長谷川文夫 (Fumio Hasegawa) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 旧所属工学院大学工学部情報通信工学科教授,筑波大学名誉教授

学位: 工学博士(東北大学)

J-GLOBAL ID: 200901099738229678

研究分野

4

経歴

20

1999年 - 2004年

筑波大学物理工学系教授
1999年 - 2004年

Professor, Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
1988年 - 1999年

筑波大学物質工学系教授
1988年 - 1999年

Professor, Institute of Materials Science, University of Tsukuba
1981年 - 1988年

筑波大学物質工学系助教授

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MISC

48

Fabrication of p-Si/ｲ-FeSi2/n-Si Double-Heterostructure Light-Emitting Diode by Molecular Beam Epitaxy

TAKAUJI Motoki, LI Cheng, SUEMASU Takashi, HASEGAWA Fumio

Jpn. J. Appl. Phys. 44(4B) 2483 - 2486 2005年
Growth and Characterization of Si-Based Light-Emitting Diode with ｲ-FeSi2-Particles/Si Multilayered Active Region by Molecular Beam Epitaxy

Jpn. J. Appl. Phys. 44(6A) 3951 - 3953 2005年
Magneto-optical studies of ferromagnetic Cr-doped GaN films grown by molecular-beam epitaxy

Jpn. J. Appl. Phys. 44(9A) 6510 - 6512 2005年
Hole molibity of p-type ｲ-FeSi2 thin films grown from Fe/Si multilayers

J. Appl. Phys. 97 093716 2005年
Room-temperature electroluminescence of a Si-based p-i-n diode with beta-FeSi2 particles embedded in the intrinsic silicon

J. Appl. Phys. 97 043529 2005年

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書籍等出版物

6

半導体デバイス

産業図書（株） 1987年
Semiconductor Devices

1987年
ガリウムヒ素

丸善（株） 1986年
Gallium Arsenide

1986年
GaAs FET Principle and Technology: Chapter 3; Low Noise GaAs FET, Chapter 4; Power GaAs FET

Artech House, Inc. Edited by J.D.DiLorenzo 1982年

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共同研究・競争的資金等の研究課題

2

窒化物半導体の結晶成長と電子デバイス、光デバイスへの応用

科学研究費補助金
Epitaxial growth of nitride semiconductors and its application to elecronic and photonic devices

Grant-in-Aid for Scientific Research