井上 知泰

J-GLOBALへ         更新日: 15/04/26 15:26
 
アバター
研究者氏名
井上 知泰
 
イノウエ トモヤス
URL
http://www.iwakimu.ac.jp/dept/staff/inoue_tomoyasu.html
所属
いわき明星大学
部署
科学技術学部 科学技術学科
職名
教授
学位
理学博士(早稲田大学), 工学修士(早稲田大学)

研究キーワード

 
 

研究分野

 
 

経歴

 
 
 - 
現在
いわき明星大学 科学技術学部科学技術学科 教授
 
1971年
 - 
1987年
東京芝浦電気 (株) 総合研究所 研究職
 
1987年
 - 
1992年
いわき明星大学理工学部電子工学科 助教授
 
1992年
 - 
2001年
いわき明星大学理工学部電子工学科 教授
 
2001年
   
 
- いわき明星大学理工学部電子情報学科 教授
 

学歴

 
 
 - 
1971年
早稲田大学 理工学研究科 応用物理学
 
 
 - 
1969年
早稲田大学 理工学部 応用物理学科
 

委員歴

 
1977年4月
 - 
1982年3月
日本真空協会  編集委員
 
1981年4月
 - 
1985年3月
日本真空協会  真空装置安全化調査委員
 
1987年4月
 - 
2008年7月
マイクロエレクトロニクス研究機構  幹事
 
1991年4月
 - 
1996年3月
応用物理学欧文誌刊行会  編集委員
 
1994年1月
 - 
現在
福島県  技術顧問
 

論文

 
Developments in Hybrid Orientation Technology by Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth
井上 知泰
いわき明星大学 科学技術学部 研究紀要   28 9-17   2015年3月
Spatially Varied Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO2 Layers on Si(100) Substrates using Absorbed Electron Imaging System
井上 知泰
いわき明星大学 科学技術学部 研究紀要   24 1-8   2011年3月
反応性マグネトロンスパッタリングによるSi(100)基板上のCeO2層の方位選択エピタキシャル成長
井上 知泰
いわき明星大学 科学技術学部 研究紀要   20 1-13   2007年3月   [査読有り]
ガラス基板上の高配向性多結晶 Si 膜の成長 -CeO2中間層の効果 -
坂本直道, 大島一紘, 大橋正幸, 堀川暁洋, 井上知泰
電気化学会第 69 回学術大会 シンポジウム 「粒子線を用いた次世代プロセス技術」論文集 (ISSN 1341-3848)   29-34   2002年   [査読有り]
Si(111) 基板上の CeO2膜エピタキシャル成長
大橋正幸, 坂本直道, 堀川暁洋, 井上知泰
第 1 回 21 世紀連合シンポジウム -科学技術と人間- 論文集 (ISSN 1347-9717)   291-294   2002年   [査読有り]
電子ビーム支援蒸着法により形成したエピタキシャル CeO2/Si(100) の 表面微細構造
井上知泰, 坂本直道, 鈴木貴志, 高山朋久, 小滝宗史
電気化学会第 68 回学術大会 シンポジウム 「粒子線を用いた次世代プロセス技術」 論文集 (ISSN 1341-3848)   15-22   2001年   [査読有り]
電子ビーム支援蒸着法による薄膜エピタキシャル 成長の低温化
井上知泰, 山本康博
電気化学会 シンポジウム 「粒子線を用いた次世代プロセス技術」 論文集 (ISSN 1341-3848)   1-10   1999年   [査読有り]
電子ビ−ム支援蒸着による CeO2(110)/Si(100) のエピタキシャル成長
井上知泰、佐藤政孝、山本康博
電子情報通信学会技術報告   (CPM97-55) 19-26   1997年8月   [査読有り]
第44回応用物理学関係連合講演会 報告 シンポジウム シリコン自然酸化膜から極薄酸化膜の形成と物理 (II)
井上知泰, 山部紀久夫, 山田啓作
応用物理   66(6) 615-616   1997年6月   [査読有り]
第44回応用物理学関係連合講演会報告 半導体 A (シリコン)
井上 知泰
応用物理   66(6) 605-606   1997年6月   [査読有り]
第 57 回応用物理学学術講演会 報告 シンポジウム シリコン自然酸化膜から極薄酸化膜の形成と物理 (I)
山部紀久夫, 井上知泰, 山田啓作
応用物理   66(1) 64-64   1997年1月   [査読有り]
シリコン基板上の CeO2膜のエピタキシャル成長
井上 知泰
いわき明星大学 理工学部 研究紀要   (5) 32-38   1992年3月   [査読有り]
シリコン基板上の絶縁層のエピタキシャル成長
井上 知泰
日本学術振興会 将来加工技術 第 136 委員会   (17) 9-14   1992年   [査読有り]
シリコン基板上の絶縁層のエピタキシャル成長
井上 知泰
日本学術振興会 将来加工技術 第 136 委員会 第 17 回研究会   9-14   1992年   [査読有り]
SOI のラテラル エピタキシャル成長過程
浜崎利彦, 井上知泰, 吉見信, 吉井俊夫, 丹呉浩侑
電子通信学会技術報告   (SSD86-64) 43-50   1986年8月   [査読有り]
吉井俊夫, 浜崎利彦, 井上知泰, 東中川巌, 丹呉浩侑
日本結晶学会誌   28 83-91   1986年   [査読有り]
ウェハの表面清浄化
井上知泰, 見方裕一
SEMICON NEW   5(5) 58-61   1985年7月   [査読有り]
走査型電子ビ−ムアニ−ル
井上 知泰
Semiconductor World   2(11) 94-102   1983年11月   [査読有り]
見方裕一、井上知泰、渡辺正晴、高須新一郎
真空   26(7) 606-613   1983年7月   [査読有り]
電子ビ−ムアニ−ルされた SOI 構造の界面特性 -MOS トランジスタのデバイス特性-
加藤弘一、柴田健二、井上知泰、吉井俊夫
電子通信学会技術報告   CPM83-15 29-35   1983年6月   [査読有り]
固相成長による SOS 膜の再結晶化
吉井俊夫、井上知泰、大村八通
応用電子物性分科会研究報告   (396) 19-24   1982年11月   [査読有り]
柴田健二、井上知泰、滝川忠宏
真空   25(6) 428-438   1982年6月   [査読有り]
電子ビ−ムアニ−ル により再結晶化した Si 膜の特性およびデバイス試作
柴田健二、大村八通、井上知泰、谷口研二、山部紀久夫
応用電子物性分科会研究報告   (393) 12-17   1982年5月   [査読有り]
半導体の測定・検査と故障解析 第10章「故障解析のための表面の微量不純物分析技術
井上 知泰
トリケップス技術資料   (65) 10-1-10-19   1981年12月   [査読有り]
Si イオン注入による SOS 膜の結晶性改良
井上知泰, 吉井俊夫
電子通信学会技術報告   79(250 SSD79-93) 37-42   1980年2月   [査読有り]
オ−ジェ電子分光法による電子材料分析
井上 知泰
電子通信学会技術報告   78(115 CPM78-33) 1-8   1978年9月   [査読有り]
AES による多層金属電極の熱処理効果の測定
井上知泰, 山岸春生
学術振興会 第 7 回マイクロビ−ムアナリシス第 141 委員会資料   7(84) 63-68   1976年2月   [査読有り]
オ−ジェ電子分光による半導体表面の評価
井上 知泰
電気四学会連合大会講演論文集   (4) 561-564   1975年   [査読有り]

