MISC

2005年6月

Growth and Characterization of Si-Based Light-Emitting Diode with ｲ-FeSi2-Particles/Si Multilayered Active Region by Molecular Beam Epitaxy

Jpn. J. Appl. Phys.

巻: 44
号: 6A
開始ページ: 3951
終了ページ: 3953
記述言語: 英語
掲載種別
DOI: 10.1143/JJAP.44.3951

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.1143/JJAP.44.3951
CiNii Articles: http://ci.nii.ac.jp/naid/150000045162
Web of Science: https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000230126000062&DestApp=WOS_CPL

ID情報

DOI : 10.1143/JJAP.44.3951
ISSN : 0021-4922
CiNii Articles ID : 150000045162
Web of Science ID : WOS:000230126000062

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