溝川悠介 (Yusuke Mizokawa) - マイポータル

基本情報

所属: 旧所属大阪府立大学総合教育研究機構教授

学位: 工学博士(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901079042397990
researchmap会員ID: 1000057200

研究キーワード

研究分野

ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

経歴

1990年 - 2002年

大阪府立大学総合科部教授
1990年 - 2002年

Professor University of Osaka Prefecture

学歴

委員歴

1996年

日本真空協会, 編集副部会長
1988年 - 1989年

日本真空協会, 関西支部幹事

MISC

112

Initial oxidation phenomena of heavily phosphorus-doped silicon in dry oxygen

Y Kamiura, K Hasegawa, Y Sano, Y Mizokawa, K Kawamoto

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 20(6) 2187-2191 2002年11月
Preparation of metastable bi-2223 phase of Bi(2)(Ln(x)Ca(2-x))Ca(2)Cu(3)O(z) thin films (0.3 <= x <= 0.7, Ln = Pr, Nd, Sm, Eu and Gd)

K Yoshida, H Sasakura, S Tsukui, T Tabata, M Adachi, R Oshima, Y Mizokawa

PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS 377(1-2) 101-106 2002年8月
Preparation of metastable bi-2223 phase of Bi(2)(Ln(x)Ca(2-x))Ca(2)Cu(3)O(z) thin films (0.3 <= x <= 0.7, Ln = Pr, Nd, Sm, Eu and Gd)

K Yoshida, H Sasakura, S Tsukui, T Tabata, M Adachi, R Oshima, Y Mizokawa

PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS 377(1-2) 101-106 2002年8月
The Initial Oxidation Phenomena of Heavily Phosphorus-Doped Silicon in Dry Oxygen

J. Vac. Sci. Technol. B in press, 2002年
Preparation of Bi-2201 thin films Bi(2)Ln(x)Ca(2-x)Cu(1)O(z) (0.4 <= x <= 0.8, Ln = La, Pr, Nd, Sm, Eu and Gd) by laser ablation

K Yoshida, S Tsukui, T Tabata, M Adachi, R Oshima, Y Mizokawa

PHYSICA C 361(3) 189-194 2001年9月
Preparation of Bi-2201 thin films Bi(2)Ln(x)Ca(2-x)Cu(1)O(z) (0.4 <= x <= 0.8, Ln = La, Pr, Nd, Sm, Eu and Gd) by laser ablation

K Yoshida, S Tsukui, T Tabata, M Adachi, R Oshima, Y Mizokawa

PHYSICA C 361(3) 189-194 2001年9月
Equilibrium concentration of vacancies under the anisotropic stress field around impurity

TANAHASHI K, INOUE N, MIZOKAWA Y

Physica B 308/310 502-505 2001年
The Chemical Composition Changes of Silicon and Phosphorus in the Process of Native Oxide Formation of Heavily Phosphorus Doped Silicon

Applied Surface Science 181(1-14) 2001年
Equilibrium concentration of vacancies under the anisotropic stress field around impurity

Physica B 308/310 502-505 2001年
The Chemical Composition Changes of Silicon and Phosphorus in the Process of Native Oxide Formation of Heavily Phosphorus Doped Silicon

Applied Surface Science 181(1-14) 2001年
Superconductivity in Bi-2212 thin films of Bi(2)Ln(0.3)Ca(2.7)Cu(2)O(z) (Ln = Pr, Nd, Sm, Eu and Gd) prepared by laser ablation method

K Yoshida, H Sasakura, S Tsukui, R Oshima, Y Mizokawa

PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS 329(4) 292-297 2000年2月
シリコン成長各期における点欠陥の平衡濃度

棚橋克人, 菊池通真, 井上直久, 溝川悠介

真空 43(3) 205-208 2000年
Impact of Pr-doping on superconductivity in Bi₂Pr_xCa_3-xCu20_8+δ

Phys. Rev. 61(17) 11332-11335 2000年
Cancentration of Poinit defects changed by thermal stress in growing CZ silicon crystal effects of the growth rate

J. Crystal Growth 210(1/3) 45-48 2000年
Evaluation of the initial oxidation of heavily phosphorus doped silicon surfaces using angle-dependent X-ray photoelectron spectroscopy

WB Ying, Y Mizokawa, K Tanahashi, Y Kamiura, M Iida, K Kawamoto, WY Yang

THIN SOLID FILMS 343 393-396 1999年4月
Evaluation of the initial oxidation of heavily phosphorus doped silicon surfaces using angle-dependent X-ray photoelectron spectroscopy

WB Ying, Y Mizokawa, K Tanahashi, Y Kamiura, M Iida, K Kawamoto, WY Yang

THIN SOLID FILMS 343 393-396 1999年4月
角度依存X線光電子分光法および原子間力顕微鏡による高濃度リン・ドープシリコン表面の初期酸化の評価

応文標, 溝川悠介, 濱田利和, 棚橋克人, 上浦良友, 飯田眞喜男, 川本和則, 楊偉毅

真空 42(3) 293-296 1999年
高濃度リンドープシリコン表面の初期酸化の角度分解型XPSによる評価(共著)

Thin Solid Films 343(344) 393-396 1999年
Concentration of point defects in growing CZ silicon crystal under the internal streses-effects of impurity doping and tlormal stress

Physica B 273/274 493-496 1999年
New Bi-cuprate of Bi₂(La, Ca)₂Ca_n-1CanOz(n=3,4,5,6and7)thin films prepared by laser ablation method

Physica C C322 25-30 1999年

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書籍等出版物

Behavior of Point Defects in CZ Silicon-Formation of Polyhedral Cavity and Oxidation Induced Stacking Faults Nuclei(共著)

Defects in Electronic Materials II 1996年
Formation of Polyhedron Voids in CZ Silicon(共著)

Proc. 2nd Inter. Sympo on Advanced Sci. and Technol. of Silicon Materials 1996年
GaAs上の酸化膜のXPS分析

1977年
An XPS Analysis of the Oxide Films on GaAs

Proceedings of the Seventh International Vacuum Comgress & the 3rd International Conference on Solid Surfaces (Vienna) 1977年

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