川上養一 (Yoichi Kawakami) - マイポータル

基本情報

所属: 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻教授

学位: 工学博士
工学博士

J-GLOBAL ID: 200901001446553458
researchmap会員ID: 1000027530

研究分野

学歴

論文

360

Nanoscopic structural and optical investigations on blue InGaN single quantum wells serving as layers beneath efficient red active layers

Zhaozong Zhang, Ryota Ishii, Kanako Shojiki, Mitsuru Funato, Kazuhiro Ohkawa, Daisuke Iida, Yoichi Kawakami

Journal of Applied Physics 137(5) 2025年2月3日
Correlated photoluminescence blinking phenomenon on InGaN/GaN nanopillar structures

K. Oikawa, K. Okamoto, M. Funato, Y. Kawakami, R. Micheletto

Applied Physics Letters 125(24) 2024年12月9日
199 nm vacuum-ultraviolet second harmonic generation from SrB₄O₇ vertical microcavity pumped with picosecond laser

Tomoaki Nambu, Masashi YOSHIMURA, Yusuke Mori, Yasufumi FUJIWARA, Ryota Ishii, Yoichi KAWAKAMI, Masahiro Uemukai, Tomoyuki TANIKAWA, Ryuji KATAYAMA

Applied Physics Express 2024年8月査読有り
An Approach Toward Broader Emission Bands in Semipolar InGaN Quantum Wells on Convex Lens-Shaped GaN Microstructures via Lower-Temperature Growth

S Fukushige, Y Matsuda, M Funato, Y Kawakami

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 2024年6月査読有り
High-efficiency green light emission from InGaN/GaN using localized surface plasmon resonance tuned by combination of Ag nanoparticles and dielectric thin film

Y Kame, S Kaito, T Matsuyama, K Wada, M Funato, Y Kawakami, K Okamoto

OPTICS EXPRESS 32(12) 21389-21399 2024年6月査読有り
Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy of High-Quality GaN on Al-Pretreated Sapphire Substrates Without Using Low-Temperature Buffer Layers

K Takemura, T Fukui, Y Matsuda, M Funato, Y Kawakami

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 2024年5月査読有り
Spontaneously Integrated Multicolor InGaN Micro-Light-Emitting Diodes for Spectrum-Controllable Broadband Light Sources

Y Matsuda, H Miyawaki, M Funato, Y Kawakami

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS 2024年5月査読有り
Correlative Micro‐Photoluminescence Study on Hybrid Quantum‐Well InGaN Red Light‐Emitting Diodes

Zhaozong Zhang, Ryota Ishii, Kanako Shojiki, Mitsuru Funato, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Yoichi Kawakami

physica status solidi (b) 2024年4月25日
Confinement of Excitons within GaN 1D Nanoarchitectures Formed on AlN Molecular Steps

M Funato, H Kobayashi, Y Kawakami

ADVANCED OPTICAL MATERIALS 12(12) 2024年4月査読有り
Radiative and Nonradiative Recombination Processes in AlGaN Quantum Wells on Epitaxially Laterally Overgrown AlN/Sapphire from 10 to 500 K

Ryota Ishii, Shiki Tanaka, Norman Susilo, Tim Wernicke, Michael Kneissl, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

physica status solidi (b) 2024年3月22日
Deep‐Ultraviolet Luminescence Properties of AlN

Ryota Ishii, Akira Yoshikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 2024年3月17日
A review of three-dimensional structure-controlled InGaN quantum wells for efficient visible polychromatic light emitters

M Funato, Y Matsuda, Y Kawakami

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 39(1) 013002 2024年1月査読有り
自在制御された三次元構造に基づくInGaN系多色発光LED

松田祥伸, 船戸充, 川上養一

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 51(2) 1-10 2024年査読有り
Anisotropic emission wavelength distribution of semipolar InGaN quantum wells on symmetric convex lens-shaped GaN microstructures

Y Matsuda, A Sakaki, M Funato, Y Kawakami

APPLIED PHYSICS LETTERS 123(24) 241105 2023年12月査読有り
Flexible topographical design of light-emitting diodes realizing electrically controllable multi-wavelength spectra

