小川真人 (Matsuto Ogawa) - マイポータル

基本情報

所属: 神戸大学役員会理事

学位: 工学博士(東京大学)

J-GLOBAL ID: 200901046572615993
researchmap会員ID: 1000032961

外部リンク: http://www2.kobe-u.ac.jp/~lerl2/j_research.html

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

学歴

- 1985年3月

東京大学大学院工学系研究科電子工学専門課程博士課程修了

委員歴

受賞

2016年12月

電子情報通信学会シニアメンバー表彰, Pioneering Research on Quantum Mechanical Electronic and Phonotic Device Simulation, 電子情報通信学会

小川真人
2011年9月

応用物理学会フェロー表彰, 原子論的ナノデバイスシミュレーターに関する先駆的研究, 応用物理学会

小川真人
2009年5月

The 2009 International Meeting for Future of Electron Devices Best Paper Award, "Influence of Edge Roughness on the Performance of Graphene Nano-Ribbon Devices", IEEE Electron Devices Society

小川真人
2009年3月

IEEE Senior member, Outstanding contribution to quantum simulation of nano-scaled devices, IEEE Electron Devices Society

小川真人
2008年7月

第6回半導体理工学研究センター共同研究賞, 原子レベルの材料特性を考慮した 3次元量子輸送デバイスシミュレータの開発」の成果, 半導体理工学研究センター(STARC)

小川真人
2008年7月

第6回共同研究賞, 原子レベルの材料特性を考慮した3次元量子輸送デバイスシミュレータの開発, 半導体理工学研究センター（STARC、横浜市、下東勝博社長）

小川真人
2006年9月

電子情報通信学会エレクトロソサイエティ賞, ナノスケールデバイスシミュレータの先駆的研究, 電子情報通信学会

小川真人, 土屋英昭, 三好旦六

論文

101

Transient performance analysis of graphene FET gated via ionic solid by numerical simulations based on tight-binding method and Nernst–Planck–Poisson equations

Koki Arihori, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma, Junko Sato-Iwanaga, Masa-aki Suzuki

Journal of Applied Physics 130(8) 084302-084302 2021年8月28日
Transient simulation of graphene FET gated by electrolyte medium

Koki Arihori, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma, Junko Sato-Iwanaga, Masa-aki Suzuki

2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2020年9月23日
Time dependent quantum dynamical study of laser induced current switching in graphene

SOUMA Satofumi, AKIYAMA Takashi, SASAOKA Kenji, OGAWA Matsuto

Proc. of International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 213-216 2017年査読有り
Modulations of thermal properties of graphene by strain-induced phonon engineering

TADA Kento, FUNATANI Takashi, KONABE Satoru, SASAOKA Kenji, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi, YAMAMOTO Takahiro

Jpn. J. Appl. Phys 56(2) 025102-25102 2017年査読有り
Effect of strain on electron mobility in graphene

HIRAI Hideki, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

Proc. of International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 219-212 2017年査読有り
グラフェン状物質の面内ヘテロ構造を用いたFETの性能予測シミュレーション

橋本悠希, 市原圭祐, 田中未来, 笹岡健二, 小川真人, 相馬聡文

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.2 3518-3518 2016年9月1日
Computational Study of Effects of Surface Roughness and Impurity Scattering in Si Double-Gate Junctionless Transistors

Masato Ichii, Ryoma Ishida, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 62(4) 1255-1261 2015年4月査読有り
Strain-induced modulation of an isotropic photoconductivity in graphene

Amir Mehdipour, Kenji Sasaoka, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(11) 115103 1-7 2014年11月査読有り
Effects of Increased Acoustic Phonon Deformation Potential and Surface Roughness Scattering on Quasi-Ballistic Transport in Ultrascaled Si-MOSFETs

Shunsuke Koba, Ryoma Ishida, Yuko Kubota, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

Japanese Journal of Applied Physics 53(11) 114301-114301 2014年10月査読有り
Electron mobility calculation for graphene on substrates

Hideki Hirai, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 116(8) 083703 2014年8月査読有り
Simulation-based design of a strained graphene field effect transistor incorporating the pseudo magnetic field effect

