東山和幸 (Kazuyuki Higashiyama) - マイポータル

基本情報

所属: 筑波大学数理物質系講師

学位: 理学博士(1987年3月東北大学)
理学修士(1984年3月東北大学)

J-GLOBAL ID: 200901052876922906
researchmap会員ID: 1000048740

研究分野

自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 /

委員歴

2018年7月 - 2018年8月

筑波大学, 物理学類体験学習/実験担当（分担）
2017年7月 - 2017年8月

筑波大学, 物理学類体験学習/実験担当（分担）
2016年7月 - 2016年8月

筑波大学, 物理学類体験学習/実験担当（分担）

受賞

1994年3月

倉田奨励金, （財）倉田記念科学技術振興会

東山和幸

論文

Atomic-scale structure and work function of the K-adsorbed Pd(110)-(1x2) surface

Higashiyama, Kazuyuki, Egami, Akihiro

Japanese Journal of Applied Physics 58(9) 095503-1-095503-7 2019年8月査読有り
High-energy-resolution XANES of layered oxides for sodium-ion battery

Niwa, Hideharu, Higashiyama, Kazuyuki, Amaha, Kaoru, Kobayashi, Wataru, Ishii, Kenji, Moritomo, Yutaka

Applied Physics Express 12(5) 052005 2019年4月査読有り
Electronic states in oxidized NaxCoO2 as revealed by X-ray absorption spectroscopy coupled with ab initio calculation

Hideharu Niwa, Kazuyuki Higashiyama, Kaoru Amaha, Wataru Kobayashi, Yutaka Moritomo

Journal of Power Sources 384 156-159 2018年4月30日査読有り
Cs吸着Pd(110)1×2再構成表面の第一原理計算

樋口, 翔馬, 東山, 和幸, 守友, 浩

日本物理学会講演概要集 73 2373-2373 2018年
Partial Disorder of the Si(111)6×6-Au Surface Studied by Scanning Tunneling Microscopy

K., Higashiyama, A. Egami, S. Hosoi, K. Suzuki

Japanese Journal of Applied Physics 40(12) 6985-6992 2001年1月査読有り
Existence of a stable intermixing phase for monolayer Ge on Si(001)

H.W., Yeom, M., Sasaki, S., Suzuki, S., Sato, S., Hosoi, M., Iwabuchi, K., Higashiyama, H., Fukutani, M., Nakamura, T., Abukawa …

Surface Science 381 L533-L539 1997年1月査読有り
Angle-resolved photoemission of oxygen chemisorbed Ni(110) surfaces : 2×1-O(1/2ML) and 3×1-O(2/3ML)

K., Suzuki, A. Yamane, R. Ozawa, Y. Gunji, K. Higashiyama, H. Fukutani

Surface Science 365 248-254 1996年1月査読有り
Angle-resolved photoemission study of oxygen-induced c(2×4) structure on Pd(110)

K., Yagi, K. Higashiyama, H. Fukutani

Surface Science 295 230-240 1993年1月査読有り
Surface states of boron-induced √3x√3 structure on Si(111)

K., Higashiyama, S. Yamazaki, H. Ohnuki, H. Fukutani

Solid State Communications 87(5) 455-459-459 1993年1月査読有り
Asymmetry of adatoms on Ge(111) observed by scanning tunneling microscopy : the clean c(2×8) and Sn-induced (7×7) structures

K., Higashiyama, S.K. Lewis, R.X. Ynzunza, E.D. Tober, Y.J. Kim, C.S. Fadley

Surface Science 291 47-56 1993年1月査読有り
Valence photoelectron diffraction and direct-transition effects

G.S., Herman, T.T. Tran, K. Higashiyama, C.S. Fadley

Physical Review Letters 68 1204-1207 1992年1月査読有り
Reflection and photoemission studies of neutron-irradiated graphite

H., Fukutani, A. Yamada, K. Yagi, S. Ooe, K. Higashiyama, H. kato, T. Iwata

Journal of the Physical Society of Japan 59(9) 3089-3092-3092 1990年1月査読有り
Angele-resolved photoemission study of Pd(110)

K., Yagi, K. Higashiyama, S. Yamazaki, H. Yanashima, H. Ohnuki, H. Fukutani, H. Kato

Surface Science 231 397-403 1990年1月査読有り
Atomic geometry of the Si(111)√3x√3-Sn Surface by X-ray photoelectron and Auger electron diffraction

