市村正也 (Masaya Ichimura) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋工業大学大学院電気機械工学教授

連絡先: ichimura.masayanitech.ac.jp
研究者番号: 30203110
J-GLOBAL ID: 200901033440305338
researchmap会員ID: 1000025162

外部リンク: http://araiweb.elcom.nitech.ac.jp/

研究キーワード

-半導体工学

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

委員歴

2010年7月 - 2010年12月

日本ＭＲＳ, 第20回日本MRS学術シンポジウムEセッションコチェア

受賞

2006年4月

SEMI Silicon Wafer Committee, Technical Committee Award 2006, -
2004年4月

Prof. Ramasamy National Award for Crystal Growth 2004, -

論文

294

Unveiling the dynamics of phase-transition from ferroelectric to relaxor behavior in Nd-doped BNT-based lead-free piezoelectric ceramics

J. Eom, G. Lee, M. Saleem, M. Ichimura, M. Zubair Khan, M. Bilal Hanif, R. Ahmed Malikg, J. H. Koh

J. Mater. Chem. C 12 19463-19475 2024年12月28日査読有り
Concentrations Influence of Complexing Agents on the Physicochemical Properties of Chemical Bath Deposited n-type FeSxOy for Homostructure Solar Cell

A. A. Ariff, A. Supee, M. Ichimura, M. Z. Mohd Yusop, A. Abdul Jali

Physica Status Solidi (a) 221 2400376 2024年10月査読有り
Drop-dry deposition of SnO2 using Na2SnO3 and fabrication of SnO2/NiO transparent solar cells

M. Ichimura, T. Okada, A. Fukuda, T. Li

J. Electron. Mater. 53 5265-5272 2024年9月査読有り筆頭著者
Low-temperature deposition of β-Ga2O3 thin films employing in situ pulsed laser-assisted RF sputtering system

Y.Y. Huh, C.H. Jo, M. Ichimura, J.H. Koh

Mat. Sci. Semicond. Proc. 179 108428 2024年8月査読有り
Enhanced soft piezoelectric properties of Sb2O3 doped 0.5Ba(Zr0.2Ti0.8)O3-0.5(Ba0.7Ca0.3)TiO3 materials

T.W. Kim, G. Lee, M. Ichimura, J.H. Koh

J. Alloy Comp. 987 174163 2024年6月査読有り
Dip-dry deposition of semiconducting aluminum oxide-hydroxide thin films

M. Ichimura, C. Baixian, T. Li

Jpn. J. Appl. Phys. 63 018001 2024年1月査読有り筆頭著者
Theoretical study of doping in GaOOH for electronics applications

Electron. Mater. 4(4) 148-157 2023年11月10日査読有り筆頭著者責任著者
Drop-Dry Deposition of SnO2 Using a Complexing Agent and Fabrication of Heterojunctions with Co3O4

T. Li, M. Ichimura

Materials 16 5273 2023年8月査読有り最終著者
Low temperature processed CO2 laser-assisted RF-sputtered GaN thin film for wide bandgap semiconductors

S.-H. Kim, C.-H. Jo, M.-S. Bae, M. Ichimura, J.-H. Koh

J. Asian Ceramic Soc. 10(1) 68-79 2023年1月査読有り
Fabrication of Transparent ZnO/Cu-Mg(OH)2 Heterojunction Diodes by Electrochemical Deposition

M. Ichimura, M. Tanaka, T. Li

Solid St. Electron. 198 108479 2022年12月査読有り筆頭著者
Drop-dry deposition of Ni(OH)2 precursors for fabrication of NiO thin films

T. Li, T. Okada, M. Ichimura

Materials 15 4513 2022年7月査読有り責任著者
Hole capture cross section of the Al acceptor level in 4H-SiC

M. Kato, J. Di, Y. Ohkouchi, T. Mizuno, M. Ichimura, K. Kojima

Mater. Today Commun. 31 103648 2022年4月査読有り
Fabrication of a Co3O4/ZnO Heterostructure by Electrochemical Deposition

M. Ichimura, Y. Tomita

Int. J. Electrochem. Sci. 16(12) 211223 2021年12月査読有り
Drop-dry Deposition of Co3O4 and Fabrication of Heterojunction Solar Cells with Electrochemically Deposited ZnO

T. Li, M. Ichimura

Semicond. Sci. Technol. 36 095030 2021年9月査読有り
Galvanostatic electrochemical deposition of Cu-doped Mg(OH)2 thin films and fabrication of p-n homojunction

J. Kang, M. Keikhaei, T. Li, M. Ichimura

Mater. Res. Bull. 137 111207 2021年5月査読有り
Fabrication of transparent Mg(OH)2 thin films by drop-dry deposition