Y Matsuda, R Umemoto, M Funato, Y Kawakami

SCIENTIFIC REPORTS 13(1) 12665 2023年8月査読有り
Revisiting the substitutional Mg acceptor binding energy of AlN

Ryota Ishii, Akira Yoshikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

Physical Review B 108(3) 2023年7月14日
GaN分子層量子井戸からの深紫外発光

船戸充, 川上養一

Optronics : 光技術コーディネートジャーナル 42(5) 94-98 2023年5月
Enhancement of the bandgap emission from GaN epilayer by surface plasmon resonance in the quadrupole oscillation mode using Ag nanoparticles protected by an oxide thin film

S Kaito, T Matsuyama, K Wada, M Funato, Y Kawakami, K Okamoto

APPLIED PHYSICS LETTERS 122(15) 151110 2023年4月査読有り
Interface formation mechanism of GaN on Al-pretreated ScAlMgO4 (0001) substrates

T Fukui, Y Matsuda, M Matsukura, T Kojima, M Funato, Y Kawakami

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 23(4) 2739-2744 2023年4月
Improved internal quantum efficiencies of far-UVC AlGaN/AlN quantum wells by the use of semipolar r-planes

R. Akaike, M. Funato, Y. Kawakami

Applied Physics Letters 122(13) 2023年3月27日

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MISC

108

Deep ultraviolet light sources for post-COVID-19 sustainable society FOREWORD

Yoichi Kawakami, Hideki Hirayama, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya, Yoshitaka Taniyasu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61(11) 2022年11月
深紫外CW・時間分解PL分光法による¹²C/¹³C超格子の光学特性評価

石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年
アルミニウム被覆InGaN/GaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強に対する顕微フォトルミネセンスマッピング

立石和隆, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田薫

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年
プラズモニクスによるInGaN/GaN量子井戸の発光増強の顕微フォトルミネセンスマッピング

岡本晃一, 立石和隆, WANG Pangpang, 龍崎奏, 船戸充, 川上養一, 玉田薫

プラズモニクスシンポジウム 15th 2018年
深紫外CWレーザにより生成したダイヤモンド結晶中の極低温励起子に対する同位体効果

石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
顕微蛍光マッピングによる表面プラズモン発光増強の評価

立石和隆, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田薫

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
InGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強現象の空間分解評価

立石和隆, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田薫

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年
Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surface

Minehiro Hayakawa, Yuki Hayashi, Shuhei Ichikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 9926 2016年査読有り
アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用

岡本晃一, 立石和隆, 川元駿, 西田知句, 玉田薫, 船戸充, 川上養一

電子情報通信学会技術研究報告 115(331(LQE2015 100-122)) 2015年
(Al,Ga)N系半導体の物性予測に向けたGaNとAlNの物性定数の同定 (特集固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線)

石井良太, 船戸充, 川上養一

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 41(3) 138-145 2014年
A novel method for crystallizations of aluminum nitride (レーザ・量子エレクトロニクス)

WU PeiTsen, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(331) 51-55 2013年11月28日
A novel method for crystallizations of aluminum nitride (電子デバイス)

WU PeiTsen, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(329) 51-55 2013年11月28日
アルミニウムを用いたInGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強

立石和隆, XU Xiaoying, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 岡本晃一, 玉田薫

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th 2013年
Local photoluminescence properties of InGaN green laser structure on (0001) GaN substrate

A. Kaneta, T. Hira, Y.S. Kim, M. Funato, Y. Kawakami, T. Miyoshi, S.-I. Nagahama

Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO - Technical Digest 2013年査読有り
Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (レーザ・量子エレクトロニクス)

KIM Yoon Seok, KANETA Akio, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, MIYOSHI Takashi, NAGAHAMA Shin-ichi

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 112(329) 71-74 2012年11月22日
Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (電子部品・材料)

KIM Yoon Seok, KANETA Akio, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, MIYOSHI Takashi, NAGAHAMA Shin-ichi

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112(328) 71-74 2012年11月22日
Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (電子デバイス)

KIM Yoon Seok, KANETA Akio, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, MIYOSHI Takashi, NAGAHAMA Shin-ichi

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(327) 71-74 2012年11月22日
光学力の調整