Satofumi Souma, Masayuki Ueyama, Matsuto Ogawa

APPLIED PHYSICS LETTERS 104(21) 213505 1-4 2014年5月査読有り
Pure spin current induced by adiabatic quantum pumping in zigzag-edged graphene nanoribbons

Satofumi Souma, Matsuto Ogawa

APPLIED PHYSICS LETTERS 104(18) 108103 1-4 2014年5月査読有り
Channel length scaling limits of III-V channel MOSFETs governed by source-drain direct tunneling

Shunsuke Koba, Masaki Ohmori, Yosuke Maegawa, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(4) 04EC10 2014年4月査読有り
Theoretical performance estimation of silicene, germanene, and graphene nanoribbon field-effect transistors under ballistic transport

Shiro Kaneko, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

APPLIED PHYSICS EXPRESS 7(3) 035102 2014年3月査読有り
Extraction of Quasi-Ballistic Transport Parameters in Si Double-Gate MOSFETs Based on Monte Carlo Method

Ryoma Ishida, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Shigeyasu Uno, Matsuto Ogawa

2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD) 153-156 2014年査読有り
Proposal of simplified model for absorption coefficients in quantum dot array based intermediate band solar cell structure

Amir Mehdipour, Kenji Sasaoka, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

IEICE ELECTRONICS EXPRESS 11(17) 1-11 2014年査読有り
Numerical simulation of current noise caused by potential fluctuation in nanowire FET with an oxide trap

Yuki Furubayashi, Matsuto Ogawa, Satofumi Souma

2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD) 201-204 2014年査読有り
Intermediate band electron wave function localization effect on the efficiency limits of InAs/GaAs quantum dot solar cell

MEHDIPOUR Amir, SASAOKA Kenji, OGAWA Matsuto, SOUMA Satofumi

Memoirs of the Graduate Schools of Engineering and System Informatics Kobe University 6 18-24 2014年査読有り
Increased Subthreshold Current due to Source-Drain Direct Tunneling in Ultrashort-Channel III-V Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

Shunsuke Koba, Yosuke Maegawa, Masaki Ohmori, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

APPLIED PHYSICS EXPRESS 6(6) 064301 2013年6月査読有り
Effect of lateral strain on gate induced control of electrical conduction in single layer graphene device

Satofumi Souma, Yusuke Ohmi, Matsuto Ogawa

Journal of Computational Electronics 12(2) 170-174 2013年6月査読有り

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MISC

歪みグラフェンを用いたディラック電子エンジニアリング素子のシミュレーション

相馬聡文, 田中未来, 市原圭祐, 迫田翔太郎, 笹岡健二, 小川真人

信学技報 IEICE Technical Report SMD2015-89 29-34 2015年招待有り
28pPSA-72 時間依存ゲート電圧による散乱状態の過渡応答シミュレーション(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

笹岡健二, 加藤司真, 相馬聡文, 小川真人

日本物理学会講演概要集 69(1) 895-895 2014年3月5日
ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細Ⅲ-Ⅴ MOSFETの量子輸送解析 (シリコン材料・デバイス)

大森正規, 木場隼介, 前川容佑, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 小川真人

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(296) 65-70 2013年11月14日
28pPSA-5 半導体ナノワイヤ構造におけるポテンシャルゆらぎに起因する電流雑音の数値解析II(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

古林優希, 小川真人, 相馬聡文

日本物理学会講演概要集 68(1) 777-777 2013年3月26日
20pPSA-7 半導体ナノワイヤ構造におけるポテンシャルゆらぎに起因する電流雑音の数値解析(20pPSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

古林優希, 小川真人, 相馬聡文

日本物理学会講演概要集 67(2) 644-644 2012年8月24日
27aSB-3 グラフェンナノリボンにおけるスピンポンプ効果に関するシミュレーション(27aSB 領域7,領域4合同グラフェン(ナノリボン),領域7(分子性固体・有機導体))

相馬聡文, 小川真人

日本物理学会講演概要集 67(1) 925-925 2012年3月5日
26pPSB-61 カーボンナノチューブを用いたトンネル電界効果トランジスタの特性における歪みの影響(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