T. Li, M. Ichimura

Materials 14 724 2021年4月査読有り
Pulse electrochemical deposition of Cu-doped p-type Fe-O thin films and fabrication of n-Fe-O/p-Fe-O solar cells

R. Takayanagi, M. Ichimura

Jpn. J. Appl. Phys. 59(11) 111002 2020年11月査読有り
Fabrication of Transparent ZnO/(CuZn)O Heterojunction Solar Cells by Electrochemical Deposition

M. Keikhaei, M. Tanaka, M. Ichimura

Mater. Res. Exp. 7 106411 2020年11月査読有り
Impurity Doping in Mg(OH)2 for n-Type and p-Type Conductivity Control

M. Ichimura

Materials 13 2972 2020年7月査読有り
Surface recombination velocities for 4H-SiC: Temperature dependence and difference in conductivity type at several crystal faces

M. Kato, Z. Xinchi, K. Kohama, S. Fukaya, M. Ichimura

J. Appl. Phys. 127 195702 2020年5月査読有り

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MISC

太陽電池の研究は何を目指すべきか

市村

日本の科学者 56(6) 42 2021年6月査読有り
真空度測定のコツ

市村正也

応用物理 85(6) 508-511 2016年6月査読有り招待有り
光化学堆積法による透明なp型半導体薄膜Cu[x]Zn[y]Sの熱処理 (シリコン材料・デバイス)

トンバインガルディ, 市村正也

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(50) 43-46 2016年5月19日
真空技術のコツ

市村正也

応用物理 85(1) 49-52 2016年1月
真空技術超入門

市村正也

Journal of the Vacuum Society of Japan（真空） 58(8) 273-281 2015年
高水準注入状態のSiCからの反射マイクロ波信号 : キャリアライフタイムの正確な評価に向けて (電子デバイス)

加藤正史, 森祐人, 市村正也

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(56) 105-108 2014年5月28日
高水準注入状態のSiCからの反射マイクロ波信号 : キャリアライフタイムの正確な評価に向けて (電子部品・材料)

加藤正史, 森祐人, 市村正也

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(57) 105-108 2014年5月28日
光照射電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とCdS/SnSヘテロ接合太陽電池への応用 (電子部品・材料)

田中良和, 市村正也

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(57) 129-134 2014年5月28日
光照射電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とCdS/SnSヘテロ接合太陽電池への応用 (電子デバイス)

田中良和, 市村正也

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(56) 129-134 2014年5月28日
高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価 (電子デバイス)

三宅景子, 安田智成, 加藤正史, 市村正也, 畑山智亮, 大島武

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(39) 93-98 2013年5月16日
様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価 (電子デバイス)

森祐人, 加藤正史, 市村正也

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(39) 1-6 2013年5月16日
電気化学堆積法と電気泳動法によるCu₂O/TiO₂ヘテロ接合太陽電池の作製 (電子デバイス)

加藤義人, 市村正也

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 112(445) 13-17 2013年2月27日
イオン注入による欠陥準位導入によってシリコン太陽電池の効率は改善するか (電子デバイス)

榊原宏武, 和田耕司, 加藤正史, 市村正也

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 112(445) 19-24 2013年2月27日
電気化学堆積法を用いたSnS 系ヘテロ接合太陽電池の開発

市村正也

高効率太陽電池－化合物・集光型・量子ドット型・Si・有機系・その他材料－ 106-113 2012年5月22日
第一原理計算によりもとめたCdS/Cu_2ZnSnS_4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性

ホウウジスグリム, 市村正也

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(32) 79-83 2012年5月10日
第一原理計算によりもとめたCdS/Cu_2ZnSnS_4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性

ホウウジスグリム, 市村正也

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112(33) 79-83 2012年5月10日
電気化学堆積Cu_2O薄膜へのH_2O_2処理

宋瑛, 市村正也

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(32) 91-94 2012年5月10日
低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価

吉原一輝, 加藤正史, 市村正也, 畑山智亮, 大島武

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(32) 67-72 2012年5月10日
電気化学堆積Cu_2O薄膜へのH_2O_2処理

宋瑛, 市村正也

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112(33) 91-94 2012年5月10日
低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価

吉原一輝, 加藤正史, 市村正也, 畑山智亮, 大島武

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112(33) 67-72 2012年5月10日

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書籍等出版物

工学系のための応用数学

市村正也, 森田良文 (担当:共著)

森北出版 2018年9月28日 (ISBN: 9784627082014)
太陽電池入門

市村正也

オーム社 2012年4月25日 (ISBN: 9784274211911)
高校化学からはじめる半導体

市村正也

オーム社 2011年3月25日 (ISBN: 9784274209963)
新インターユニバーシティ固体電子物性

(担当:共著)

