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西谷 滋人
ニシタニ シゲト (Shigeto R Nishitani)
更新日: 02/02
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産業財産権
産業財産権
3
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20件
20件
50件
100件
特許5213095 単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板
金子忠昭, 西谷滋人
特許5213096 単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板
金子忠昭, 西谷滋人
特許1946422 TiAlの圧延加工法
山口正治, 西谷滋人, 中村敦
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