中野貴史, 小川真人, 相馬聡文

日本物理学会講演概要集 67(1) 970-970 2012年3月5日
第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較 (シリコン材料・デバイス)

滝口直也, 木場隼介, 土屋英昭, 小川真人

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(281) 33-38 2011年11月10日
24aPS-100 光照射されたグラフェンの電子状態に関する実時間シミュレーション(24aPS 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

佐伯和也, 小川真人, 相馬聡文

日本物理学会講演概要集 65(2) 862-862 2010年8月18日
24pPSA-21 擬スペクトル法を用いたシュレディンガー・ボアソン方程式の高精度・高効率解法(24pPSA 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))

中森剛史, 相馬聡文, 小川真人

日本物理学会講演概要集 65(2) 251-251 2010年8月18日
グラフェンナノエレクトロニクス素子の開発に向けて-素子シミュレーションと素子作成・物性評価

相馬聡文, 小川真人, 山本貴博, 渡辺一之, 長汐晃輔

固体物理 Vol. 45 No. 1 pp.63-76 Vol 45, No. 1, pp. 63-76(1) 63-76 2010年1月査読有り
シリコンナノワイヤトランジスタの三次元量子輸送シミュレーション

山田吉宏, 土屋英昭, 小川真人

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108(292) 77-82 2008年11月6日
グラフェンナノリボンを用いた新規デバイスの提案とシミュレーション

相馬聡文, 小川真人, 山本貴博, 渡辺一之

シリコンテクノロジー No.103, pp. 15-20 2008年7月
非平衡グリーン関数に基づくナノスケールデバイスの量子輸送モデリング

フィトリアワンヘルミー, 相馬聡文, 小川真人, 三好旦六

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 106(257) 59-63 2006年9月19日
研究室紹介

小川真人

半導体就職読本2005「未来を切り開く半導体技術」日経Micro Devices特別編集版 pp.56-57 2005年4月査読有り
Electronic transport in carbon nanotubes using the transfer-matrix method

T Umegaki, M Ogawa, Y Makino, T Miyoshi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 96(11) 6669-6678 2004年12月査読有り
Quantun Transport in Carbon Nanotubes with Arbitrary Chirality

UMEGAKI Tomohito, OGAWA Matsuto, MAKINO Yasuyuki, MIYOSHI Tanroku

Mem.Grad.School Sci.&Technol.Kobe Univ. 22A,103-114 103-114 2004年査読有り
Quantum mechanical simulation in DG MOSFETs based on a tight binding Green's function formalism

M Ogawa, N Kagotani, M Ohta, T Miyoshi

SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES 2004 29-32 29-32 2004年査読有り
Electronic Propagating Waves in Carbon Nanotubes for the Electrodes of the Spin Wave Device

UMEGAKI Tomohito, OGAWA Matsuto, MAKINO Yasuyuki, MIYOSHI Tanroku

Abstract of the 5th International Conference on the Science and Application of Nanotubes:NANOTUBE 2004 270 2004年査読有り
Comparison of Non-Equilibrium Green's Function and Quantum-Monte Carlo Approaches in Nano MOS Simulation

TSUCHIYA Hideaki, Alexei Svizhenko, M P Anantran, OGAWA Matsuto, MIYOSHI Tanroku

Proc.10th Int.Workshop on Computational Electronics(IWCE10) 93-94 2004年査読有り

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書籍等出版物

ナノエレクトロニクスの基礎

三好旦六, 小川真人, Hideaki Tsuchiya (担当:共著)

培風館 2007年11月 (ISBN: 9784563067649)
電子材料ハンドブック

小川真人 (担当:共著)

朝倉書店，応用物理学会編 2006年11月
応用物理学用語大辞典

小川真人 (担当:共著)

応用物理学会編オーム社 1998年4月

講演・口頭発表等

207

二次元原子膜h-BCNにおける原子配置が光誘起電流に及ぼす影響と受光感度評価

岡本一希, 小川真人, 相馬聡文

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月
グラフェン状物質h-BCNをチャネルとしたFETにおける電気伝導特性ばらつきの統計的解析

