杦本敏司 (Satoshi Sugimoto) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学工学研究科附属アトミックデザイン研究センター准教授
: (兼任)工学研究科附属アトミックデザイン研究センター准教授
: (兼任)大学院工学研究科附属フロンティア研究センター工学研究科附属アトミックデザイン研究センター
: (兼任)大学院工学研究科附属フロンティア研究センター工学研究科附属アトミックデザイン研究センター

学位: 工学博士(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901087615110163
researchmap会員ID: 1000030859

研究キーワード

研究分野

学歴

- 1986年

大阪大学
- 1986年

大阪大学, 工学研究科, 応用物理学

受賞

1989年

高温学会学術奨励賞

論文

114

Silicon oxide film formation by spraying tetraethyl orthosilicate onto substrate with simultaneous low-energy SiO+ ion-beam irradiation

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi

AIP Advances 13(11) 2023年11月1日
Deposition of germanium dioxide films by the injection of oxygen ion beam in conjunction with hexamethyldigermane

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 1056 168707-168707 2023年11月
Low energy Si+, SiCH5+, or C+ beam injections to silicon substrates during chemical vapor deposition with dimethylsilane

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi

Heliyon e19002-e19002 2023年8月
Low-energy Ar+ ion-beam-induced chemical vapor deposition of silicon dioxide films using tetraethyl orthosilicate

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Masato Kiuchi

Heliyon e14643-e14643 2023年3月
Injection of low-energy SiCH₅⁺ ion-beam to Si substrate during chemical vapor deposition process using methylsilane

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi

AIP Advances 12(11) 115104-115104 2022年11月1日
Low-energy oxygen ion beam induced chemical vapor deposition using methylsilane or dimethylsilane for the formation of silicon dioxide films

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Masato Kiuchi

Thin Solid Films 139508-139508 2022年9月
Low-energy Ar+ ion beam induced chemical vapor deposition of silicon carbide films using dimethylsilane

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 527 40-44 2022年9月
Low-energy O+ ion beam induced chemical vapor deposition using tetraethyl orthosilicate for silicon dioxide film formation

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 511 113-117 2022年1月
Amine modification of calcium phosphate by low-pressure plasma for bone regeneration

Joe Kodama, Anjar Anggraini Harumningtyas, Tomoko Ito, Miroslav Michlíček, Satoshi Sugimoto, Hidekazu Kita, Ryota Chijimatsu, Yuichiro Ukon, Junichi Kushioka, Rintaro Okada …

Scientific Reports 11(1) 17870-17870 2021年12月査読有り
Low-energy O+ ion beam induced chemical vapor deposition using hexamethyldisilane or hexamethyldisilazane for silicon dioxide film formation

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Masato Kiuchi

AIP Advances 11(12) 125328-125328 2021年12月1日
Low-energy Ar+ and N+ ion beam induced chemical vapor deposition using hexamethyldisilazane for the formation of nitrogen containing SiC and carbon containing SiN films

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi

PLOS ONE 16(10) e0259216-e0259216 2021年10月27日
Identification of fragment ions produced by the decomposition of tetramethyltin and the production of low-energy Sn+ ion beam

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi

PLOS ONE 16(6) e0253870-e0253870 2021年6月25日査読有り
Production of low-energy SiCH3+ and SiC2H7+ ion beams for 3C-SiC film formation by selecting fragment ions from dimethylsilane

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 487 85-89 2021年1月査読有り
Modeling characterisation of a bipolar pulsed discharge

Zoltán Donkó, Lenka Zajičková, Satoshi Sugimoto, Anjar Anggraini Harumningtyas, Satoshi Hamaguchi

Plasma Sources Science and Technology 29(10) 2020年10月査読有り
Production of low-energy fragment-ion beams from hexamethyldisiloxane and the irradiation of SiO+ ion beam to substrates with supplemental oxygen gas for SiO2 film formation

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Masato Kiuchi

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 479 13-17 2020年9月査読有り
Effects of ijected ion energy on silicon carbide film formation by low-energy SiCH3+ beam irradiation

S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takechi, K. Murai, M. Kiuchi

Thin Solid Films 685 408-413 2019年9月査読有り
Characteristics of films deposited by the irradiation of GeCHx+ ions produced from hexamethyldigermane and their dependence on the injected ion energy

Yoshimura, Satoru, Sugimoto, Satoshi, Takeuchi, Takae, Murai, Kensuke, Kiuchi, Masato

Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B 461 1-5 2019年9月査読有り
Low-energy mass-selected ion beam deposition of silicon carbide with Bernas-type ion source using methylsilane

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi

AIP Advances 9(9) 09501-2-095051-4 2019年9月査読有り
Identification of fragment ions produced from hexamethyldigermane and the production of low-energy beam of fragment ion possessing Ge-C bond

S. Yoshimura, S. Sugimoto, T. Takeuchi, M. Kiuchi

AIP Advances 9(2) 025008 2019年2月査読有り
Low-energy mass-selected ion beam production of fragments from tetraethylorthosilicate for the formation of silicon dioxide film

Satoru Yoshimura, Satoshi Sugimoto, Takae Takeuchi, Kensuke Murai, Masato Kiuchi

Thin Solid Films 655 22-26 2018年6月1日査読有り

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MISC

プラズマ技術を用いた骨分化促進能を有する人工骨の開発

小玉城, 杉本敏司, 伊藤智子, ANJAR Anggraini Harumningtyas, 吉川秀樹, 浜口智志, 海渡貴司

日本整形外科学会雑誌 93(8) 2019年
質量分離有機金属分子イオンビーム堆積法のストイキオメトリ成膜への応用

吉村智, 杉本敏司, 竹内孝江, 村井健介, 木内正人

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
プラズマ表面処理を用いた官能基修飾によるバイオマテリアルの生体親和性向上

大野一平, 伊藤智子, A.H Anjar, 杉本敏司, 小玉城, 千々松良太, 海渡貴司, 朝森千永子, 浜口智志

プラズマ・核融合学会年会(Web) 35th 2018年
低エネルギーイオンビーム照射によるPMMAエッチングイールドへの紫外線照射および水素プラズマ暴露の影響

幾世和将, 吉村智, 杉本敏司, 木内正人, 木内正人, 浜口智志

真空に関する連合講演会講演予稿集 53rd 2012年
低エネルギーイオンビーム照射によるPMMAエッチングイールドの測定と水素プラズマ暴露のエッチングイールドへの影響

吉村智, 塚崎泰裕, 杉本敏司, 木内正人, 木内正人, 浜口智志

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th 2012年
Heteroepitaxy of zinc-blende SiC nano-dots on Si substrate by organometallic ion beam

T. Matsumoto, M. Kiuchi, S. Sugimoto, S. Goto

THIN SOLID FILMS 515(2) 648-650 2006年10月
Self-assembled nanotiles of heteroepitaxial SiC on Si

Takashi Matsumoto, Masato Kiuchi, Satoshi Sugimoto, Seiichi Goto

IEEE TRANSACTIONS ON PLASMA SCIENCE 34(4) 1109-1111 2006年8月
インバータープラズマ処理装置

杉本敏司, 木内正人, 大藪展榮

コンバーテック 34(2) 78-81 2006年2月
有機金属イオンビーム法によるヘテロエピタキシャルSiCナノドットの結晶成長

松本貴士, 木内正人, 杉本敏司, 後藤誠一

真空 49(5) 320-322 2006年
Fragment Ions of Dimethylsilane Produced by Hot Tungsten Wires

YOSHIMURA Satoru, TOH Akinori, SUGIMOTO Satoshi, KIUCHI Masato, KIUCHI Masato, HAMAGUCHI Satoshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 45(10B) 8204-8207 2006年
フリーマン型イオン源におけるメチルシランのフラグメントイオンとタングステンワイヤ表面状態

藤章至, 吉村智, 杉本敏司, 木内正人, 浜口智志

真空 49(6) 383-385 2006年
Self-assembled nano-tiles of zinc-blende SiC on Si(100) using organometallic ion beam deposition with simultaneous electron beam irradiation

T Matsumoto, M Kiuchi, S Sugimoto, S Goto

SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY 200(5-6) 1436-1438 2005年11月
メチルシランおよびジメチルシランの表面解離フラグメントイオンの測定

藤章至, 吉村智, 杉本敏司, 木内正人, 浜口智志

真空に関する連合講演会講演予稿集 46th 2005年
有機ケイ素化合物の表面電離フラグメントイオンの測定

藤章至, 前田拓也, 吉村智, 杉本敏司, 木内正人, 浜口智志

応用物理学会学術講演会講演予稿集 66th(1) 2005年
Growth temperature effect on a self-assembled SiC nanostructure

