船戸充 (Mitsuru Funato) - マイポータル

基本情報

学位: 博士(工学)(京都大学)
工学修士

J-GLOBAL ID: 200901024972529707
researchmap会員ID: 1000027531

研究分野

経歴

2025年1月 - 現在

京都大学, 大学院工学研究科電子工学専攻, 特定教授
2007年9月 - 2024年12月

京都大学, 大学院工学研究科電子工学専攻, 准教授

学歴

受賞

2024年

日本結晶成長学会第41回論文賞, 日本結晶成長学会
2014年

第36回応用物理学会論文賞, 応用物理学会
2007年

第29回応用物理学会論文賞, 応用物理学会
2005年

Trophy Award (Best paper award), MRS
1998年

安藤博記念学術奨励賞

論文

257

Narrower Emission Spectra From Multicolor InGaN Quantum Wells Monolithically Integrated on Polyhedral‐Shaped GaN Templates

Yoshinobu Matsuda, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

Journal of the Society for Information Display 2025年10月
Reduction in surface defects on red-emitting InGaN quantum wells by using vicinal GaN (0001) surfaces

Yoshinobu Matsuda, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

Applied Physics Letters 2025年7月14日
Nanoscopic structural and emission properties of red InGaN hybrid single quantum wells

ZZ Zhang, R Ishii, K Shojiki, M Funato, D Iida, K Ohkawa, Y Kawakami

APPLIED PHYSICS LETTERS 126(24) 242104 2025年6月査読有り
Nanoscopic structural and optical investigations on blue InGaN single quantum wells serving as layers beneath efficient red active layers

Zhaozong Zhang, Ryota Ishii, Kanako Shojiki, Mitsuru Funato, Kazuhiro Ohkawa, Daisuke Iida, Yoichi Kawakami

Journal of Applied Physics 137(5) 2025年2月3日
Correlated photoluminescence blinking phenomenon on InGaN/GaN nanopillar structures

K. Oikawa, K. Okamoto, M. Funato, Y. Kawakami, R. Micheletto

Applied Physics Letters 125(24) 2024年12月9日
InGaN/GaN量子井戸における誘電体薄膜と紫外レーザー照射による緑色発光増強

三戸田健太, 藤岡宏輔, 上田直毅, 松山哲也, 和田健司, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一

レーザー学会研究会報告 = Reports the on topical meeting of the Laser Society of Japan RTM24(41-46) 21-24 2024年12月査読有り
Investigation of spin-orbit torque efficiency in CuBi alloys

K Tatsuoka, M Aoki, M Funato, R Ohshima, Y Ando, M Shiraishi

PHYSICAL REVIEW B 110(9) 094419 2024年9月査読有り
High-efficiency green light emission from InGaN/GaN using localized surface plasmon resonance tuned by combination of Ag nanoparticles and dielectric thin film

Y Kame, S Kaito, T Matsuyama, K Wada, M Funato, Y Kawakami, K Okamoto

OPTICS EXPRESS 32(12) 21389-21399 2024年6月査読有り
An Approach Toward Broader Emission Bands in Semipolar InGaN Quantum Wells on Convex Lens-Shaped GaN Microstructures via Lower-Temperature Growth

S Fukushige, Y Matsuda, M Funato, Y Kawakami

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 2024年6月査読有り
Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy of High-Quality GaN on Al-Pretreated Sapphire Substrates Without Using Low-Temperature Buffer Layers

K Takemura, T Fukui, Y Matsuda, M Funato, Y Kawakami

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 2024年5月査読有り
Spontaneously Integrated Multicolor InGaN Micro-Light-Emitting Diodes for Spectrum-Controllable Broadband Light Sources

Y Matsuda, H Miyawaki, M Funato, Y Kawakami

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS 2024年5月査読有り
Correlative Micro‐Photoluminescence Study on Hybrid Quantum‐Well InGaN Red Light‐Emitting Diodes

Zhaozong Zhang, Ryota Ishii, Kanako Shojiki, Mitsuru Funato, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Yoichi Kawakami

physica status solidi (b) 2024年4月25日
Confinement of Excitons within GaN 1D Nanoarchitectures Formed on AlN Molecular Steps

M Funato, H Kobayashi, Y Kawakami

ADVANCED OPTICAL MATERIALS 12(12) 2024年4月査読有り
Radiative and Nonradiative Recombination Processes in AlGaN Quantum Wells on Epitaxially Laterally Overgrown AlN/Sapphire from 10 to 500 K