オーム社 2009年4月
新インターユニバーシティ半導体工学

(担当:共著)

オーム社 2009年4月
インターユニバーシティ半導体工学

(担当:共著)

オーム社 1999年4月
半導体物性工学

(担当:共著)

朝倉書店 1990年4月

講演・口頭発表等

Semiconducting Al-Mg Double-Hydroxide Thin Films Fabricated by the Drop-Dry Deposition

M. Ichimura, K. Okura

Materials Research Meeting 2025 (MRM2025) 2025年12月10日
Drop-Dry-Deposition of Transparent Iron Oxide Thin Films and Fabrication of Iron-Oxide/NiO Heterostructure Diodes

M. Ichimura, K. Kawamura

8th International Conference on Advanced Electromaterials 2025年11月26日
α-Ga₂O₃ Thin Film On A-plane Sapphire By Sol-Gel Method

Y. Son, C.-H. Jo, G.p Lee, Y.-Y. Huh, M. Ichimura, J.-H. Koh

14th International Conference on Material Science and Engineering Technology 2025年11月22日
Investigation of phase transition and its impact on the crystal structure and material properties of polycrystalline α/β Ga2O3 thin film

J.-M. Youn, C.-H. Jo, Y.-Y. Huh, M. Ichimura, J.-H. Ko

The 22ND International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025年9月16日
溶液を用いる半導体薄膜堆積

市村正也

電気学会C部門電子材料研究会 2024年11月29日招待有り
Possibility of Doping in GaOOH

M. Ichimura

Grand Meeting MRM&ICA2023 2023年12月13日
Dip-dry Deposition of Semiconducting Al-O Thin Films

M. Ichimura, C. Baixian, T. Li

Grand Meeting MRM&ICA2023 2023年12月13日
Fe2O3-based pn junction solar cells with a Mg(OH)2 interface layer

M. Ichimura, R. Takayanagi

Symposium on Earth-Abundant Materials for Future Photovoltaics 2022年6月24日
Drop-dry Deposition of Co3O4 and Fabrication of Heterojunctions with Electrochemically Deposited ZnO

T. Li, M. Ichimura

Material Research Meeting 2021 2021年12月13日
Fabrication of Transparent ZnO/Cu-Mg(OH)2 Heterojunction Diodes by Electrochemical Deposition

M. Tanaka, M. Ichimura

Material Research Meeting 2021 2021年12月13日
Fabrication of ZnO/Co3O4 Heterojunction by Electrochemical Deposition

Y. TOMITA, M. ICHIMURA

Materials Research Meeting 2019 2019年12月11日
Fe2O3-based pn junction solar cell fabricated by electrochemical deposition

M. ICHIMURA, S. KOBAYASHI

Materials Research Meeting 2019 2019年12月11日
Fabrication of Transparent ZnO/(CuZn)O Heterojunction Diodes by Electrochemical Deposition

M. KEIKHAEI, M. ICHIMURA

Materials Research Meeting 2019 2019年12月11日
Fabrication of p-type Transparent CuZnO Thin Films by the Electrochemical Deposition Method

M. Keikhaei, M. Ichimura

7th Int. Symp. Organic and Inorganic Electronic Matererials and Related Nanotechnology 2019年6月19日
Fabrication of ZnO/NiO transparent solar cells by electrochemical deposition

M. Koyama, M. Ichimura

7th Int. Symp. Organic and Inorganic Electronic Matererials and Related Nanotechnology 2019年6月19日
Fabrication of MgO Thin Films by Electrochemical Deposition with Cu Catalyst

M. KEIKHAEI, M. ICHIMURA

第28回日本MRS年次大会 2018年12月18日
エレクトロニクス応用のための酸化アルミニウムへの不純物ドーピング

市村正也

第28回日本MRS年次大会 2018年12月18日日本MRS
電気化学堆積法によるFeOOH/FeS2ヘテロ接合の作製

武田, 市村

27回日本MRS年次大会 2017年12月5日
FABRICATION OF FeOOH/FeS2 HETERO JUNCTIONS by ELECTROCHEMICAL DEPOSITION AND SULFUR ANNEALING

S. Maki, M. Ichimura

27th Int. Photovoltaic Sci. Eng. Conf. 2017年11月12日
ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF Cu-DOPED P-TYPE γ-FeOOH THIN FILMS

S. Kobayashi, M. Ichimura

XXVI International Materials Research Congress 2017年8月21日

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所属学協会

日本ＭＲＳ

市村正也

基本情報

研究キーワード

研究分野

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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