T Matsumoto, M Kiuchi, S Sugimoto, S Goto

THIN SOLID FILMS 464 211-214 2004年10月
Momentum effects of the molecular ion beam in SiC crystal growth

T Matsumoto, M Kiuchi, S Sugimoto, S Goto

THIN SOLID FILMS 464 103-106 2004年10月
インバータプラズマによるカーボンナノチューブの生成実験

上田智史, 杉本敏司, 木内正人, 三原敏行, 後藤誠一

高温学会誌 30(1) 31-31 2004年1月30日
Excitation and propagation of low frequency wave in a FRC plasma

S Okada, K Yamanaka, S Yamamoto, T Masumoto, K Kitano, T Asai, F Kodera, M Inomoto, S Yoshimura, M Okubo …

NUCLEAR FUSION 43(10) 1140-1144 2003年10月
有機金属イオンビームによるシリコン基板上へのSiCナノ結晶のヘテロエピタキシャル成長

松本貴士, 木内正人, 杉本敏司, 後藤誠一

高温学会誌 29(4) 18-18 2003年7月20日
インバータプラズマ成膜プロセスにおけるイオンアシスト効果

宮地和哉, 鈴木裕, 武智誠次, 杉本敏司, 後藤誠一, 木内正人

高温学会誌 29(1) 14-14 2003年1月20日

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所属学協会

Works(作品等)

インバータープラズマを用いた高密度記録材料の開発技術の研究

2001年

共同研究・競争的資金等の研究課題

プラズマ-触媒反応場による炭素固定水素製造プロセスの高効率化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2010年 - 2012年

杉本敏司
RF回転磁場による超高ベータプラズマの局所電流駆動と空間分布緩和

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2002年 - 2003年

後藤誠一, 大久保衛, 杉本敏司, 岡田成文, 吉村智
有機金属分子イオンビーム技術の高度化とSiCヘテロエピ成膜への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2001年 - 2002年

後藤誠一, 木内正人, 大久保衛, 杉本敏司, 阿川義昭, 阿川義明
極限ベータ磁場配位における磁気圧縮加熱

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2000年 - 2002年

岡田成文, 大久保衛, 杉本敏司, 後藤誠一, 井通暁, 吉村智
極限ベータ磁場配位におけるスクレープオフプラズマ流の挙動解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1999年 - 2001年

後藤誠一, 大久保衛, 杉本敏司, 岡田成文, 井道暁, 吉村智
高機能インバータープラズマの技術開発と金属表面の低摩擦化研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1999年 - 2000年

後藤誠一, 木内正人, 吉村智, 杉本敏司, 中嶌祐司, 気田健久
プラズマを用いた高分子フィルムの表面処理

2000年
プラズマを用いたカーボンナノチューブの形成

2000年
ヘリウム3核融合用FRCプラズマの定常維持法の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 1996年 - 1998年

後藤誠一, 吉村智, 大久保衛, 杉本敏司, 大井正一, 岡田成文, 上田良夫
強力パルスイオンビーム入射によるFRCプラズマ電子加熱と閉じ込め向上

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(B) 1994年 - 1995年

大井正一, 大久保衛, 杉本敏司, 加古雅史, 岡田成文, 後藤誠一
高ベータ閉じ込めミラー磁場中FRCプラズマの高エネルギー粒子効果

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(A) 1991年 - 1993年

後藤誠一, 上田良夫, 杉本敏司, 岡田成文, 伊藤慶文, 大井正一, 大久保衛, 石村勉
プラズマ反応分光像の高速2次元結像系の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1992年 - 1992年

杉本敏司
ビ-ム入射による小角度散乱を用いたFRCプラズマのエネルギ-スペクトルの測定

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(B) 1990年 - 1991年

上田良夫, 杉本敏司, 伊藤慶文, 後藤誠一
ビームプローグによるV×B電場のスタルク効果を用いたプラズマの内部磁場計測

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(C) 1987年 - 1988年

伊藤慶文, 杉本敏司, 大井正一, 加古雅史
Surface treatment Technique Using plasma
Production of carbon nano-tubes using an inverter plasma.
Inverter plasma discharge for plasma processing
Optical measurement of a translation plasma
プラズマを用いた表面処理技術
インバーター電源を用いたプロセスプラズマ発生法

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杦本敏司

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