Ryota Ishii, Shiki Tanaka, Norman Susilo, Tim Wernicke, Michael Kneissl, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

physica status solidi (b) 2024年3月22日
Deep‐Ultraviolet Luminescence Properties of AlN

Ryota Ishii, Akira Yoshikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 2024年3月17日
自在制御された三次元構造に基づくInGaN系多色発光LED

松田祥伸, 船戸充, 川上養一

日本結晶成長学会誌 51(2) n/a 2024年査読有り
A review of three-dimensional structure-controlled InGaN quantum wells for efficient visible polychromatic light emitters

Mitsuru Funato, Yoshinobu Matsuda, Yoichi Kawakami

Semiconductor Science and Technology 39(1) 013002 2024年1月1日査読有り
自在制御された三次元構造に基づくInGaN系多色発光LED

松田祥伸, 船戸充, 川上養一

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 51(2) 1-10 2024年査読有り
Anisotropic emission wavelength distribution of semipolar InGaN quantum wells on symmetric convex lens-shaped GaN microstructures

Yoshinobu Matsuda, Atsushi Sakaki, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

Applied Physics Letters 123(24) 241105 2023年12月11日査読有り
Flexible topographical design of light-emitting diodes realizing electrically controllable multi-wavelength spectra

Y Matsuda, R Umemoto, M Funato, Y Kawakami

SCIENTIFIC REPORTS 13(1) 12665 2023年8月査読有り

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MISC

深紫外CW・時間分解PL分光法による¹²C/¹³C超格子の光学特性評価

石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年
プラズモニクスによるInGaN/GaN量子井戸の発光増強の顕微フォトルミネセンスマッピング

岡本晃一, 立石和隆, WANG Pangpang, 龍崎奏, 船戸充, 川上養一, 玉田薫

プラズモニクスシンポジウム 15th 2018年
深紫外CWレーザにより生成したダイヤモンド結晶中の極低温励起子に対する同位体効果

石井良太, 鹿田真一, 寺地徳之, 神田久生, 渡邊幸志, 船戸充, 川上養一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
顕微蛍光マッピングによる表面プラズモン発光増強の評価

立石和隆, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田薫

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
InGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強現象の空間分解評価

立石和隆, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 玉田薫

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年
Enhanced radiative recombination probability in AlGaN quantum wires on (0001) vicinal surface

Minehiro Hayakawa, Yuki Hayashi, Shuhei Ichikawa, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 9926 2016年査読有り
アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用

岡本晃一, 立石和隆, 川元駿, 西田知句, 玉田薫, 船戸充, 川上養一

電子情報通信学会技術研究報告 115(331(LQE2015 100-122)) 2015年
(Al,Ga)N系半導体の物性予測に向けたGaNとAlNの物性定数の同定 (特集固体紫外光源を目指した窒化物半導体結晶成長の最前線)

石井良太, 船戸充, 川上養一

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 41(3) 138-145 2014年
A novel method for crystallizations of aluminum nitride (レーザ・量子エレクトロニクス)

WU PeiTsen, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(331) 51-55 2013年11月28日
アルミニウムを用いたInGaN系量子井戸の表面プラズモン発光増強

立石和隆, XU Xiaoying, 船戸充, 川上養一, 岡本晃一, 岡本晃一, 玉田薫

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th 2013年
Local photoluminescence properties of InGaN green laser structure on (0001) GaN substrate

Akio Kaneta, Takayuki Hira, Yoon Seok Kim, Mitsuru Funato, Yoichi Kawakami, Takashi Miyoshi, Shin-Ichi Nagahama

Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO - Technical Digest 2013年査読有り
Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (レーザ・量子エレクトロニクス)

KIM Yoon Seok, KANETA Akio, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, MIYOSHI Takashi, NAGAHAMA Shin-ichi

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 112(329) 71-74 2012年11月22日
Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (電子部品・材料)

KIM Yoon Seok, KANETA Akio, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, MIYOSHI Takashi, NAGAHAMA Shin-ichi

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112(328) 71-74 2012年11月22日
Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates (電子デバイス)

KIM Yoon Seok, KANETA Akio, FUNATO Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, MIYOSHI Takashi, NAGAHAMA Shin-ichi

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(327) 71-74 2012年11月22日
蛍光体フリー多色LED : テイラーメイド光源の実現に向けて (特集 LEDと照明)

