村上正紀 (Masanori Murakami) - マイポータル

基本情報

所属: 立命館大学立命館グローバル・イノベーション研究機構研究顧問 (特別研究フェロー)

学位: 工学博士(京都大学)

J-GLOBAL ID: 200901023509349957
researchmap会員ID: 1000027590

研究キーワード

金属薄膜材料特性、界面工学、化合物半導体デバイス用の電極材料開発、配線材料開発

研究分野

経歴

2022年4月 - 現在

立命館大学特別研究フェロー, 立命館グローバル・イノベーション研究機構
2019年4月 - 2022年3月

立命館大学学長特別補佐理事補佐
2015年 - 2018年

立命館大学特別招聘研究教授・理事補佐
2007年 - 2014年

学校法人立命館副総長・京都大学名誉教授
1990年 - 2007年

京都大学大学院工学研究科材料工学専攻教授
1983年 - 1990年

米国IBMワトソン中央研究所薄膜材料部門マネジャー [国外]
1975年 - 1983年

米国IBMワトソン中央研究所研究員 [国外]
1971年 - 1975年

米国カリフォルニア大学ロサンゼルス校（UCLA）研究員 [国外]

学歴

委員歴

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受賞

論文

262

海外留学の勧め

村上正紀

草津市立教育研究所研究所だより 93 2015年1月
学生時代に届かなかった1通のＡｉｒＭａｉｌが恵んでくれた我が研究人生！

村上正紀

応用物理 84(2) 102-108 2015年
Low-Temperature Synthesis of High-Adhesion Cu(Mg) Alloy Films on Glass Substrates

Kazuhiro Ito, Keiji Hamasaka, Kazuyuki Kohama, Yasuharu Shirai, Masanori Murakami

Journal of Electronic Materials 43(7) 2540-2547 2014年5月査読有り
科学・技術立国に不可欠な人材育成について－日米を比較して考える－

村上正紀

学術の動向 19(2) 26-34-34 2014年2月
総合討論「材料工学が目指す人材とは」

早稲田嘉夫, 黒田光太郎, 村上正紀, 細野秀雄

学術の動向 19(2) 40-47-47 2014年2月
今こそ100年先を見据えた教育ビジョンの真剣な議論を！

村上正紀

Harima Quarterly 119 2-5 2014年
接合界面での反応を利用したp型Ti基酸化物導電膜の作製

小濱和之, 伊藤和博, 林徳樺, 白井泰治, 村上正紀

溶接学会全国大会講演概要 2014 282-283 2014年
人と馬の走る速さの世界記録の変遷から学ぶべきことは何か？

村上正紀

応用物理第82巻第8号 659-660 2013年
“Oxygen-Induced Barrier Failure in Ti-Based Self-Formed and Ta/TaN Barrier for Cu Interconnects”

K. Ito, K. Kohama, K. Hamasaka, Y. Sonobayashi, N. Sasaki, Y. Shirai, M. Murakami

Japanese Journal of Applied Physics 51(4) 04DB06-1-B06-5 2012年4月
” Role of Cu Film Texture in Grain Growth Correlated with Twin Boundary Formation”

K. Kohama, K. Ito, T. Matsumoto, Y. Shirai, M. Murakami

Acta Materialia 60(2) 588-595 2012年1月
Structure Analyses of Ti-Based Self-Formed Barrier Layers

Kazuyuki Kohama, Kazuhiro Ito, Yutaka Sonobayashi, Kazuyuki Ohmori, Kenichi Mori, Kazuyoshi Maekawa, Yasuharu Shirai, Masanori Murakami

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(4) 04DB03-1-B03-5 2011年4月
” Growth of Ti-Based Interface Layer in Cu(Ti)/Glass Samples”

S. Uehara, K. Ito, K. Kohama, T. Onishi, Y. Shirai, M. Murakami

Materials Transactions 52(3) 491-497 2011年3月
”日本のものづくりのグローバル化～近江商人から学ぶ～”

村上正紀

化学と工業 64(64-1) 1-1 2011年
“Globalization of Japanese manufacturing: Back to Sprits of Oumi Merchants”

M. Murakami

Chemistry & Chemical Industry, (64-1) 62 2011年
”電子材料と共に歩んだ３０年間“

村上正紀

まてりあ 50(50) 199-204-204 2011年
Resistivity Reduction and Adhesion Increase Induced by Surface and Interface Segregation of Ti Atoms in Cu(Ti) Alloy Films on Glass Substrates

