge<inf>1-x</inf>Sn<inf>x</inf> structure

Jihee Jeon, Akihiro Suzuki, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Semiconductor Science and Technology 33(12) 2018年10月24日
Formation of epitaxial Hf digermanide/Ge(001) contact and its crystalline properties

Osamu Nakatsuka, Akihiro Suzuki, James McVittie, Yoshio Nishi, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics 57(7) 07MA05-07MA05 2018年7月
Alleviation of Fermi level pinning at metal/n-Ge interface with lattice-matched Si x Ge1− x − y Sn y ternary alloy interlayer on Ge

Suzuki Akihiro, Nakatsuka Osamu, Sakashita Mitsuo, Zaima Shigeaki

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 60304-60304 2018年6月
Dopant behavior in heavily doped polycrystalline Ge1−xSnxlayers prepared with pulsed laser annealing in water

Takahashi Kouta, Kurosawa Masashi, Ikenoue Hiroshi, Sakashita Mitsuo, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

Japanese Journal of Applied Physics 57(4) 04FJ02-04FJ02 2018年4月
High n-type Sb dopant activation in Ge-rich poly-Ge<inf>1-</inf><inf>x</inf>Sn<inf>x</inf> layers on SiO<inf>2</inf> using pulsed laser annealing in flowing water

Kouta Takahashi, Masashi Kurosawa, Hiroshi Ikenoue, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Applied Physics Letters 112(6) 2018年2月5日
Effect of N bonding structure in AlON deposited by plasma-assisted atomic layer deposition on electrical properties of 4H-SiC MOS capacitor

Wakana Takeuchi, Kensaku Yamamoto, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Japanese Journal of Applied Physics 57(1) 2018年1月
Selective growth of Ge1−xSnxepitaxial layer on patterned SiO2/Si substrate by metal–organic chemical vapor deposition

Takeuchi Wakana, Washizu Tomoya, Ike Shinichi, Nakatsuka Osamu, Zaima Shigeaki

Japanese Journal of Applied Physics 57(1) 01AC05-01AC05 2018年1月

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MISC

274

エレクトロニクス実装学会と応用物理学会の連携に向けて

財満鎭明

エレクトロニクス実装学会誌 23(1) P1-P1 2020年
Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe<inf>2</inf>

Kazuki Senga, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka

19th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2019 2019年6月
Crystalline and Electrical Properties of Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Quantum Well Structures

Galih Ramadana Suwito, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) 2019年
Domain size effects on thermoelectric properties of p-type Ge<inf>0.95</inf>Sn<inf>0.05</inf> layers grown on GaAs and Si substrates

Yukihiro Imai, Kouta Takahashi, Noriyuki Uchida, Tatsuro Maeda, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Masashi Kurosawa

2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings 310-312 2018年7月26日
Low thermal budget fabrication of poly-Ge<inf>1-x</inf>Sn<inf>x</inf> thin film thermoelectric generator

Kouta Takahashi, Hiroshi Ikenoue, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Masashi Kurosawa

2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings 313-315 2018年7月26日
A New Application of Ge1-xSnx: Thermoelectric Materials

Masashi Kurosawa, Yukihiro Imai, Taisei Iwahashi, Kouta Takahashi, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 8 86(7) 321-328 2018年
会長就任にあたってのご挨拶

財満鎭明

応用物理 87(4) 238-243 2018年
Formation of epitaxial Hf germanide/Ge contacts for Schottky barrier height engineering

Osamu Nakatsuka, Akihiro Suzuki, James McVittie, Yoshio Nishi, Shigeaki Zaima

17th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2017 47-48 2017年6月30日
Ge₁-xSn[x]ゲートスタック構造における欠陥の物性評価 (シリコン材料・デバイス)

金田裕一, 池進一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(101) 39-42 2017年6月20日
Development of in-situ Sb-Doped Ge<inf>1-x</inf>Sn<inf>x</inf> Epitaxial Layers for Source/Drain Stressor of Strained Ge Transistors

Jihee Jeon, Akihiro Suzuki, Kouta Takahashi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2017 - Proceedings 249-251 2017年6月13日
Annealing Behavior of Aluminum Implanted Germanium

Hiroshi Onoda, Yoshiki Nakashima, Tsutomu Nagayama, Shigeki Sakai, Abhijeet Joshi, Shigeaki Zaima

Proceedings of the International Conference on Ion Implantation Technology 2017年3月20日
招待講演低温プロセスに向けたマイクロ波加熱処理によるNiGe/Ge接合の形成 (シリコン材料・デバイス)

