2011年6月
Partial conversion as a first silicidation process to fabricate low-resistive and low-leakage nickel silicide film in advanced CMOSs
Proc. 11th IEEE Int. Workshop Junction Technol. (IWJT), Kyoto, Japan
- ,
- ,
- ,
- ,
- ,
- 開始ページ
- 55-60
- 終了ページ
- 60
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（国際会議プロシーディングス）
- DOI
- 10.1109/IWJT.2011.5969999
- ID情報
-
- DOI : 10.1109/IWJT.2011.5969999
- SCOPUS ID : 80052126946