K., Higashiyama, C.Y. Park, S. Kono

The Structure of Surfaces II, edited by J.F. van der Veen and M.A. Van Hove, Springer Series in Surface Sciences, Vol.11 346-351 1988年1月査読有り
Surface core-level shifts of the Si(111)√3x√3-Ga surface

K., Higashiyama, S. Kono, T. Kinoshita, T. Miyahara, H. Kato, H. Ohsawa, Y. Enta, F. Maeda, Y. Yaegashi

Surface Science 186 L568-L574 1987年1月査読有り
Surface and bulk core-level shifts of the Si(111)√3x√3-Ag surface: evidence for a charged √3x√3 layer

S., Kono, K. Higashiyama, T. Kinoshita, T. Miyahara, H. Kato, H. Ohsawa, Y. Enta, F. Maeda, Y. Yaegashi

Physical Review Letters 58(15) 1555-1558-1558 1987年1月査読有り
Analysis of the atomic structure of the Si(111)√3x√3-Bi surface by X-ray photoelectron diffraction

C.Y., Park, T. Abukawa, K. Higashiyama, S. Kono

Japanese Journal of Applied Physics 26(8A) L1335-L1337-L1337 1987年1月査読有り
Study of the Si(111)√3x√3-Ga surface by X-ray photoelectron and Auger electron diffraction

K., Higashiyama, S. Kono, T. Sagawa

Surface Science 175 L794-L800 1986年1月査読有り
X-ray photoelectron diffraction study of the atomic geometry of the Si(111)√3x√3-Ag surface

S., Kono, K. Higashiyama, T. Sagawa

Surface Science 165(1) 21-36-36 1986年1月査読有り
Structural disorder of Si(111)√3x√3-Au surface studied by LEED

K., Higashiyama, S. Kono, T. Sagawa

Japanese Journal of Applied Physics 25 L117-L120 1986年1月査読有り

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書籍等出版物

Ga, Sn, Au/Si(111)表面超格子構造の実験的研究

東山, 和幸

1987年3月
Sn/Ge(111)表面のX線光電子およびオージェ電子回折法による研究

東山, 和幸

1984年3月

講演・口頭発表等

ナトリウムイオン電池正極用相乗酸化物の高エネルギー分解能蛍光収量XANES測定

丹羽秀治, 東山和幸, 天羽薫, 小林航, 石井賢司, 守友, 浩

第33回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム 2020年1月10日
ナトリウムイオン電池正極用相乗酸化物の高エネルギー分解能蛍光収量XANES測定

丹羽秀治, 東山和幸, 天羽薫, 小林航, 石井賢司, 守友, 浩

第33回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム 2020年1月10日
軟X線吸収分光と第一原理計算によるNaxCoO2の酸素p軌道ホール観察

丹羽, 秀治, 東山, 和幸, 天羽, 薫, 小林, 航, 守友, 浩

2018年応用物理学会秋季講演会 2018年9月18日
Cs吸着Pd(110)1x2再構成表面の第一原理計算

Higuchi, Shouma, Higashiyama, Kazuyuki, Moritomo, Yutaka

日本物理学会第73回年次大会（2018年） 2018年3月22日日本物理学会
Cs吸着Pd(110)1×2再構成表面の第一原理計算

樋口, 翔馬, 東山, 和幸, 守友, 浩

2017年度物理学会年次大会 2018年3月22日
Cs吸着Pd(110)1×2再構成表面の第一原理計算

樋口, 翔馬, 東山, 和幸, 守友, 浩

2017年度物理学会年次大会 2018年3月22日
Cs吸着Pd(110)1×2再構成表面の第一原理計算

東山和幸, 守友, 浩, 樋口祥馬

2017年度応用物理学会春季講演会 2018年3月17日
Cs吸着Pd(110)1×2再構成表面の第一原理計算

東山和幸, 守友, 浩, 樋口祥馬

2017年度応用物理学会春季講演会 2018年3月17日
第一原理計算によるK吸着Pd(110)表面の構造安定性

Higashiyama,Kazuyuki

日本物理学会第７２回年次大会 2017年3月17日

所属学協会

- 現在

日本物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

走査トンネル顕微鏡による半導体界面の研究

国際共同研究 1992年 - 1992年
固体表面に関する実験的・理論的研究