Misc

 
Si(111) 基板上の CeO2 膜エピタキシャル成長
第1回21世紀連合シンポジウム 「科学技術と人間」 論文集   ISSN 1347-9717 p. 291-294    2002年
ガラス基板上の高配向多結晶 Si 膜の成長  - CeO2 中間層の効果 -
電気化学会 第69回学術大会シンポジウム論文集   ISSN 1341-3848 p.29-34    2002年
電子ビーム支援蒸着法により形成したエピタキシャルCeO2/Si(100)の表面微細構造
電気化学会論文集   15-22   2001年
電子ビーム支援蒸着法による薄膜エピタキシャル成長の低温化
電気化学会 論文集   1-10   1999年
チャネリングイオン照射によるエピタキシャルCeO2膜の結晶性改善
法政大学イオンビーム工学研究所報告   18 31-34   1999年

書籍等出版物

 
Developments in Hybrid Orientation Technology by Electron Beam Induced Orientation Selective Epitaxial Growth
井上 知泰 (担当:共著)
いわき明星大学 科学技術学部 研究紀要 28巻   2015年3月   
Spatially Varied Orientation Selective Epitaxial Growth of (100) and (110) CeO2 Layers on Si(100) Substrates using Absorbed Electron Imaging System
井上 知泰 (担当:共著)
いわき明星大学 科学技術学部 研究紀要 24巻   2011年3月   
半導体の測定・検査の故障解析
トリケップス技術資料No.65   1981年   
物理学辞典
培風館   1984年   
超LSIテクノロジー
総研出版   1985年   

Works

 
日本国特許 真空内試料加熱装置 登録日1987年8月11日登録番号P1394374
1988年
日本国特許 半導体装置の製造方法 登録日1987年6月25日登録番号P1384706
1987年
日本国特許 半導体装置の製造方法 登録日1983年6月30日登録番号P1154008
1983年
日本国特許 半導体装置 登録日1981年1月10日登録番号P56000948
1981年
日本国特許 半導体パターンニング方法 登録日1978年5月8日登録番号P0909719
1978年

競争的資金等の研究課題

 
方位選択エピタキシによる複合面方位構造形成における異種方位領域間の完全分離技術
学術振興会: 研究助成基金
研究期間: 2014年4月 - 2017年3月    代表者: 井上 知泰
電子ビーム誘起方位選択エピタキシャル成長による複合面方位構造形成
学術振興会: 研究助成基金
研究期間: 2011年4月 - 2013年3月    代表者: 井上 知泰
酸化物薄膜の結晶方位選択エピタキシャル成長の二次元制御の研究
学術振興会: 科学研究費 基板研究(C)
研究期間: 2008年4月 - 2011年3月    代表者: 井上 知泰
Si(100)基板上へのCeO2(110)膜のエピタキシャル成長
学術振興会: 科学研究費 基板研究(B)(2)
研究期間: 1995年4月 - 1998年3月    代表者: 井上 知泰
シリコン基板上のCeO2薄膜のエピタキシャル成長

特許

 
特願2006-323880 : 半導体装置及びその製造方法
日本国特許広報 特開 2008-160086
半導体装置及びその製造方法
日本国特願 2007-303057
特許1669027 : 半導体単結晶膜の製造方法
井上 知泰
特許P1394374 : 真空内試料加熱装置
見方裕一, 渡辺正晴, 井上知泰
特許P1384706 : 半導体装置の製造方法
大村八通, 井上知泰