垣内弘章 (Hiroaki Kakiuchi) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学大学院工学研究科准教授

学位: 修士(工学)(大阪大学)
博士(工学)(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901028006942571
researchmap会員ID: 1000030588

外部リンク: http://www.prec.eng.osaka-u.ac.jp

研究分野

経歴

2020年4月 - 現在

大阪大学工学研究科物理学系専攻, 准教授
2001年8月 - 現在

大阪大学大学院工学研究科助教授
1998年4月 - 現在

大阪大学大学院工学研究科助手
1991年4月 - 現在

大阪大学工学部助手
2007年4月 - 2020年3月

大阪大学工学研究科精密科学・応用物理学専攻, 准教授
2001年8月 - 2007年3月

大阪大学工学研究科精密科学・応用物理学専攻, 助教授
1991年 - 2001年

大阪大学助手
1991年 - 2001年

Osaka University, Research Associate
2001年

- 大阪大学助教授
2001年

- Osaka University, Associate Proffesor

学歴

受賞

2015年11月

Poster award of excellence, Taiwan Association for Coatings and Thin Films Technology

H.Takemoto, Y. Ishikawa, H. Kakiuchi, K. Yasutake, H. Ohmi
2004年3月

精密工学会沼田記念論文賞, 社団法人精密工学会

森勇藏, 芳井熊安, 安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 和田勝男
2003年10月

2003年度精密工学会秋季大会学術講演会ベストオーガナイザー賞「機能性薄膜」, 精密工学会

安武潔, 垣内弘章
1994年

1994年度精密工学会関西支部講演論文賞
1992年8月

精密工学会関西支部講演論文賞, 精密工学会

垣内弘章

主要な論文

211

Investigation of deposition characteristics and properties of high-rate deposited silicon nitride films prepared by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

H. Kakiuchi, Y. Nakahama, H. Ohmi, K. Yasutake, K. Yoshii, Y. Mori

Thin Solid Films 479 (2005) 17-23 479(1-2) 17-23 2005年4月査読有り
Characterization of intrinsic amorphous silicon layers for solar cells prepared at extremely high rates by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

H. Kakiuchi, M. Matsumoto, Y. Ebata, H. Ohmi, K. Yasutake, K. Yoshii, Y. Mori

Journal of Non-Crystalline Solids 351 (2005) 741-747 351(8-9) 741-747 2005年4月査読有り
High-Rate Deposition of Intrinsic Amorphous Silicon Layers for Solar Cells using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure

Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Yasuhito Kuwahara, Mitsuhiro Matsumoto, Yusuke Ebata, Kiyoshi Yasutake, Kumayasu Yoshii, Yuzo Mori

Extended Abstracts of the 2005 International Conference on Solid State Devices and Materials 45(4) 3587-3591 2005年9月
Effect of hydrogen on the structure of high-rate deposited SiC on Si by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition using high-power-density condition

H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Aketa, K. Yasutake, K. Yoshii, Y. Mori

Thin Solid Films 496(2) 259-265 2006年2月査読有り
Structural Characterization of Polycrystalline 3C-SiC Films Prepared at High Rates by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition Using Monomethylsilane

H. Kakiuchi, H. Ohmi, R. Nakamura, M. Aketa, K. Yasutake

Jpn. J. Appl. Phys. 45(10B) 8381-8387 2006年10月査読有り
Formation of silicon dioxide layers at low temperatures (150—400°C) by atmospheric pressure plasma oxidation of silicon

H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, K. Yasutake

Science and Technology of Advanced Materials 8(3) 137-141 2007年1月査読有り筆頭著者
Highly efficient oxidation of silicon at low temperatures using atmospheric pressure plasma

Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

Applied Physics Letters 90(9) 091909-091909 2007年2月26日査読有り筆頭著者
Significant enhancement of Si oxidation rate at low temperatures by atmospheric pressure Ar/O2 plasma

H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

Appl. Phys. Lett. 90(15) 151904-151904 2007年4月査読有り筆頭著者
SiO2 Formation by Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si in Atmospheric Pressure Plasma Excited by Very High Frequency Power

H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 47(3) 1884-1888 2008年3月査読有り
Heteroepitaxial growth of cubic SiC on Si using very high frequency plasma at atmospheric pressure

H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Aketa, R. Nakamura, K. Yasutake

Surf. Interface Anal. 40(6-7) 974-978 2008年6月査読有り
Formation of Silicon Carbide at Low Temperatures by Chemical Transport of Silicon Induced by Atmospheric Pressure H2/CH4 Plasma

H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

Thin Solid Films 516(19) 6580-6584 2008年6月査読有り筆頭著者
Enhancement of film-forming reactions for microcrystalline Si growth in atmospheric-pressure plasma using porous carbon electrode

