MISC

2000年

Cancentration of Poinit defects changed by thermal stress in growing CZ silicon crystal effects of the growth rate

J. Crystal Growth

巻: 210
号: 1/3
開始ページ: 45
終了ページ: 48
DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00644-2

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DOI: https://doi.org/10.1016/S0022-0248(99)00644-2

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DOI : 10.1016/S0022-0248(99)00644-2
ISSN : 0022-0248

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