Pedro Favuzzi, Ardavan Oskooi, 川上養一, 野田進

2012年第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月15日
光起電力素子の光電変換効率増大に向けたフォトニック結晶共振作用の最適化(V) 〜ランダム構造フォトニック結晶の導入〜

Ardavan Oskooi, Pedro Favuzzi, 田中良典, 重田博昭, 原潤一, 宮西晋太郎, 川上養一, 野田進

2012年第59回応用物理学関係連合講演会 2012年3月15日
Fabrication of photo-induced microstructure embedded inside ZnO crystal

Ishikawa, Yuichiro, Shimotsuma, Yasuhiko, Kaneta, Akio, Sakakura, Masaaki, Nishi, Masayuki, Miura, Kiyotaka, Hirao, Kazuyuki, Kawakami, Yoichi

LASER APPLICATIONS IN MICROELECTRONIC AND OPTOELECTRONIC MANUFACTURING (LAMOM) XVII,8243, pp. 82430N-82430N 2012年査読有り

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書籍等出版物

半極性・半極性面上新規高効率発光デバイスワイドギャップ半導体－あけぼのから最前線へー

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光, 電子デバイス第, 委員会編, 赤崎勇, 松波弘之 (担当:分担執筆)

培風館 2013年1月 (ISBN: 4563067873, 9784563067878)
フォトニックナノ構造の最近の進展, 第9章, pp.167-184

川上養一

シーエムシー出版 2011年
レアメタル便覧

足立吟也, 監修, 編集 (担当:分担執筆, 範囲:第18章2節)

丸善 2011年1月 (ISBN: 9784621082768)
窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性, 第2章, pp.104-118

川上養一, 船戸充

シーエムシー出版 2009年
発光と受光の物理と応用

川上養一 (担当:分担執筆)

培風館 2008年3月
Advances in Light Emitting Materials, Materials Science Forum, 590, pp.249-274

Kawakami, Y, Kaneta, A, Funato, M

Trans Tech Publications 2008年
Nitrides with Nonpolar Surfaces:Growth, Properties, and Devices edited by Tanya Paskova, pp.385-411

Fuanto, M, Kawakami, Y, Narukawa, Y, Mukai, T

Wiley-Vch Verlag GmbH & Co. KGaA 2008年
Low-Dimensional Nitride Semiconductors[Partial Collaboration]

川上養一

Oxford University Press, 2002年
Introduction to Nitride semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (jointly worked)

川上養一

Taylor & Francis, 2000年
Time-Resolved Spectroscopy of Excitonic Luminescence in Cubic ZnCdS Lattice Matched to GaAs

川上養一

Proc. 22nd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors,1/,305-308 1994年
Well width dependence of Stark effect in ZnSe-ZnCdSe multiple quantum well modulators

川上養一

Proc. 2nd Intern. Conf. on Thin Film Physics & Application,SPIE2364/,267-272 1994年
Sulfur-passivation pretreatment of GaAs surface for layer-by-layer growth and atomic layer epitaxy of ZnSe by MOMBE(jointly worked)

川上養一

Extended Abstracts of the 22th Intern. Conf. on Solid State Devices and Materials,897-900 1990年
Heavy-hole and light-hole excitions in ZnSe-ZnS_0.12Se_0.85 and ZnSe-ZnS strained-layer superlattices

川上養一

Proc. 19th Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors,479-483 1988年

講演・口頭発表等

Control of radiative recombination rate and polarization degree in nitride-based semiconductors

川上養一

the 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11) 2015年8月31日 Peking University,State Key Laboratory of Artificial Micorstructure and Mesoscopic Physics,National Key Laboratory of ASIC, HSRI,Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory
Radiative and nonradiative recombination processes in Al-rich AlGaN-based materials

川上養一

日本学術振興会第162委員会日独西ワークショップ 2015年7月12日日本学術振興会
Recombination dynamics in nitride semiconductors

川上養一

7th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2015年5月18日 APWS2015
InGaN系緑色レーザ構造の発光マッピングと光利得特性

川上養一

第356回蛍光体同学会講演会 2015年2月13日蛍光体同学会
窒化物半導体の光物性解明と制御 ‐波長フロンティア開拓に向けて‐

川上養一, 船戸充

電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会 2015年1月29日電子情報通信学会
GaN系発光デバイスの現状と展望

