井上知泰 (Tomoyasu Inoue) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: いわき明星大学科学技術学部科学技術学科教授

学位: 理学博士(早稲田大学)
工学修士(早稲田大学)

J-GLOBAL ID: 200901051830157214
researchmap会員ID: 1000062739

外部リンク: http://www.iwakimu.ac.jp/dept/staff/inoue_tomoyasu.html

研究キーワード

2

研究分野

2

経歴

5

学歴

4

委員歴

9

1994年1月 - 現在

福島県, 技術顧問
1987年4月 - 2008年7月

マイクロエレクトロニクス研究機構, 幹事
2004年4月 - 2006年3月

電子情報通信学会, 東北支部評議員
1998年4月 - 2000年3月

電子情報通信学会, 東北支部評議員
1995年4月 - 1999年3月

応用物理学欧文誌刊行会, 電子出版化ワーキンググループ
1994年4月 - 1998年3月

応用物理学会, 講演会会場世話人
1991年4月 - 1996年3月

応用物理学欧文誌刊行会, 編集委員
1981年4月 - 1985年3月

日本真空協会, 真空装置安全化調査委員
1977年4月 - 1982年3月

日本真空協会, 編集委員

論文

105

Developments in Hybrid Orientation Technology by Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth

井上知泰

いわき明星大学科学技術学部研究紀要 28(28) 9-17 2015年3月
Highly separated hybrid orientation structure of CeO2(100) and (110) on Si(100) substrates by electron beam-induced orientation-selective epitaxy

Tomoyasu Inoue, Shigenari Shida

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 32(3) 03D108 2014年5月査読有り
Hybrid Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO₂(100) and (110) regions on Si(100) Substrates

T. Inoue, S. Shida

Proc. 12th Int. Symp. Sputtering & Plasma Processes 87-90 2013年査読有り
Spatially varied orientation selective epitaxial growth of CeO2(100) and (110) regions on Si(100) substrates by reactive magnetron sputtering utilizing electron beam irradiation

Tomoyasu Inoue, Shigenari Shida

THIN SOLID FILMS 520(19) 6179-6182 2012年7月査読有り
Hybrid Orientation Substrate Fabrication using Electron Beam Induced Orientaion Selective Epitaxial Growth of CeO₂(100) and (110) areas on Si(100) Substrates

T. Inoue, S. Shida

Electrochem. Soc. Trans. 45 443-451 2012年査読有り
Two dimensional control of electron beam induced orientation selective epitaxial growth of (100) and (110)CeO2 regions on Si(100) substrates

Tomoyasu Inoue, Nobuyuki Igarashi, Yuki Kanno, Shigenari Shida

THIN SOLID FILMS 519(17) 5775-5779 2011年6月査読有り
Spatially Varied Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO₂ Layers on Si(100) Substrates using Absorbed Electron Imaging System

井上知泰

いわき明星大学科学技術学部研究紀要 24(24) 1-8 2011年3月
Hybrid Orientation Substrate Fabrication using Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO₂(100) and (110) Areas on Si(100) Substrates by Reactive Magnetron Sputtering

T. Inoue, S. Shida

Proc. 4th Int. Conf. Advanced Plasma Technol. 168-170 2011年査読有り
Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO₂(100)/Si(100) Structures using Absorption Electron Imaging System

T. Inoue, S. Shida

Electrochem. Soc. Trans. 25 187-197 2009年査読有り
Optimization of growth parameters in electron-beam-induced orientation selective epitaxy of CeO(2)(100)/Si(100) structures

T. Inoue, H. Ohtake, J. Otani, S. Shida

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 155(11) G237-G240 2008年査読有り
Optimization of Growth Parameters in Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO₂(100)/Si(100) Structures

T. Inoue, H. Ohtake, J. Otani, S. Shida

Electrochem. Soc. Trans. 13 341-351 2008年査読有り
Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO₂(100) Layers on Si(100) Substrates by Reactive Magnetron Sputtering

T. Inoue, Y. Nakata, S. Shida

J. Phys. Conf. Ser. 100 082014 2008年査読有り
Characterization of orientation-selective-epitaxial CeO(2) layers on Si(100) substrates by x-ray diffraction and cross-sectional transmission electron microscopy

Tomoyasu Inoue, Yoshiyuki Nakata, Shigenari Shida, Kazuhiro Kato

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 25(4) 1128-1132 2007年7月査読有り
Electron beam induced orientation selective epitaxial growth of CeO2(100) layers on Si(100) substrates

Tomoyasu Inoue, Tomohiro Saito, Shigenarl Shida

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 304(1) 1-3 2007年6月査読有り
反応性マグネトロンスパッタリングによるSi(100)基板上のCeO₂層の方位選択エピタキシャル成長

