特許権
多層構造の抵抗層を備える不揮発性メモリセルおよびその製造方法、並びにそれを用いた抵抗可変型不揮発性メモリ装置
国立大学法人大阪大学
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- 出願番号
- 特願2006-257970
- 出願日
- 2006年9月22日
- 公開番号
- 特開2008-078509
- 公開日
- 2008年4月3日
- 特許番号/登録番号
- 特許第5223084号
- 登録日
- 発行日
- 2013年3月22日
- ID情報
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- J-Global ID : 201303008209013656