Shuji Uehara, Kazuhiro Ito, Kazuyuki Kohama, Takashi Onishi, Yasuharu Shirai, Masanori Murakami

MATERIALS TRANSACTIONS 51(9) 1627-1632 2010年9月
Ti-Rich Barrier Layers Self-Formed on Porous Low-k Layers Using Cu(1 at.% Ti) Alloy Films

Kazuhiro Ito, Kazuyuki Kohama, Tomohisa Tanaka, Kenichi Mori, Kazuyoshi Maekawa, Yasuharu Shirai, Masanori Murakami

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 39(8) 1326-1333 2010年8月
Performance of Cu Dual-Damascene Interconnects Using a Thin Ti-Based Self-Formed Barrier Layer for 28 nm Node and Beyond

Kazuyuki Ohmori, Kenichi Mori, Kazuyoshi Maekawa, Kazuyuki Kohama, Kazuhiro Ito, Takashi Ohnishi, Masao Mizuno, Koyu Asai, Masanori Murakami, Hiroshi Miyatake

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49(5) 2010年5月
A key of self-formed barrier technique for reliability improvement of Cu dual damascene interconnects

Kazuyuki Ohmori, Kenichi Mori, Kazuyoshi Maekawa, Kazuyuki Kohama, Kazuhiro Ito, Takashi Ohnishi, Masao Mizuno, Masahiko Fujisawa, Masanori Murakami, Hiroshi Miyatake

2010 IEEE International Interconnect Technology Conference, IITC 2010 2010年
Characterization of self-formed Ti-based barrier layers in Cu(Ti)/dielectric-layer samples using x-ray photoelectron spectroscopy

Kazuyuki Kohama, Kazuhiro Ito, Yutaka Sonobayashi, Kenichi Mori, Kazuyoshi Maekawa, Yasuharu Shirai, Masanori Murakami

2010 IEEE International Interconnect Technology Conference, IITC 2010 318 2010年

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MISC

ガラス基板上への高密着Cu膜の低温接合

伊藤和博, 小濱和之, 浜坂啓司, 白井泰治, 村上正紀

溶接学会全国大会講演概要 93 346-347 2013年8月12日
ITO透明導電膜に対するCu合金配線の接触抵抗低減

伊藤和博, 中川渉, 大西隆, 白井泰治, 村上正紀

溶接学会全国大会講演概要 92 44-45 2013年3月21日
スパッタCu膜の室温粒成長に及ぼすCu膜配向性とバリアの影響

小濱和之, 松本卓也, 伊藤和博, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要(CD−ROM) 149th ROMBUNNO.POSUTASESSHON,159 2011年10月20日
Cu合金/ITO界面接触抵抗の低減

中川渉, 伊藤和博, 大西隆, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要(CD−ROM) 149th ROMBUNNO.POSUTASESSHON,155 2011年10月20日
Ti基自己形成バリアにおけるバリア性の雰囲気依存性

小濱和之, 浜坂啓司, 薗林豊, 伊藤和博, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要 148th 162 2011年4月20日
Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性

小濱和之, 伊藤和博, 薗林豊, 大森和幸, 森健壹, 前川和義, 白井泰治, 村上正紀

(一社)電子情報通信学会信学技報 110(408) 31-35 2011年2月
高密着Cu(Ti)/ガラス界面形成のためのTiの界面偏析とガラスとの反応

上原脩司, 伊藤和博, 大西隆, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要 147th 242 2010年9月25日
SiC半導体用Ni/Al電極での界面伝導に及ぼすNi₂Si(Al)の電気的特性の影響

中川渉, 本橋雄介, 伊藤和博, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要 147th 367 2010年9月25日
Cu薄膜中の双晶形成に及ぼすバリアの影響

小濱和之, 山本将貴, 伊藤和博, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要 147th 98 2010年9月25日
Cu(Ti)合金膜を用いたガラス基板上での反応生成層の同定と抵抗率低減

上原脩司, 上原脩司, 伊藤和博, 大西隆, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要 146th 279 2010年3月28日
Cu(Ti)合金膜/誘電体層界面における自己形成バリア層中の非晶質Ti化合物の同定

小濱和之, 小濱和之, 伊藤和博, 薗林豊, 森健壹, 前川和義, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要 146th 278 2010年3月28日
ポーラスLow‐k上のCu(Ti)合金膜における拡散バリア層自己形成