H. Kakiuchi, H. Ohmi, R. Inudzuka, K. Ouchi, K. Yasutake

J. Appl. Phys. 104(5) 2008年9月査読有り
Microcrystalline Si films grown at low temperatures (90-220 C) with high rates in atmospheric-pressure VHF plasma

H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Ouchi, K. Tabuchi, K. Yasutake

J. Appl. Phys. 106(1) 2009年7月査読有り筆頭著者責任著者
Characterization of Microcrystalline Si Films Deposited at Low Temperatures with High Rates by Atmospheric-Pressure Plasma CVD

K. Ouchi, K. Tabuchi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

Book of Abstracts of the 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors 7(3-4) 545-548 2009年8月責任著者
Investigation of structural properties of high-rate deposited SiNx films prepared at low temperatures (100-300 C) by atmospheric-pressure plasma CVD

Y. Yamaguchi, K. Nakamura, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

Phys. Stat. Sol. (c) 7(3-4) 824-827 2010年3月査読有り責任著者
Room-Temperature Silicon Nitrides Prepared with Very High Rates (>50 nm/s) in Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma

H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Nakamura, Y. Yamaguchi, K. Yasutake

Plasma Chem. Plasma Process. 30(5) 579-590 2010年9月査読有り筆頭著者責任著者
Low refractive index silicon oxide coatings at room temperature using atmospheric-pressure very high-frequency plasma

H. Kakiuchi, H. Ohmi, Y. Yamaguchi, K. Nakamura, K. Yasutake

Thin Solid Films 519(1) 235-239 2010年9月査読有り筆頭著者責任著者
Study on the Growth of Heteroepitaxial Cubic Silicon Carbide Layers in Atmospheric-Pressure H2-based Plasma

H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

J. Nanosci. Nanotechnol. 11(4) 2903-2909 2011年4月査読有り筆頭著者責任著者
Room-Temperature Formation of Low Refractive Index Silicon Oxide Films Using Atmospheric-Pressure Plasma

K. Nakamura, Y. Yamaguchi, K. Yokoyama, K. Higashida, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake

J. Nanosci. Nanotechnol. 11(4) 2851-2855 2011年4月査読有り責任著者
High-Rate HMDSO-Based Coatings in Open Air Using Atmospheric-Pressure Plasma Jet

H. Kakiuchi, K. Higashida, T. Shibata, H. Ohmi, T. Yamada, K. Yasutake

Journal of Non-Crystalline Solids 358(17) 2462-2465 2012年1月査読有り筆頭著者責任著者
Silicon Oxide Coatings with Very High Rates (>10 nm/s) by Hexamethildisiloxane-Oxygen Fed Atmospheric-Pressure VHF Plasma: Film-Forming Behavior Using Cylindrical Rotary Electrode

H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, K. Yokoyama, K. Okamura, K. Yasutake

Plasma Chem. Plasma Process. 32(3) 533-545 2012年3月査読有り筆頭著者責任著者
Study on the growth of microcrystalline silicon films in atmospheric-pressure VHF plasma using porous carbon electrode

H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, A. Hirano, T. Tsushima, K. Yasutake

Journal of Physics: Conference Series 417(1) 2013年査読有り筆頭著者責任著者
Effective phase control of silicon films during high-rate deposition in atmospheric-pressure very high-frequency plasma: Impacts of gas residence time on the performance of bottom-gate thin film transistors

H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, A. Hirano, T. Tsushima, W. Lin, K. Yasutake

Surf. Coat. Technol. 234 2-7 2013年7月査読有り筆頭著者責任著者
Atmospheric-pressure low-temperature plasma processes for thin film deposition

H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

J. Vac. Sci. Technol. A 32(3) 030801-030801 2014年5月査読有り招待有り筆頭著者責任著者
Characterization of Si and SiOx films deposited in very high-frequency excited atmospheric-pressure plasma and their application to bottom-gate thin film transistors

H. Kakiuchi, H. Ohmi, T. Yamada, S. Tamaki, T. Sakaguchi, W. Lin, K. Yasutake

Phys. Status Solidi A 212(7) 1571-1577 2015年5月査読有り筆頭著者責任著者
Atmospheric-Pressure Low-Temperature Plasma Processes

H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

Encyclopedia of Plasma Technology 2016年11月査読有り招待有り筆頭著者責任著者
Controllability of structural and electrical properties of silicon films grown in atmospheric-pressure very high-frequency plasma

Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake

Journal of Physics D: Applied Physics 51(35) 355203 2018年8月査読有り筆頭著者責任著者
Highly efficient formation process for functional silicon oxide layers at low temperatures (≤ 120 °C) using very high-frequency plasma under atmospheric pressure

Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake

Precision Engineering 60 265-273 2019年2月査読有り筆頭著者責任著者
Pulsed very high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon films for low-temperature (120 ◦C) thin film transistors

Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake

Journal of Physics D: Applied Physics 53(41) 415201-415201 2020年7月査読有り筆頭著者責任著者

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主要なMISC

140

Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process

H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

Appl. Phys. Lett. 91(16) 161908-161908 2007年10月査読有り筆頭著者責任著者

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書籍等出版物

大気圧プラズマ技術と成膜応用（第25回プラズマエレクトロニクス講習会～プラズマプロセスの基礎とその応用・制御技術～テキスト）

垣内弘章

公益社団法人応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会 2014年11月
大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速成膜技術と薄膜トランジスタへの応用「月間ディスプレイ」

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔 (担当:分担執筆)

(株)テクノタイムズ社 2013年11月
大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 OPTRONICS, 2012, No. 6, 88-93. （共著）

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔 (担当:分担執筆)

株式会社オプトロニクス社 2012年6月
大気圧プラズマCVDによるシリコン薄膜の形成「改訂版大気圧プラズマの生成制御と応用技術」 pp.197-219, 2012 （共著）

安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌 (担当:分担執筆)

サイエンス＆テクノロジー株式会社 2012年3月 (ISBN: 9784864280396)
大気圧プラズマの技術とプロセス開発

沖野, 晃俊

シーエムシー出版 2011年8月 (ISBN: 9784781304076)
Preparation of Si-Based Thin Films Using Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapour Deposition (CVD) （共著）

K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi (担当:分担執筆)

"Generation and Application of Atmospheric Pressure Plasmas" NOVA 2011年4月
大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術, ケミカルエンジニヤリング 55[12], pp. 1–7 (2010).

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔 (担当:分担執筆)

化学工業社 2010年12月
大気圧プラズマCVDによる低温・高速成膜（第21回プラズマエレクトロニクス講習会「プラズマプロセスの基礎から応用最前線」 実践的プラズマ制御技術～先進デバイスから環境基盤技術を中心に テキスト）

垣内弘章 (担当:分担執筆)

応用物理学会 2010年10月
「大気圧プラズマ基礎と応用」第6章6.7.3[2] シリコン系CVD

安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌

オーム社 2009年10月
新コーティングのすべて

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔 (担当:分担執筆)

加工技術研究会 2009年10月
フィルムベースエレクトロニクスの最新要素技術

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔 (担当:分担執筆)

シーエムシー出版 2008年10月
Materials Science Research Trends

H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake (担当:分担執筆)

Nova Science Publishers, New York 2008年10月
「大気圧プラズマの生成制御と応用技術」第2章第7節大気圧プラズマCVDによる無機物膜堆積 (2006) pp.135-151.

安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌

サイエンス＆テクノロジー 2006年11月
High-rate deposition of amorphous silicon films by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

Crystal Growth Technology, Edited by H. J. Scheel and T. Fukuda, John Wiley & Sons Ltd 2003年
Plasma CVM (Chemical Vapor Machining) - A Chemical Machining Method with Equal Performance to Conventional Mechanical Methods from the sence of Removal Rates and Spatial Resolutions

Proceedings of the 7th International Precision Engineering Seminar. 1993年
Low Temperature Growth of Polycrystalline Silicon Films by Plasma Chemical Vapor Deposition under Higher Pressure than Atmospheric Pressure

Proceedings of the 7th International Precision Engineering Seminar. 1993年

担当経験のある科目(授業)

158

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所属学協会

2001年4月 - 現在

応用物理学会
1991年 - 現在

精密工学会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

高密度Nラジカルと金属の反応による窒化物ナノ構造の形成

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2017年6月 - 2020年3月

安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
大気圧プラズマの制御と反応解析に基づいた薄膜デバイス作製プロセスの高機能化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2014年4月 - 2019年3月

垣内弘章, 押鐘寧
珪砂の水素原子還元による太陽電池用シリコン製造技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2012年4月 - 2015年3月

安武潔, 垣内弘章
大気圧プラズマによるプラスチックフィルム上薄膜デバイスの高能率作製技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(S) 2008年 - 2012年

