2000年 シリコン成長各期における点欠陥の平衡濃度 真空 棚橋 克人, 菊池 通真, 井上 直久, 溝川 悠介 巻 43 号 3 開始ページ 205 終了ページ 208 DOI 10.3131/jvsj.43.205 リンク情報 DOIhttps://doi.org/10.3131/jvsj.43.205CiNii Articleshttp://ci.nii.ac.jp/naid/10004561531 ID情報 DOI : 10.3131/jvsj.43.205ISSN : 0559-8516ISSN : 1880-9413CiNii Articles ID : 10004561531 エクスポート BibTeX RIS