[6]フェナセンは,6個のベンゼン環がジグザグに結合した分子である.この薄膜を活性層とする有機薄膜電界効果トランジスタ(FET)は,非常に良好なpチャネル型のFET特性を示す.しかし,一般に有機薄膜FETには「しきい値電圧」の絶対値(|V_<th>|)が大きいという問題がある.[6]フェナセンFETにおいても,この特徴が存在するので,これを解決し[6]フェナセンFETを実用デバイスに向けて発展させることが重要である.本研究は,これまであまり注目されなかった有機分子薄膜(活性層)とSiO_2ゲート誘電絶縁膜の界面制御によって,V_<th>を変化させる可能性を探る.このため,系統的に電子受容体もしくは供与体分子を界面に挿入することでV_<th>の変化を観測した.また,絶縁膜表面をパリレンからヘキサメチルジシラザン(HMDS)に変えることで,移動度を5.0cm^2V^<-1>s^<-1>まで向上させることに成功した.