小濱和之, 田中智久, 伊藤和博, 森健壹, 前川和義, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要 145th 80 2009年9月15日
ガラス基板上Cu(Ti)合金膜の低抵抗化に及ぼすTi濃度の影響

上原脩司, 伊藤和博, 大西隆, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要 145th 78 2009年9月15日
p,n‐SiC両伝導型にオーミック性を示すNi/Al電極のAl層厚の熱処理温度依存性

本橋雄介, 武田英久, 伊藤和博, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要 144th 293 2009年3月28日
ラザフォード後方散乱法によるCu(Ti)合金膜を用いたバリア層自己形成の活性化エネルギー

小濱和之, 佐藤大樹, 伊藤和博, 森健壹, 前川和義, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要 144th 306 2009年3月28日
TiNバッファ層の選択的酸溶解を用いたGaN層の剥離技術の開発

池袋哲史, 武田英久, 本橋雄介, 伊藤和博, 池本由平, 平田宏治, 村上正紀

日本金属学会講演概要 143rd 352 2008年9月23日
透明導電性酸化物を用いた波長帯制御型高反射ミラー薄膜材の開発

着本享, 薗川裕美, 伊藤和博, 村上正紀

日本金属学会講演概要 143rd 348 2008年9月23日
薄膜の表皮効果によるCu(Ti)合金薄膜の低抵抗化に及ぼす試料作製条件の影響

佐藤大樹, 小濱和之, 伊藤和博, 大西隆, 森健壹, 前川和義, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要 143rd 358 2008年9月23日
Cu(Ti)合金薄膜における自己組織化拡散バリア層成長の初期Ti濃度依存性

小濱和之, 佐藤大樹, 伊藤和博, 森健壹, 前川和義, 白井泰治, 村上正紀

日本金属学会講演概要 143rd 472 2008年9月23日
低濃度Cu(Ti)合金薄膜における自己組織化拡散バリア層形成反応の基板依存性

小濱和之, 小濱和之, 佐藤大樹, 佐藤大樹, 伊藤和博, 着本享, 森健壹, 前川和義, 浅井考祐, 村上正紀

日本金属学会講演概要 142nd 253 2008年3月26日

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書籍等出版物

ナノ蒸着オーム性電極材の形成技術

村上正紀

「ナノメタルの最新技術と応用技術」シーエムシー社 2003年8月
半導体ー金属電極間の傾斜材料

村上正紀

「傾斜機能材料の開発と応用」リアライズ社 2003年
Development of Refractory Ohmic Contact Materials for Gallium Arsenide CompoundSemiconductors

M. Murakami

Sci.Technol.Adv.Mater 2002年
Ohmic Contacts for Compound Semiconductors

M. Murakami, Y. Koide

Cri, Rev.Sol.Stat.Mater.Sci. 1998年
Cu配線用スパッタ蒸着バリア材

森英嗣, 村上正紀

「Cu配線技術の最新の展開」リアライズ社 1998年
薄膜作製と応用ハンドブック

小出康夫, 村上正紀

「導電体薄膜～金属」第２章 1995年
Ohmic Contacts to GaAs and Other III-V Compounds : Correlation of Microstructure with Electrical Properties, in Book Chapter Contacts to Semiconductors

E. D. Marshall, M. Murakami

Ed. L. J. Brillson, Noyes Publications 1993年
Ohmic Contacts to GaAs and Other III-V Compounds : Correlation of Microstructure with Electrical Properties, in Book Chapter Contacts to Semiconductors

E. D. Marshall, M. Murakami

Noyes Publications 1993年
Development of Ohmic Contact Materials for GaAs Integrated Circuits

M. Murakami

Materials Science Reports 5 1990年
Development of Ohmic Contact Materials for GaAs Integrated Circuits

M. Murakami

Materials Science Reports 5 1990年
Interface Between Ohmic Contacts and GaAs, in International Workshop on the Science of Superconductivity and New Materials

M. Murakami, H. J. Kim, W. H. Price, Y. C. Shih

Ed. S. Nakajima, World Scientific Publisting Co 1989年
X-ray Diffraction Analysis of Interdiffusion in Thin Films

M. Murakami, A. Segmuller, K. N. Tu

Treatise on Materials Science and Technology,Eds.K.N.Tu and R.Rosenberg 1988年
Thermal Stability of Pb Alloy Films Used in Josephson Junction Electrode, in diffusion Phenomena in Thin Films and Microelectronic Materials