井上知泰

いわき明星大学科学技術学部研究紀要 20(20) 1-13 2007年3月査読有り
Oxygen radical irradiation effect in reactive magnetron sputtering for orientation selective epitaxial growth of CeO2(100) layers on Si(100) substrates

T Inoue, S Shida, K Kato

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 289(2) 534-539 2006年4月査読有り
Orientation selective epitaxial growth of CeO2(100) and CeO2(110) layers on Si(100) substrates

T Inoue, N Sakamoto, M Ohashi, S Shida, A Horikawa, Y Sampei

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 22(1) 46-48 2004年1月査読有り
Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO₂(100) and CeO₂(110) Layers on Si(100) Substrates

T. Inoue, N. Sakamoto, M. Ohashi, A. Horikawa

J. Cryst. Growth 253 366-373 2004年査読有り
Origin of crystalline quality deterioration in epitaxial growth of CeO2 layers on Si substrates

T Inoue, N Sakamoto, A Horikawa, H Takakura, K Takahashi, M Ohashi, S Shida

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A 21(4) 1371-1375 2003年7月査読有り
Studies on inclined nuclei as a cause of crystallinity deterioration in epitaxial CeO2(110) layers on Si(100) substrates

T Inoue, S Shida, N Sakamoto, A Horikawa, M Ohashi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 253(1-4) 366-373 2003年6月査読有り

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MISC

74

Optimization of growth parameters in electron-beam-induced orientation selective epitaxy of CeO(2)(100)/Si(100) structures

T. Inoue, H. Ohtake, J. Otani, S. Shida

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 155(11) G237-G240 2008年
Orientation selective epitaxial growth by reactive dc magnetron sputtering with substrate bias

Tomoyasu Inoue

Research Development on Crystal Growth 4 251-268 2005年
Si(111) 基板上の CeO₂ 膜エピタキシャル成長

第1回21世紀連合シンポジウム「科学技術と人間」論文集 ISSN 1347-9717 p. 291-294 2002年
ガラス基板上の高配向多結晶 Si 膜の成長 - CeO₂ 中間層の効果 -

電気化学会第69回学術大会シンポジウム論文集 ISSN 1341-3848 p.29-34 2002年
電子ビーム支援蒸着法により形成したエピタキシャルCeO₂/Si(100)の表面微細構造

電気化学会論文集 15-22 2001年
Epitaxial growth of CeO₂ layers on Si substrates: low temperature growth by electron-beam-assisted evaporation

Research Trends 4 61-75 2001年
電子ビーム支援蒸着法による薄膜エピタキシャル成長の低温化

電気化学会論文集 1-10 1999年
チャネリングイオン照射によるエピタキシャルCeO₂膜の結晶性改善

法政大学イオンビーム工学研究所報告 18 31-34 1999年
Channeling Ion Beam Induced Crystalline Quality Improvement of Epitaxial CeO₂ Films

Nucl. Instrum. & Method. 148(1/4) 798-802 1999年
Electron Beam Irradiation Effect on Epitaxial Growth of CeO₂(110) Layers on Si(100) Substrates

12 18-25 1999年
Channeling Ion Beam Induced Crystallinity Improvement of Epitaxial CeO₂ Films

Proc. 17th. Symp. Materials Science and Engineering, Hose University 135-140 1999年
Si Deposition on CeO₂/Si(111)

Proceedings of 16th Symposium on Materials Science and Engineering, Hosei University 109-114 1998年
Low Temperature Epitaxial Growth of CeO₂(110)/Si(100) Structure by Electron Beam Assisted Evaporation

Proceedings of 16th Symposium on Materials Science and Engineering, Hosei University 115-120 1998年
電子ビーム支援蒸着によるCeO₂(110)/Si(100)のエピタキシャル成長

電子情報通信学会技術報告 CPM97-55 19-26 1997年
第44回応用物理学関係連合講演会報告シンポジウムシリコン自然酸化膜から極薄酸化膜の形成と物理(II)

応用物理 66(6) 615-616 1997年
第44回応用物理学関係連合講演会報告半導体A(シリコン)

応用物理 66(6) 605-606 1997年
第57回応用物理学学術講演会報告シンポジウムシリコン自然酸化膜から極薄酸化膜の形成と物理(I)

応用物理 66(1) 64 1997年
Reaction at Si/CeO₂/Si Interfaces

Proceedings of 15th Symposium on Materials Science and Engineering, Hosei University 115-120 1997年
High Energy Ion Assisted Crystallinity Improvement of CeO₂(110)Films

Proceedings of 15th Symposium on Materials Science and Engineering, Hosei University 137-142 1997年
Low Temperature Epitaxial Gorwth of CeO₂(110)/Si(100)Structure By UHV Evaporation Under Substrate Bias

