高橋 芳浩

J-GLOBALへ         更新日: 17/11/02 02:56
 
アバター
研究者氏名
高橋 芳浩
 
タカハシ ヨシヒロ
eメール
takahashi.yoshihironihon-u.ac.jp
URL
http://www.ecs.cst.nihon-u.ac.jp/
所属
日本大学
部署
理工学部電子工学科
職名
教授
学位
博士(工学)(日本大学), 工学修士(日本大学)
科研費研究者番号
40216768

研究分野

 
 

経歴

 
1989年4月
 - 
2001年3月
日本大学 助手
 
2001年4月
 - 
2007年3月
日本大学 専任講師
 
2007年4月
 - 
2011年3月
日本大学 准教授
 
2011年4月
   
 
日本大学 教授
 

学歴

 
 
 - 
1986年
日本大学 理工学部 電子工学
 
 
 - 
1988年
日本大学 大学院 理工学研究科 電子工学専攻
 

委員歴

 
2015年4月
   
 
日本信頼性学会  評議員
 
2014年4月
 - 
2018年3月
応用物理学会  シリコンテクノロジー分科会 表面・界面・シリコン材料研究委員会 幹事
 
2011年4月
 - 
2015年3月
日本信頼性学会  理事
 
1992年4月
   
 
電子情報通信学会  シリコン材料・デバイス研究専門委員会委員
 

受賞

 
2013年6月
日本信頼性学会 日本信頼性学会 優秀賞 SOIデバイスのソフトエラー耐性強化に関する検討
受賞者: 小倉俊太,高橋芳浩,牧野高紘,小野田忍,平尾敏雄,大島武
 
2009年11月
理工学部学術賞 宇宙用半導体デバイス開発に関する基礎研究
 

論文

 
半導体デバイスに対する宇宙放射線照射効果
高橋芳浩
日本信頼性学会誌   36(8) 460-467   2014年11月   [査読有り][招待有り]
MOS構造の重イオン照射誘起電流およびトータルドーズ効果
平尾敏雄,小野田忍
電子情報通信学会論文誌   J95-C(9) 196-203   2012年9月   [査読有り]
Heavy-ion induced current through an oxide layer
Yoshihiro Takahashi, Takahiro Ohki, Takaharu Nagasawa, Yasuhito Nakajima, Ryu Kawanabe, Kazunori Ohnishi, Toshio Hirao, Shinobu Onoda, Kenta Mishima, Katsuyasu Kawano, Hisayoshi Itoh
B-260(1) 309-313   2007年7月   [査読有り]
New SET Characterization Technique Using SPICE for Fully Depleted CMOS/SOI Digital Circuitry
A. Makihara, T. Ebihara, T. Yokose, Y. Tsuchiya, A. Amano, H. Shindou, R. Imagawa, Y. Takahashi, and S. Kuboyama
55(6) 2921-2927   2008年12月   [査読有り]
MOS構造における重イオン照射誘起電流
高橋芳浩,芝田利彦,大西一功,平尾敏雄,小野田忍,神谷富裕
電子情報通信学会論文誌   J89-C(3) 104-112   2006年3月   [査読有り]

講演・口頭発表等

 
トンネルFETベースCMOS回路のシングルイベント耐性
呉研,和田雄友,岩波悠太,金山純一,高橋芳浩
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月16日   
陽極酸化膜を有する MOS 構造におけるアドミタンス特性
中田友緒,張祺,呉研,高橋芳浩
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月16日   
Sn添加シリコン酸窒化膜のフォトルミネセンス特性(膜厚依存性)
古澤翔太,中村駿介,呉研,高橋芳浩
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月15日   
微細 SOI デバイスにおける重イオン照射効果
和田雄友, 岩波悠太, 金山純一, 長塚藍, 呉研, 高橋芳浩
日大理工学術講演会   2016年12月3日   
気相 Sn を拡散したシリコン酸窒化膜のフォトルミネセンス特性
古澤翔太, 鈴木拓也, 鈴木翼, 中村駿介, 呉研, 高橋芳浩
日大理工学術講演会   2016年12月3日