垣内弘章
超薄型結晶Si太陽電池の製造を可能とする大気圧プラズマ高速成膜技術の開発

日本学術振興会 2010年
大気圧プラズマを用いた機能性界面創生によるSi表面パッシベーション技術の開発

日本学術振興会 2010年
大気圧プラズマ科学に基づく新たなSi材料創成プロセスの開発

JST, CREST 2010年
大気圧プラズマ科学に基づく新たなSi材料創成プロセスの開発

JST, CREST 2009年
大気圧プラズマを用いた機能性界面創生によるSi表面パッシベーション技術の開発

日本学術振興会 2009年
大気圧プラズマを用いた全低温半導体プロセスの開発と応用

日本学術振興会 2009年
大気圧プラズマを用いた全低温半導体プロセスの開発と応用

日本学術振興会 2008年
大気圧プラズマを用いた全低温半導体プロセスの開発と応用

2007年
窒化物半導体による紫外光(UV)レーザへの発展

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2002年 - 2004年

芳井熊安, 安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
原子論的生産技術の創出拠点

2004年
高性能アモルファスシリコンカーバイド(SiC)の超高速成膜に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2001年 - 2003年

芳井熊安, 垣内弘章, 安武潔, 森勇藏
原子論的生産技術の創出拠点

2003年
任意材料基板上への結晶シリコンの低温・高速成膜に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2001年 - 2002年

垣内弘章
完全表面の創成

文部科学省 2002年
原子波の干渉による超微細構造の作製と制御

2001年
完全表面の創成

文部科学省 2001年

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産業財産権

5269414 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
5028617 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法，ガス発生装置及びガス発生方法，並びに，フッ素含有高分子廃棄物処理方法

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
特願2010-209158 透明導電膜の成膜装置および形成方法

垣内弘章, 安武潔, 岡崎真也, 長谷川千尋
4539985 エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章, 渡部平司
特願2010-070769 成膜装置

柴田哲司, 平井孝彦, 垣内弘章, 安武潔
WO2009/028188 選択的膜製造方法

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
WO2009/028188 選択的膜製造方法

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
1950797 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
特願2008-155333 低屈折率SiO2反射防止膜の製造方法及びそれを用いて得られる反射防止処理基材

垣内弘章, 安武潔, 大参宏昌, 石岡宗悟, 畠山宏毅
特願 2007-225020 選択的膜製造方法

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
WO2007/049402 大気圧水素プラズマを用いた膜製造法，精製膜製造方法及び装置

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
PCT/JP2006/322656 Si基板表面の炭化による結晶性SiCの形成方法及び結晶性SiC基板

垣内弘章, 安武潔, 大参宏昌
12/084137 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
2606/CHENP/2008 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
200680049202.9 大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
特願2005-329318 Si基板表面の炭化による結晶性SiCの形成方法及び結晶性SiC基板

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔

学術貢献活動

第37回ドライプロセス国際シンポジウム

企画立案・運営等

応用物理学会（The Japan Society of Applied Physics） 2015年11月
第25回プラズマエレクトロニクス講習会～プラズマプロセスの基礎とその応用・制御技術～

その他

公益社団法人応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会 2014年11月
グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」第5回国際シンポジウム

企画立案・運営等

大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 2012年10月
グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」第4回国際シンポジウム

企画立案・運営等

大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 2011年10月
NEDO技術委員

その他

2009年11月 - 2011年3月
グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」第3回国際シンポジウム

企画立案・運営等

大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 2010年11月
第21回プラズマエレクトロニクス講習会「プラズマプロセスの基礎から応用最前線」

その他

（社）応用物理学会プラズマエレクトロニクス分科会 2010年10月
第4回プラズマエレクトロニクスインキュベーションホール

その他

（社）応用物理学会 2010年9月
グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」第2回国際シンポジウム

企画立案・運営等

大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 2009年11月
新機能性材料展2009薄膜コーティングセッション「ドライおよびウェットコートによる機能薄膜形成」

その他

（株）技術情報協会 2009年2月
グローバルCOE「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」第1回国際シンポジウム

企画立案・運営等

大阪大学グローバルCOEプログラム「高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点」 2009年2月
セミナー

その他

（株）技術情報協会 2008年4月
原子論的製造技術に関する第2回 21世紀COE国際シンポジウム

企画立案・運営等

大阪大学21世紀COEプログラム「原子論的製造技術」，（社）精密工学会 2007年10月
セミナー

その他

（株）技術情報協会 2006年12月
原子論的製造技術に関する第1回 21世紀COE国際シンポジウム

企画立案・運営等

大阪大学21世紀COEプログラム「原子論的製造技術」，（社）精密工学会 2006年10月
セミナー

その他

（株）技術情報協会 2006年9月
応用電子物性分科会研究例会

その他

応用物理学会応用電子物性分科会 2006年5月
薄膜第131委員会第226回研究会

その他

独立行政法人日本学術振興会 2005年6月
先端放射線化学シンポジウム2005

その他

日本放射線化学会、大阪大学産業科学研究所産業科学ナノテクノロジーセンター 2005年6月

垣内弘章

基本情報

研究分野

経歴

学歴

受賞

主要な論文

主要なMISC

書籍等出版物

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

学術貢献活動

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