奥山雅則 (Okuyama Masanori) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻教授

学位: 工学博士(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901032848381672
researchmap会員ID: 1000030007

研究分野

3

経歴

4

2006年 - 2007年

京都大学大学院工学研究科非常勤講師
1986年 - 1991年

Osaka University, Faculty of Engineering Science, Department of Electrical Engineering, Associate Professor
1991年

- Osaka University Graduate School of Engineering Science, Department of Physical Science, Professor
1974年 - 1986年

Osaka University, Faculty of Engineering Science, Department of Electrical Engineering, Research Associate

学歴

4

委員歴

5

受賞

6

2008年

MRS 2007 Fall Meeting Gratefully Recognizes the Contributions
2008年

MRS 2007 Fall Meeting Gratefully Recognizes the Contributions
2006年

JJAP論文賞
2003年

大阪商工業周年記念表彰
2000年

電気学会論文発表賞
1991年

Pioneering Contribution to Integrated Ferroelectrics

MISC

270

Characteristics improvement of HfO(2)/Ge gate stack structure by fluorine treatment of germanium surface

Hyun Lee, Dong Hun Lee, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama

APPLIED SURFACE SCIENCE 254(21) 6932-6936 2008年8月
PLZT薄膜を用いたチューナブルフォトニック結晶光学フィルター

2008年
Ge表面フッ素処理の分子軌道法による理論解析

2008年
窒素ラジカル処理と短時間SrBi2Ta2O9アニールによるMFIS構造の電気的特性改善

2008年
BST/SiONの高誘電体-絶縁体接合を用いた界面伝導FETの電気的特性

2008年
Ge表面フッ素処理効果の分子軌道法による理論解析(II)

2008年
フッ素処理によるHfO2/Geゲートスタック特性の改善

2008年
Ba0.6,Sr0.4TiO3/Au/Cr/(Ba0.6,Sr0.4)TiO3構造を用いたマイクロ波帯コプレーナ型チューナブルデバイス

2008年
Theoretical analysis of fluorine-passivated germanium surface for high-k/Ge gate stack by molecular orbital method

2008年
PLZT薄膜を用いたチューナブルフォトニック結晶フィルター

2008年
Sr, Zn置換したBiFeO₃薄膜のPLDによる作製と評価

2008年
LaドープSrTiO3基板上に作製したエピタキシャルBiFeO3薄膜の誘電特性

2008年
放射光を用いた時分割X線回折による多結晶BiFeO3薄膜の電界誘起歪測定

2008年
Detection of Normal and Shear Stresses by Tactile Sensors with Piezoresistive Micro-cantilever and Elastomer

2008年
Preparation and characterization of hafnium silicate dielectric layers by photo-assisted MOCVD using mixed precursor of Hf(O-t-C4H9)(4) and Si(O-t-C4H9)(4)

Hyun Lee, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama

INTEGRATED FERROELECTRICS 97 103-110 2008年
X-ray diffraction study of polycrystalline BiFe O3 thin films under electric field

Seiji Nakashima, Osami Sakata, Yoshitaka Nakamura, Takeshi Kanashima, Hiroshi Funakubo, Masanori Okuyama

Applied Physics Letters 93(4) 2008年
Theoretical analysis of fluorine-passivated germanium surface for high-k/Ge gate stack by molecular orbital method

2008年
Fixed-Oxide-Charge Characterization by Photoreflectance Spectroscopy in HfO(2) on Ge treated by Fluorine

T. Kanashima, H. Lee, Y. Mori, H. Imajo, M. Okuyama

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 3: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 16(10) 699-705 2008年
放射光によるSi極表面直接酸・窒化膜の電気的特性

2007年
Preparation of HfO2 Thin Films by Using Photoassisted MOCVD and Their Characterization by Using Photoreflectance Spectroscopy

Journal of the Korean Physical Society Vol. 51, pp. 772-775 2007年

もっとみる

所属学協会

12

Works(作品等)

55

もっとみる

共同研究・競争的資金等の研究課題

11

産業財産権

9