FETを用いた第2高高波発生において、ゲート端子に接続する入力回路とドレーン端子に接続する出力回路の最適構成を検討した。周波数2逓倍器の回路シミュレーションと実験により、入力回路については基本波周波数ではゲート端子と共役整合させ、第2高調波周波数では適切なリアクタンス値を持たせ、出力回路には基本波周波数において逆C級動作をさせるリアクタンス負荷を含むことで高い逓倍効率が得られることを示した。最適化された入力回路および出力回路をシングルエンド型の第2高調波出力発振器に適応し、基本波発振周波数が4GHzと6GHzの両方の場合において、20mW以上の出力電力と20%以上のドレーン効率を得た。