中塚理, 渡部佳優, 鈴木陽洋, 西義雄, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(450) 11-15 2017年2月6日
Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films

Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

SEMICONDUCTOR PROCESS INTEGRATION 10 80(4) 253-258 2017年
Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials

S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, A. Suzuki, K. Takahashi, Y. Nagae, M. Kurosawa, W. Takeuchi …

2016 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series, SUM 2016 37-38 2016年8月22日
Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価 (シリコン材料・デバイス)

金田裕一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(118) 37-41 2016年6月29日
Formation of Ge pn-junction diode by phosphorus doping with liquid immersion laser irradiation

Kouta Takahashi, Masashi Kurosawa, Hiroshi Ikenoue, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

15th International Workshop on Junction Technology, IWJT 2015 8-10 2016年5月9日
招待講演 Sn系Ⅳ族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 (シリコン材料・デバイス)

志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(1) 23-26 2016年4月8日
招待講演 Sn系Ⅳ族半導体混晶薄膜の成長と物性評価 (有機エレクトロニクス)

志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(2) 23-26 2016年4月8日
Heteroepitaxial Growth of Si, Si<inf>1-x</inf>Ge<inf>x-</inf>, and Ge-Based Alloy

Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Handbook of Crystal Growth: Thin Films and Epitaxy: Second Edition 3 1301-1318 2015年
Defects induced by reactive ion etching in Ge substrate

Kusumandari, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

Advanced Materials Research 896 241-244 2014年

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書籍等出版物

プロセスインテグレーション

谷口, 研二, 鳥海, 明, 財満, 鎭明, 大場, 隆之, 河崎, 尚夫, 綱島, 祥隆

丸善 2010年9月 (ISBN: 9784621082843)

講演・口頭発表等

Ultra-low resistance contact for n-type Ge[1-x]Sn[x] with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation (シリコン材料・デバイス)

Jeon Jihee, Suzuki Akihiro, Shibayama Shigehisa, Zaima Shigeaki, Nakatsuka Osamu

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2019年6月21日電子情報通信学会
新しいIV族多元混晶薄膜の結晶成長とデバイス応用

黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

表面科学学術講演会要旨集 2017年公益社団法人日本表面科学会
金属/Ge界面へのIV族混晶半導体層挿入によるショットキー障壁高さの低減

鈴木陽洋, 中塚理, 戸田祥太, 坂下満男, 財満鎭明

表面科学学術講演会要旨集 2016年公益社団法人日本表面科学会
Si(001)基板上に形成したn型Ge_1-xSn_x薄膜の熱電特性評価

岩橋泰正, 黒澤昌志, 財満鎭明

表面科学学術講演会要旨集 2016年公益社団法人日本表面科学会
Si(001)基板上におけるSi_1-xSn_x薄膜の固相エピタキシャル成長

稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

表面科学学術講演会要旨集 2016年公益社団法人日本表面科学会
層状化合物を前駆体に用いたIV族ナノシートの合成

淺枝駿冴, 黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

表面科学学術講演会要旨集 2016年公益社団法人日本表面科学会
招待講演エピタキシャル金属/ゲルマニウム接合の形成による界面電気伝導特性の制御 (シリコン材料・デバイス)

中塚理, 鄧云生, 鈴木陽洋, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2015年3月2日一般社団法人電子情報通信学会
依頼講演絶縁膜上におけるⅣ族半導体多結晶薄膜の低温形成 : 低融点Snの活用 (シリコン材料・デバイス)

黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014年6月19日一般社団法人電子情報通信学会
Ge₁₋xSn[x]エピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御 (シリコン材料・デバイス)

浅野孝典, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014年6月19日一般社団法人電子情報通信学会
Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減 (シリコン材料・デバイス)

鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014年6月19日一般社団法人電子情報通信学会
n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 (電子部品・材料)

竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2014年5月28日一般社団法人電子情報通信学会
シリコンナノエレクトロニクスのための新材料開発と表面・界面

財満鎭明

表面科学学術講演会要旨集 2014年公益社団法人日本表面科学会
Al₂O₃/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響 (シリコン材料・デバイス)

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2013年6月18日一般社団法人電子情報通信学会
テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO₂膜の形成 (シリコン材料・デバイス)

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2013年6月18日一般社団法人電子情報通信学会
酸化剤分圧およびSi拡散の制御によるPr酸化膜結晶構造制御 (シリコン材料・デバイス)

