本橋章 (Akira Motohashi) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 東京電機大学理工学部理学系助教授

学位: 工学修士
博士(工学)

J-GLOBAL ID: 200901099176074706
researchmap会員ID: 1000080982

研究キーワード

3

研究分野

2

学歴

4

MISC

42

Relations between nanopore size in porous silicon, the dissolution valence, and the hydrogen evolution ratio in anodization of silicon

A Kinoshita, A Motohashi

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 149(2) E35-E39 2002年2月
解離原子価とＰＳ層中のナノ孔径の関係，第６２回応用物理学会学術講演会

2001年
誘電緩和時間から導く多孔貭Si中の細孔径, 第60回応用物理学会学術講演会

2000年
多孔貭シリコンの内部構造の評価, 第60回応用物理学会学術講演会

2000年
Pore radius in porous Si deriv ed-from dielectric relaxation time

2000年
Appraise of infer structure of porous silicon

2000年
Measurement of evolved hydrogen volume during anodization and its relationship to the anodization process

Akira Motohashi

Jpn.J.Appl.Phys. 39(2A) 363-367 2000年
Pore structure of porous silicon formed on a lightly doped crystal silicon

M Ruike, M Houzouji, A Motohashi, N Murase, A Kinoshita, K Kaneko

LANGMUIR 12(20) 4828-4831 1996年10月
多孔質シリコンの電気特性(1)

第43回応用物理学関係連合講演会 1996年
解離原子価の交番周波数依存症と多孔質シリコンの形成過程

第43回応用物理学関係連合講演会 1996年
多孔質シリコンを用いた単一ガスセンタによるガス種の識別(3)

第43回応用物理学関係連合講演会 1996年
Characteristic of electricity in porous silicon (1)

1996年
The formation characteristics of porous Si is shown by dissolution valence

1996年
Gas identification by a single gas sensor using porous silicon as the sensitive material (3)

1996年
Identification of Water Molecules in Low Humidity and Possibility of Quantitative Gas Analysis using Porous Silicon Gas Sensor

Akira Motohashi, Masatoshi Ruike, Manabu Kawakami, Hidekazu Aoyagi, Akira Kinoshita, Akinobu Satou

Jpn. J. Appl. Phys. 35(8) 4253-4256 1996年
多孔質/基板シリコン界面形状の溶液組成依存性

第56回応用物理学会学術講演会 1995年
多孔質シリコンを用いた単一ガスセンタによるガス種の識別(2)

第56回応用物理学会学術講演会 1995年
多孔質シリンコンを用いた単一ガスセンサによるガス識別の可能性

電子情報通信学会論文誌 J78-C-2(4) 157 1995年
陽極化成シリコン中の多孔質構造体の文域化

電子情報通信学会論文誌 J78-C-2(4) 135 1995年
Interface structure between porous and bulk silicon as a function of solution composition

1995年

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所属学協会

2

Works(作品等)

39

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共同研究・競争的資金等の研究課題

3