川上養一

日本真空学会産学連携委員会平成27年1月例会(第279回) 2015年1月20日日本真空学会
窒化物半導体の現状と将来展望

川上養一

日本真空学会関西支部平成27年度第1回講演会 2015年1月16日日本真空学会関西支部
GaN系混晶デバイスの構造設計

川上養一

第8回ワイドバンドギャップ半導体スクール 2014年10月25日日本学術振興会
高ピエゾ電場下でのキャリア再結合と発光デバイス

川上養一

研究会「限界光駆動系のコンセプトとめざす学理」 2014年8月22日
GaN系光デバイスの最前線

川上養一

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会あけぼのから最前線へ〜出版記念シンポジウム〜 2013年7月16日日本学術振興会
Semipolar faceting for InGaN-based polychromatic LEDs

CLEO:2013 2013年6月13日
Determination of deformation potentials in GaN and AlN for the design of strained AlGaN-based quantum structures

E-MRS 2013年5月28日
Impact of crystal orientation on InGaN-based efficient visible light emitters

Conf. on LED and its industrial application '13 2013年4月23日
ナノ光励起による窒化物半導体の発光機構解明と制御へのアプローチ

第60回応用物理学会関係連合講演会 2013年3月27日応用物理学会
白色LEDの現状と次世代デバイスへのアプローチ－テーラーメイド固体照明を目指して－

川上養一

京都光技術研究会第3回光ものづくりセミナー－LEDの進展と広がるアプリケーション－ 2012年12月19日京都中小企業事業継続支援センター
Epitaxial growth of AlN and related alloys

Collaborative Conf. on Crystal Growth 2012年12月11日
Approaches to efficient visible light emitters using semipolar InGaN quantum wells

IUMRS-Intern. Conf. in Asia 2012 2012年8月29日
窒化物半導体発光デバイスの現状と挑戦-光物性の理解と制御によるアプローチ-

応用物理学会応用電子物性分科会研究例会窒化物半導体光デバイスの最前線～デバイスと光物性～ 2012年6月14日
High quality AlGaN-based quantum wells for deep-ultraviolet emitters

16th Intern. Conf. on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 2012年5月22日
SNOM characterization on inhomogenity and defects in III-N alloy semiconductors

Intern. Workshop on SMART Energy Harvesting and Saving with III-Nitride Semiconductors "Frontier of Nitride Semiconductor Alloy Photonics" 2012年5月10日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

発光シンセサイザー：究極の発光デバイス創成を目指して

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究 2020年7月 - 2025年3月

川上養一, 船戸充, 石井良太, 岡本晃一
ScAlMgO4基板上へのInリッチInGaN系LEDの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2020年4月 - 2021年3月

川上養一, 船戸充, 石井良太
近接場分光（SNOM）による特異構造の発光機構解明と制御

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

川上養一, 船戸充, 石井良太
総括班

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

藤岡洋, 酒井朗, 川上養一, 小出康夫, 三宅秀人, 橋詰保
AlGaN系超高効率紫外発光素子の実現に向けたキャリア再結合過程の解明と制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2016年4月 - 2021年3月

船戸充, 川上養一
窒化物ナノ局在系の物性制御によるテーラーメイド光源の実現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2015年5月 - 2020年3月

川上養一, 船戸充, 石井良太, 岡本晃一
再利用が可能な基板上での窒化物半導体発光素子の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2018年3月

船戸充, 川上養一
深紫外近接場分光による超ワイドギャップ半導体の物性解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2015年4月 - 2016年3月

川上養一, 船戸充, 石井良太
近接場マルチプローブ分光の基盤技術開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2009年5月 - 2014年3月

川上養一, 船戸充, 岡本晃一, 岡本晃一
AlGaN/AlN量子井戸を用いた高効率深紫外発光素子の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2010年 - 2012年

川上養一, BANAL R.G.
InGaN系量子ディスクにおける再結合過程の解明と制御

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2010年 - 2011年

川上養一, BARDOUX R.C.
窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2006年 - 2011年

名西やす之, 吉川明彦, 天野浩, 岸野克巳, 川上養一, 荒木努, 船戸充, 赤崎勇, 佐々木昭夫, 高橋清, 西永頌
高In組成InGaNおよび高Al組成AlGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2006年 - 2010年