生水出浩斗, 小川真人, 相馬聡文

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月
グラフェン/h-BCN超格子構造をチャネルに用いたFETの量子閉じ込めによる特性変化

石原友也, 小川真人, 相馬聡文

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月
グラフェン/h-BCN超格子構造の超格子ポテンシャルを用いた量子閉じ込めが光誘起電流に及ぼす影響

栗原健汰, 小川真人, 相馬聡文

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月
ナノスケールデバイスシミュレーションのための非平衡グリーン関数法と障壁高さモデルの比較検討

相馬聡文, 岡直左, 外田祐也, 清水良馬, 小川真人

第66回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月
グラフェン状物質における光誘起電流のシミュレーション

土井信行, 小川真人, 相馬聡文

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月
テラヘルツ素子応用に向けたグラフェンナノリボンの電磁波応答に関する数値シミュレーション

石橋純, 笹岡健二, 山本貴博, 小川真人, 相馬聡文

応用物理学会関西支部平成29年度第3回講演会 2017年11月
テラヘルツ素子応用に向けたグラフェンナノリボンFETの動的特性に関する数値シミュレーション

中井雄紀, 笹岡健二, 山本貴博, 小川真人, 相馬聡文

応用物理学会関西支部平成29年度第2回講演会 2017年11月
二次元原子膜h-BCNをチャネルとしたFETにおける電気伝導特性の原子配置依存性

生水出浩斗, 小川真人, 相馬聡文

第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月
二次元原子膜h-BCNの光吸収特性における原子配置依存性

栗原健汰, 岡本一希, 小川真人, 相馬聡文

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月
光照射されたグラフェン状物質の電気伝導に関する理論解析

土井信行, 小川真人, 相馬聡文

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月
ポテンシャル制御の劣化度合いと量子トンネル電流の比較解析によるチャネル電子の有効方程式がFET特性に及ぼす影響の解明

橋本悠希, 小川真人, 相馬聡文

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月
シリケイン及びゲルマナンMOSFETのトンネル電流を考慮したバリスティック輸送特性

岡直左, 小川真人, 相馬聡文

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月
グラフェンとグラフェン状物質h-BCNの超格子構造の電気伝導特性シミュレーション

石原友也, 小川真人, 相馬聡文

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月
グラフェン/h-BCNへテロ超格子構造における長波長光吸収特性の理論解析による評価

栗原健汰, 岡本一希, 小川真人, 相馬聡文

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月
Siナノワイヤ型FETの伝達特性における散乱に起因した1次元効果の重要性

清水良馬, 小川真人, 相馬聡文

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月
Black phosphorus FETの異方的電気伝導特性におけるトンネル効果の影響

外田祐也, 小川真人, 相馬聡文

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月
グラフェン状物質h-BCNの電気伝導特性シミュレーション

生水出浩斗, 小川真人, 相馬聡文

応用物理学会関西支部平成29年度第1回講演会 2017年5月
グラフェン状物質h-BCNの光吸収特性シミュレーション

岡本一希, 小川真人, 相馬聡文

応用物理学会関西支部平成29年度第3回講演会 2017年5月
グラフェン/h-BCN超格子構造の電気伝導特性シミュレーション

石原友也, 小川真人, 相馬聡文

応用物理学会関西支部平成29年度第4回講演会 2017年5月

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

京コンピューターを用いたアトミスティック・デバイスシミュレータの開発

科学研究費一部基金／基盤研究(B)特設 2013年4月 - 2017年3月

小川真人
地域ｲﾉﾍﾞｰｼｮﾝ戦略支援ﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ（国際競争力強化地域）「関西ﾗｲﾌｲﾉﾍﾞｰｼｮﾝ戦略推進地域」

文部科学省地域イノベーション戦略支援プログラム 2016年

小川真人
大規模原子論的計算に基づくナノ構造デバイスシミュレータの開発

科学研究費補助金／萌芽研究 2012年4月 - 2015年3月

小川真人

産業財産権

特許5500540 量子ドット太陽電池

喜多隆, 小川真人

小川真人

基本情報

研究キーワード

研究分野

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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