葉山 清輝

J-GLOBALへ         更新日: 17/02/28 16:20
 
アバター
研究者氏名
葉山 清輝
 
ハヤマ キヨテル
URL
http://cpu4edu.net/
所属
熊本高等専門学校
部署
情報通信エレクトロニクス工学科
職名
教授
学位
工学修士(豊橋技術科学大学), 博士(工学)(豊橋技術科学大学)

プロフィール

母校に戻って教員をしています.電子工作好きです.考えるより手を動かす方が好きです.興味を持ったらとりあえず実験したい性分です.

研究分野

 

学歴

 
 
 - 
1991年
豊橋技術科学大学 工学研究科 電気・電子工学
 
 
 - 
1989年
豊橋技術科学大学 工学部 電気・電子工学
 

論文

 
Jpn. J, Appl. Phys,   33(1B) 496-499   1994年

Misc

 
A study on electron beam irradiation damage in operational amplifiers
18    1991年
Jpn. J, Appl. Phys,   33(1B) 496-499   1994年
OHYAMA H, VANHELLEMONT J, TAKAMI Y, HAYAMA K, SUNAGA H, POORTMANS J, CAYMAX M, CLAUWS P
IEEE Trans. on Nucl. Sci.   41(6 Pt 1) 2437-2442   1994年
OHYAMA H, HAYAMA K, TOKUYAMA J
Physica status solidi (a)   143(1) K57-K59   1994年
ISHIDA M, YOSHIZU T, HAYAMA K, NAKAMURA T
Applied surface Science   79/80 356-360   1994年

書籍等出版物

 
半導体デバイス工学
森北出版   2004年   
作って学ぶCPU設計入門 - エミュレータでよくわかる!内部動作とAHDL設計・FPGA実装
森北出版   2007年   ISBN:4627784317
MOS集積回路の設計・製造と信頼性技術
森北出版   2008年   ISBN:4627773811

講演・口頭発表等

 
電子線照射n形Siにおける導入欠陥の焼鈍特性
第34回応用物理学会関連連合講演会   1987年   
ガスソースMBEを用いたSOS低温エピタキシャル成長
第36回応用物理学会関連連合講演会   1989年   
TMAとO2を用いたMOMBE法によるAl2O3/Siの成長
第51回応用物理学会学術講演会   1990年   
ハイブリッド成長法によるエピタキシャルAl2O3/Siの形成
第38回応用物理学会関連連合講演会   1991年   
電子線照射による演算増幅器の劣化
平成3年度応用物理学会九州支部学術講演会   1991年   

Works

 
光デバイスに関する研究
2001年
高性能半導体デバイスに関する研究
2001年
オプトデバイスの放射線劣化に関する研究
2002年
半導体デバイスの耐環境強化に関する研究
2002年
組込み学習教材の研究
2010年

競争的資金等の研究課題

 
SOI構造形成の研究
その他の研究制度
半導体デバイスの耐環境性に関する研究
その他の研究制度
マイコン応用技術

特許

 
濃度測定装置および濃度計測方法
特許公開2005-127906
SOIトランジスタの評価方法および評価装置
特許公開2008-177333
気象観測装置
特願2010-232000
飛行体
特願2010-232001

経歴

 
1991-1992 熊本電波工業高等専門学校 情報通信工学科 助手
1992-1993 豊橋技術科学大学技術開発センター 助手
1993-1997 熊本電波工業高等専門学校 情報通信工学科 助手
1998 熊本電波工業高等専門学校 情報通信工学科 講師
1998-2000 熊本電波工業高等専門学校 電子工学科 講師
2000-2002 熊本電波工業高等専門学校 電子工学科 助教授
2003-2006 熊本電波工業高等専門学校 情報通信工学科 助教授
2003 文部科学省在外研究員(IMEC,ベルギー)
2007-2009 熊本電波工業高等専門学校 電子工学科 准教授
2009-2011 熊本高等専門学校 情報通信エレクトロニクス工学科 准教授
2012- 熊本高等専門学校 情報通信エレクトロニクス工学科 教授