川上養一, 船戸充
新規半極性結晶面上での窒化物半導体緑色レーザの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2007年 - 2009年

船戸充, 川上養一
ナノ空間発光ダイナミクス計測の基盤技術開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2006年 - 2008年

川上養一, 船戸充, ミケレットルジェロ, ミケレットルジェロ
LED光源とサーモビューアによる手掌多汗症・胸部交感神経焼灼術の医療工学的検討

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2005年 - 2006年

伊藤和弘, 島田順一, 川上養一
顕微時間分光法による神経伝達物質ドーパミンの可視化技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2004年 - 2005年

川上養一, 金田昭男, 島田順一
近接場光学法による窒化物半導体ナノ構造の発光機構解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2003年 - 2005年

川上養一, 船戸充, 成田貴人, 藤田茂夫
手術用LEDゴーグルライトの演出性最適化の医療工学的検討

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2002年 - 2003年

島田順一, 川上養一
短波長材料における励起子局在化の空間制御と多波長発光の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2001年 - 2003年

藤田茂夫, 藤田静雄, 川上養一

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産業財産権

特許5548204 紫外線照射装置

岡本晃一, 船戸充, 川上養一, 片岡研, 羽田博成, 高椋健司
特許5733724 走査型プローブ顕微鏡及びそのプローブ近接検出方法

西村活人, 川上養一, 船戸充, 金田昭男, 橋本恒明
特許5286723 窒化物半導体レーザ素子

小島一信, 川上養一, 船戸充, 長濱慎一, 枡井真吾
特許5178993 発光装置

齊藤肇, 種谷元隆, 湯浅貴之, 田部勢津久, 川上養一
特許5192097 紫外線照射装置

川上養一, 船戸充, 大音隆男, R. G. Banal, 山口真典, 片岡研, 羽田博成
特許4805980 発光装置及び蛍光体

石田真也, 森岡達也, 花岡大介, 種谷元隆, 藤田茂夫, 川上養一, 原田雅史, 佐々木考友, 森勇介
特許4785363 蛍光体粒子、蛍光体粒子分散体ならびにこれらを含む照明装置および表示装置

森岡達也, 齊藤肇, 種谷元隆, 藤田茂夫, 藤田静雄, 川上養一, 船戸充, 原田雅史
特許4623643 光射出器及び光制御素子

川上養一, 鈴木文雄, 黒田剛正, 鈴木亜香
特許4637534 発光ダイオード素子およびその製造方法

成川幸男, 仁木勇, アクセルシェラー, 岡本晃一, 川上養一, 船戸充, 藤田茂夫
特許4572270 窒化物半導体素子およびその製造方法

成川幸男, 仁木勇, アクセルシェラー, 岡本晃一, 川上養一, 船戸充, 藤田茂夫
特許4614296 近接場光学顕微鏡装置

川上養一, 岡本晃一, 金田昭男, 藤田茂夫
特許4592457 赤色蛍光体およびこれを用いた発光装置

齊藤肇, 種谷元隆, 湯浅貴之, 田部勢津久, 川上養一
特許4488183 照明装置

島田順一, 川上養一, 山田元量, 加藤勝
特許4526339 発光体

齊藤肇, 藤田茂夫, 藤田静雄, 川上養一, 船戸充, 原田雅史
特許4502758 蛍光体およびその製造方法

両輪達也, 齊藤肇, 湯浅貴之, 種谷元隆, 藤田茂夫, 川上養一, 原田雅史
特許4452607 照明装置、フィルタ装置、画像表示装置

島田順一, 川上養一, 山田元量
特許4401264 蛍光体およびその製造方法ならびに発光装置

齊藤肇, 藤田茂夫, 藤田静雄, 川上養一, 船戸充, 原田雅史
特許4197109 照明装置

森岡達也, 石田真也, 花岡大介, 種谷元隆, 藤田茂夫, 藤田静雄, 川上養一
特許4124638 ＬＥＤ照明システム

島田順一, 川上養一, 藤田茂夫
特許3897110 発光装置

島田順一, 川上養一, 藤田茂夫, 長谷川靖哉, 柳田祥三, 和田雄二

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川上養一

基本情報

研究分野

学歴

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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