Proceedings of 15th Symposium on Materials Science and Engineering, Hosei University 121-126 1997年

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書籍等出版物

22

Developments in Hybrid Orientation Technology by Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth

井上知泰 (担当:共著)

いわき明星大学科学技術学部研究紀要 28巻 2015年3月
Spatially Varied Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO₂ Layers on Si(100) Substrates using Absorbed Electron Imaging System

井上知泰 (担当:共著)

いわき明星大学科学技術学部研究紀要 24巻 2011年3月
Oxide Thin Film Technology -Growth and Applications-

T. Inoue, T. Chikyow (担当:編者(編著者), 範囲:ISBN 978-81-7895-468-4)

Research Signpost Publishers Inc. Trivandrum India 2010年
Recent Advances in Dielectric Materials

Nova Science Publishers, New York 2009年 (ISBN: 9781606922668)
Orientation selective epitaxial growth by reactive dc magnetron sputtering with substrate bias -CeO2(100) and (110) layers on Si(100) substrates-

Recent Res. Devel. Crystal Growth, 4 (2005), 251-268 2005年
応用物理用語大事典

オーム社 1998年
Effect of Electron Incidence in Epitaxial Growth of CeO₂(110) Layers on Si(100) Substrates

Proceedings of Materials Research Society 1997年
Low Temperature Epitaxial Growth of CeO₂(110) Layers on Si(100) Using Bias Evaporation

Proceedings of Materials Research Society 1997年
No heat assistance crystallinity improvement of epitaxial CeO₂/Si by high energy ion irradiation

Proceedings of 9th International Conference on Ion Beam Modification of Materials,Canberra,Australia 1996年
Morphological Evolution with Layer Thickness in single Crystal CeO₂(110)/Si(100)

Proceedings of Materials Research Society 1995年
Study on Epitaxial Growth of CeO₂(110)/Si(100)in Conjunction with Substrate off-orientation

Proceedings of Materials Research Society 1994年
Crystallographic Analysis(110)CeO₂/(100)Si using RBS/Channeling Technique

Proceedings of Materials Research Society 1993年
プラズマ材料科学ハンドブック

オーム社 1992年
Orientation Dependent Epitaxial Growth of CeO₂ on Si

Proceedings of Materials Research Society Vol. 237 Fall Meeting 1991, Boston 1992年
薄膜のプロセッシング

早稲田大学出版部 1990年
積層材料技術

コロナ社 1989年
超LSIテクノロジー

総研出版 1985年
Electron Beam Recrystallized SOI Structures

KTK Scientific Publishers Tokyo, 1985 1985年
Translation from "VLSI Technology" edited by S. M. Sze

1985年
物理学辞典

培風館 1984年

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所属学協会

10

Works(作品等)

13

共同研究・競争的資金等の研究課題

11

方位選択エピﾀｷシによる複合面方位構造形成における異種方位領域間の完全分離技術

学術振興会研究助成基金 2014年4月 - 2017年3月

井上知泰
電子ビーム誘起方位選択エピﾀｷシャル成長による複合面方位構造形成

学術振興会研究助成基金基盤研究(C) 2011年4月 - 2013年3月

井上知泰
酸化物薄膜の結晶方位選択エピタキシャル成長の二次元制御の研究

学術振興会科学研究費基板研究（C) 基盤研究(C) 2008年4月 - 2011年3月

井上知泰
低速電子ビーム誘起によるシリコン基板上のCeO₂薄膜の方位選択エピタキシャル成長

2006年
Electorn Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO₂(100) Layers on Si(100) Substrates

2006年
基板バイアス制御によるシリコン基板上のCeO₂薄膜の方位選択エピタキシャル成長

2004年
Orientation Selective Epitaxial Growth of CeO₂(100) and (110) on Si(100) Substrates controlled by substrate bias

2003年
Si(100)基板上へのCeO₂（１１０）膜のエピﾀｷシャル成長

学術振興会科学研究費基板研究（B）（２） 1995年4月 - 1998年3月

井上知泰
シリコン基板上のCeO₂薄膜のエピタキシャル成長
Crystalline Quality Improvement and Crystallographic Analysis using High Energy Ion Beams
Epitaxial Growth of CeO₂ on Si Substrates

産業財産権

7

半導体装置及びその製造方法
特願2006-323880 半導体装置及びその製造方法
Semiconductor device and manufacturing method thereof
特許P56000948 半導体装置

吉岡亨, 井上知泰, 高石哲男
特許P1384706 半導体装置の製造方法

大村八通, 井上知泰
特許P1394374 真空内試料加熱装置

見方裕一, 渡辺正晴, 井上知泰
特許1669027 半導体単結晶膜の製造方法

井上知泰