船戸充, 川上養一

ディスプレイ 18(2) 51-56 2012年2月
Optical gain spectra in semipolar {2021} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs (電子部品・材料)

Kim Yoon Seok, Kaneta Akio, Funato Mitsuru, Kawakami Yoichi, Kyono Takashi, Ueno Masaki, Nakamura Takao

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(291) 99-102 2011年11月17日
Optical gain spectra in semipolar {2021} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs (レーザ・量子エレクトロニクス)

Kim Yoon Seok, Kaneta Akio, Funato Mitsuru, KAWAKAMI Yoichi, KYONO Takashi, UENO Masaki, NAKAMURA Takao

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 111(292) 99-102 2011年11月10日
蛍光体フリー白色・多色発光ダイオードの開発

船戸充, 川上養一

応用物理 80(4) 309-313 2011年4月10日査読有り
電子線励起したＡｌＧａＮ／ＡｌＮ量子井戸からの１００ｍＷ深紫外発光

大音隆男, BANAL Ryan G, 片岡研, 船戸充, 川上養一

電子情報通信学会技術研究報告 110(271(ED2010 142-157)) 37-40 2010年11月4日
空間時間分解ＰＬによるＩｎＧａＮ／ＧａＮ単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価―ＳＮＯＭによるＥｆｆｉｃｉｅｎｃｙｄｒｏｏｐ機構の解明―

橋谷享, 金田昭男, 船戸充, 川上養一

電子情報通信学会技術研究報告 110(271(ED2010 142-157)) 33-36 2010年11月4日

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所属学協会

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

InリッチInGaNによるScAlMgO4基板上での可視長波長LEDの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2021年4月 - 2025年3月

船戸充, 石井良太
発光シンセサイザー：究極の発光デバイス創成を目指して

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究 2020年7月 - 2025年3月

川上養一, 船戸充, 石井良太, 岡本晃一
ScAlMgO4基板上へのInリッチInGaN系LEDの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2020年4月 - 2021年3月

川上養一, 船戸充, 石井良太
近接場分光（SNOM）による特異構造の発光機構解明と制御

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

川上養一, 船戸充, 石井良太
AlGaN系超高効率紫外発光素子の実現に向けたキャリア再結合過程の解明と制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2016年4月 - 2021年3月

船戸充, 川上養一
窒化物ナノ局在系の物性制御によるテーラーメイド光源の実現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2015年5月 - 2020年3月

川上養一, 船戸充, 石井良太, 岡本晃一
再利用が可能な基板上での窒化物半導体発光素子の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2018年3月

船戸充, 川上養一
深紫外近接場分光による超ワイドギャップ半導体の物性解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2015年4月 - 2016年3月

川上養一, 船戸充, 石井良太
近接場マルチプローブ分光の基盤技術開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2009年5月 - 2014年3月

川上養一, 船戸充, 岡本晃一, 岡本晃一
窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2006年 - 2011年

名西やす之, 吉川明彦, 天野浩, 岸野克巳, 川上養一, 荒木努, 船戸充, 赤崎勇, 佐々木昭夫, 高橋清, 西永頌
高In組成InGaNおよび高Al組成AlGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2006年 - 2010年

川上養一, 船戸充
新規半極性結晶面上での窒化物半導体緑色レーザの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2007年 - 2009年

船戸充, 川上養一
ナノ空間発光ダイナミクス計測の基盤技術開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2006年 - 2008年

川上養一, 船戸充, ミケレットルジェロ, ミケレットルジェロ
近接場光学法による窒化物半導体ナノ構造の発光機構解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2003年 - 2005年

川上養一, 船戸充, 成田貴人, 藤田茂夫
超微細ナノドット・ナノロッド・ナノラインの新しい超精密配列制御技術の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2003年 - 2004年

藤田静雄, 船戸充
ワイドギャップ半導体における非輻射再結合機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2000年 - 2002年

川上養一, 上野山雄, 船戸充, 藤田茂夫, 岡本晃一
表面エネルギー変調エピタキシーによる半導体不整合系へテロ構造の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 1999年 - 2000年

船戸充, 藤田静雄
量子ドット閉じこめ励起子分子を用いた発光素子の基礎研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 1998年 - 2000年

藤田茂夫, 川上養一, 藤田静雄, 船戸充
II-VI/III-V異族半導体多層構造に関する研究

1990年 - 2000年
Study on II-VI/III-V hetero-valent multilayered structures

1990年 - 2000年

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船戸充

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