TAKAHASHI Yoshihiro

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Name
TAKAHASHI Yoshihiro
E-mail
takahashi.yoshihironihon-u.ac.jp
URL
http://mail.ecs.cst.nihon-u.ac.jp/~silicon/
Affiliation
Nihon University
Section
College of Science and Technology, Department of Electronic Engineering
Job title
Professor
Degree
Doctor (Engineering)(Nihon University), Master of Engineering(Nihon University)
Research funding number
40216768

Research Areas

 
 

Academic & Professional Experience

 
Apr 1989
 - 
Mar 2001
Research Assistant, Nihon University
 
Apr 2001
 - 
Mar 2007
Lecturer, Nihon University
 
Apr 2007
 - 
Mar 2011
Associate Professor, Nihon University
 
Apr 2011
   
 
日本大学 教授
 

Education

 
 
 - 
1986
電子工学, Faculty of Science and Engineering, Nihon University
 
 
 - 
1988
電子工学専攻, Graduate School, Division of Science and Engineering, Nihon University
 

Awards & Honors

 
Jun 2013
SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討, 日本信頼性学会 優秀賞, 日本信頼性学会
Winner: 小倉俊太,高橋芳浩,牧野高紘,小野田忍,平尾敏雄,大島武
 
Dec 2012
Suppression of Heavy-Ion induced Current in SOI Device, Best Poster Award, The 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications
Winner: S. Ogura, T. Komiyama, Y. Takahashi, T. Makino, S. Onoda, T. Hirao, T. Oshima
 
Nov 2009
宇宙用半導体デバイス開発に関する基礎研究, 理工学部学術賞
 

Published Papers

 
Suppression of heavy-ion irradiation induced parasitic bipolar effects in short channel SOI devices
Yusuke WADA, Yan WU, and Yoshihiro TAKAHASHI
日本信頼性学会誌   39(3) 145-153   May 2017   [Refereed]
半導体デバイスに対する宇宙放射線照射効果
高橋芳浩
日本信頼性学会誌   36(8) 460-467   Nov 2014   [Refereed][Invited]
Heavy-Ion induced Current in MOS Structures and Its Total Dose Effects
平尾敏雄,小野田忍
電子情報通信学会論文誌   J95-C(9) 196-203   Sep 2012   [Refereed]
Heavy-ion induced current through an oxide layer
Yoshihiro Takahashi, Takahiro Ohki, Takaharu Nagasawa, Yasuhito Nakajima, Ryu Kawanabe, Kazunori Ohnishi, Toshio Hirao, Shinobu Onoda, Kenta Mishima, Katsuyasu Kawano, Hisayoshi Itoh
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research   B-260(1) 309-313   Jul 2007   [Refereed]
New SET Characterization Technique Using SPICE for Fully Depleted CMOS/SOI Digital Circuitry
A. Makihara, T. Ebihara, T. Yokose, Y. Tsuchiya, A. Amano, H. Shindou, R. Imagawa, Y. Takahashi, and S. Kuboyama
IEEE Transactions on Nuclear Science   55(6) 2921-2927   Dec 2008   [Refereed]

Conference Activities & Talks

 
電界結合型非接触スリップリングの基本設計
小野寺巧,大島綾汰,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
2019年電子情報通信学会総合大会   22 Mar 2019   
PN-Body Tied SOIFETの重イオン照射誘起電流
古川遼太,呉研,高橋芳浩
第66回応用物理学会春季学術講演会   10 Mar 2019   
電界結合型非接触スリップリングの設計
小野寺巧,大島綾太,呉研,塩野光弘,高野忠,高橋芳浩
日大理工学術講演会   5 Dec 2018   
SOI-トンネルFETの電気的特性(デバイスパラメータ依存性)
唐鎌亮太,岩波悠太,三田梓郎,岸佳佑,山口直弥,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会   5 Dec 2018   
PN-Body Tied SOI MOSFET の重イオン照射効果
古川遼太,金山純一,安田光保,呉研,高橋芳浩
日大理工学術講演会   5 Dec 2018   

Research Grants & Projects

 
電界結合による非接触スリップリングの研究
Project Year: 2018 - 2020
マイクロ機械/知能エレクトロニクス集積化技術の総合研究
文部科学省: 私立大学学術フロンティア推進事業
Project Year: 2004 - 2008
マイクロテクノロジーによるインテリジェントデバイスの開発
日本大学理工学部: 日本大学理工学部研究プロジェクト
Project Year: 2002 - 2003
半導体素子の放射線照射効果に関する研究
日本大学: 日本大学学術研究助成金・一般研究(個人)
Project Year: 2002 - 2002
マイクロテクノロジーによる機能デバイス開発に関する研究
日本大学理工学部: 日本大学理工学部研究プロジェクト
Project Year: 2000 - 2001