M. Murakami

Ed.D.Gupta and P.S.Ho,Noyes PubLication,New Jersey 1988年
X-ray Diffraction Analysis of Strains and Stresses in Thin Films

A. Segmuller, M. Murakami

Treatise on Materials Science and Technology, Eds. K. N. Tu and R. Rosenberg 1988年
Thermal Stability of Pb Alloy Films Used in Josephson Junction Electrode, in diffusion Phenomena in Thin Films and Microelectronic Materials

M. Murakami

Noyes PubLication,New Jersey 1988年
Characterization of Thin Films by X-ray Diffraction, in Thin Films From Free Atoms and Particles

A. Segmuller, M. Murakami

Ed. K. J. Klabunde(Academic Press) 1985年
Strain Relaxation Mechanisms of Thin Deposit Fi1ms

M. Murakami

CRC Critical Reviews in Solid State and Material Sciences, 11 1984年
Strain Relaxation Mechanisms of Thin Deposit Fi1ms

M. Murakami

CRC Critical Reviews in Solid State and Material Sciences 1984年
Mechanical Properties of Thin Films on Substrates

M.Murakami, T.S.Kuan, I.A.Blech

Treatise on Materials Science and Technology,Ed.H.Herman,24 1982年

共同研究・競争的資金等の研究課題

薄膜合金材料の表皮効果を用いた新複合材料の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2006年 - 2007年

伊藤和博, 村上正紀, 着本享, 伊藤和博
「自然順応ナノ材料の創成」高性能LED用の代替透明電極材料の開発

財団法人京都高度技術研究所 2006年 - 2006年
「薄膜・微粒子技術の産業化」高性能LED創成に向けた要素技術の開発

財団法人京都高度技術研究所 2005年 - 2005年
STP解析法を用いたワイドギャップ化合物半導体用のオーム性電極材料の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2003年 - 2005年

村上正紀, 酒井明, 黒川修, 伊藤和博, 着本享, 守山実希
次世代Siデバイス用超微細Ｃｕ配線材料に関する主影響解明ならびに材料学的本質的解決手法の確立にかかわる研究

財団法人金属系材料研究開発センター 2001年 - 2005年
省エネ型高精度マイクロ流量センサーの開発

近畿経済産業局 2003年 - 2004年
ULSIデバイス用Cu機能性配線材料における特異なボイド形成機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2001年 - 2002年

守山実希, 村上正紀
生体医療用の高感度半導体放射線検出器の電極材料の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2001年 - 2002年

村上正紀, 守山実希
超低損失電力素子技術開発基板技術開発SiCへの低抵抗オーム性電極材料の開発

財団法人新機能素子研究開発協会 1999年 - 2002年
水素吸蔵金属とGaN半導体の接合界面における水素の挙動

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2000年 - 2001年

小出康夫, 守山実希, 村上正紀
半導体微細配線材料ボイドに関するデータ整備

財団法人大阪科学技術センター 2000年 - 2000年
結晶-電極の界面組成分析

財団法人南西地域産業活性化センター 2000年 - 2000年
ガリウム・ヒ素化合物半導体用の超新機能電極材料の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 1998年 - 2000年

村上正紀, 森英嗣, 松原英一郎, 小出康夫, 守山実希
ダイヤモンドによる次世代電子エミッターの開発

日本学術振興会未来開拓学術研究推進事業研究プロジェクト 1996年 - 2000年
非鉄金属系材料の基礎物性等に係るデータベースの整備

財団法人大阪科学技術センター付属ニューマテリアルセンター 1998年 - 1998年
ディプレイ用電子放出素子の電極界面物性

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 1997年 - 1998年

小出康夫, 森英嗣, 村上正紀
次世代Siデバイス用のCu配線材料の開発

新日本製鐵株式会社公募事業 1997年 - 1998年
化合物半導体の新機能電極材料の開発＜ナノ・スケール界面構造の構築＞

新エネルギー・産業技術総合開発機構プロジェクト 1996年 - 1998年
フルカラー発光素子の高機能電極材料の発掘

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1996年 - 1997年

村上正紀, 森英嗣, 小出康夫, 奥健夫
金属／化合物半導体界面における電気特性及び微細構造に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 1995年 - 1996年

奥健夫, 小出康夫, 村上正紀

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産業財産権

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