加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 2013年6月18日一般社団法人電子情報通信学会
ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響

加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2012年6月14日一般社団法人電子情報通信学会
Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2012年6月14日一般社団法人電子情報通信学会
SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価

山羽隆, 中塚理, 木下恭一, 依田眞一, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 2012年5月10日一般社団法人電子情報通信学会
Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御

加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2011年6月27日一般社団法人電子情報通信学会
Al_2O_3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 2011年6月27日一般社団法人電子情報通信学会

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共同研究・競争的資金等の研究課題

多機能融合・省電力エレクトロニクスのためのSn系Ⅳ族半導体の工学基盤構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 基盤研究(S) 2014年5月 - 2019年3月

財満鎭明, 竹中充, 齋藤晃, 中塚理, 黒澤昌志
新規IV族系二次元物質の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2015年4月 - 2018年3月

白石賢二, 財満鎭明, 宮崎誠一, 中山隆史, 牧原克則, 初貝安弘, 洗平昌晃, 中塚理
機能融合デバイス構築に向けたSn系Ⅳ族半導体薄膜の材料設計

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2014年4月 - 2015年3月

財満鎭明, 坂下満男, 竹内和歌奈
省電力／超高速ナノＣＭＯＳのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究特別推進研究 2010年 - 2013年

財満鎭明, 竹中充, 坂下満男, 田中信夫, 竹内和歌奈, 中塚理, 高木信一
シリコン系エンジニアリングサブストレート実現のための材料・物性・構造制御技術

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2009年 - 2011年

財満鎭明, 中塚理, 坂下満男, 近藤博基
シリコンナノエレクトロニクスの新展開に関する総括的研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2006年 - 2010年

財満鎭明, 堀勝, 高木信一, 益一哉, 宮崎誠一, 平本俊郎, 田畑仁, 高木信一, 益一哉, 宮崎誠一, 平本俊郎
ナノシステム機能化High-kゲート/歪制御ゲルマニウムチャネル構造の創成

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2006年 - 2009年

財満鎭明, 小川正毅, 酒井朗, 渡部平司, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理
非熱平衡原子固溶プロセスに基づく超高速伸張歪Geチャネルの創成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2006年 - 2008年

財満鎭明, 中塚理, 近藤博基, 小川正毅, 酒井朗
超均一歪場の実現に向けたIV族系半導体ヘテロ歪結晶格子の変形制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2004年 - 2006年

酒井朗, 財満鎮明, 中塚理
シリコンナノエレクトロニクスの新展開-ポストスケーリングテクノロジー

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2005年 - 2005年

財満鎭明, 高木信一, 宮崎誠一, 堀勝, 益一哉, 田畑仁
IV族半導体極微細プロセスに向けた固相反応のダイナミクス制御とCエンジニアリング

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2003年 - 2005年

財満鎭明, 酒井朗, 中塚理, 近藤博基
単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2001年 - 2004年

近藤博基, 安田幸夫, 財満鎭明, 酒井朗, 安田幸夫, 近藤博基, 池田浩也
超機能化グローバル・インターフェース・インテグレーション研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2000年 - 2004年

堀池靖浩, 財満鎭明, 霜垣幸浩, 角南英夫, 益一哉, 岩井洋
異種材料界面制御による超低抵抗コンタクトの開発と半導体/金属界面の原子直視研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2001年 - 2003年

財満鎭明, 中塚理, 田中信夫, 池田浩也
人工IV族半導体極微細構造デバイス製作のための原子精度要素プロセスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 1999年 - 2003年

安田幸夫, 酒井朗, 財満鎭明, 畑朋延, 中塚理, 池田浩也
その場透過電子顕微鏡による強誘電体薄膜の劣化ダイナミクスに関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2000年 - 2002年

酒井朗, 財満鎭明, 安田幸夫, 池田浩也
反応性エピタキシャル成長によるCoSi_2/Si(100)ヘテロ構造形成の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 1999年 - 2001年

財満鎮明, 池田浩也, 安田幸夫
極薄ゲート酸化膜の原子層制御形成技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 1997年 - 1999年

財満鎭明, 池田浩也, 安田幸夫
電子エネルギー損失分光法を用いた原子層CVDにおける反応メカニズムの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 1996年 - 1998年

安田幸夫, 池田浩也, 財満鎭明
次世代ULSI用超低抵抗コンタクト材料の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 1996年 - 1998年

安田幸夫, 須黒恭一, 岩野博隆, 財満鎭明

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