MISC

2002年

The Initial Oxidation Phenomena of Heavily Phosphorus-Doped Silicon in Dry Oxygen

J. Vac. Sci. Technol. B

巻: in press,
号
DOI: 10.1116/1.1513792

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DOI: https://doi.org/10.1116/1.1513792

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DOI : 10.1116/1.1513792

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