IKEDA Masanori

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Name
IKEDA Masanori
E-mail
ikeda.masanorinihon-u.ac.jp
Affiliation
Nihon University
Section
College of Engineering, Department of Electrical and Electronic Engineering
Job title
Professor
Degree
Master of Engineering(Nihon University), Doctor of Engineering(Nihon University)
Research funding number
10222902

Research Areas

 
 

Academic & Professional Experience

 
Apr 1985
 - 
Mar 1990
富士通株式会社
 
Apr 1990
 - 
Mar 1995
Research Assistant
 
Apr 1995
 - 
Mar 2002
Lecturer
 
Apr 2002
 - 
Mar 2006
Associate Professor
 
Apr 2006
 - 
Mar 2012
Associate Professor
 

Education

 
 
 - 
1983
Department of Electronic engineering, Faculty of Science and Engineering, Nihon University
 
 
 - 
1985
電子工学, Graduate School, Division of Science and Engineering, Nihon University
 

Published Papers

 
表面光電圧を用いた新しい多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価法
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
電子情報通信学会誌C   J95-C(2) 41-42   Feb 2012   [Refereed]
Alternating current surface photovoltage in thermally oxidized chromium-contaminated n-type silicon wafers
H. Shimizu, S. Shintarou, M. Ikeda
Applied Physics A   104 929-934   May 2011   [Refereed]
表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
池田正則,清水博文,高松弘行,迫田尚和
日本大学工学部紀要   52(2) 35-40   Mar 2011   [Refereed]
Au/PMMA/Ta構造の電流-電圧特性と電気伝導
池田正則,末永勝也,清水博文,鈴鹿敢,吉沢友和
日本大学工学部紀要   52(2) 29-34   Mar 2011   [Refereed]
Characteristics of Sol-Gel Derived and Crystallized HfO2 Thin Films Dependent on Sol Solution
H. Shimizu, D. Nemoto, M. Ikeda, and T. Nishide
Jpn. J. Appl. Phys.   49 121502   Dec 2010   [Refereed]
Hirofumi Shimizu, Sadayoshi Shimada, Masanori Ikeda
Jpn. J. Appl. Phys.   49 038001   Mar 2010   [Refereed]
Irregular Au profile on the SiO2 surface and at the SiO2/Si interface and the oxidation kinetics of thermally oxidized Au-contaminated n-Si (001) surface
H. Shimizu , S. Shimada , S. Nagase , S. Muta
J. Vac. and Technol.   28(1) 94   Jan 2010   [Refereed]
Si(100) - (2×1)表面の初期酸化過程における放出Si原子挙動の走査型トンネル顕微鏡観察
渡邉清人,清水博文,小川修一,高桑雄二:
表面科学   30(12) 694-701   Dec 2009   [Refereed]
Characterization of Sol-Gel Derived and Crystallized ZrO2 Thin Film
H. Shimizu,T. Nishide
Jpn. J. Appl. Phys.   48 101101   Oct 2009   [Refereed]
ゾル溶液の違いによるゾル-ゲル法によるHfO2薄膜の評価
根本大樹,清水博文,西出利一
日本大学工学部紀要   51(1) 23-32   Sep 2009   [Refereed]
Cr故意汚染して熱酸化したn型Siの交流表面光電圧法による金属誘起電荷の解析
嶋田定剛,清水博文
日本大学工学部紀要   51(1) 33-41   Sep 2009   [Refereed]
Au/N-type Si Schottky-barrier contact and oxidation kinetics in Au-contaminated and thermally oxidized N-type Si (001) surfaces
H. Shimizu , H. Wakashima , S. Shimada , T. Ishikawa and M. Ikeda
Surface and Interface Analysis   40 627-630   2008   [Refereed]
ゾル-ゲル法によるZrO2薄膜の作製プロセスと評価
小長井聡,池田正則,清水博文,小山奈美,西出利一
日本大学工学部紀要   49(2)    Mar 2008   [Refereed]
Au/N-type Si Schottky-barrier contact and oxidation kinetics in Au-contaminated and thermally oxidized N-type Si(001) surfaces
H. Shimizu, H. Wakashima, S. Shimada, T. Ishikawa and M. Ikeda
Surface and Interface Analysis   40 627-630   Jan 2008   [Refereed]
Effect of Zn on Segregation of ZnO Rich SiO2 Layer and Reduced Oxidation Rate in Thermally Oxidized Si(001)
H. Shimizu , H. Wakashima , M. Ikeda , and T. Sato
Jpn. J. Appl. Phys.   46(12) 7702-7704   Dec 2007   [Refereed]
Quantitative Estimation of Aluminum-Induced Negative Charge Region Top Area of SiO2 Based on Frequency-Dependent AC Surface Photovoltage
H. Shimizu , H. Wakashima , T. Ishikawa , and M. Ikeda
Jpn. J. Appl. Phys.   46(11) 7297-7299   Nov 2007   [Refereed]
マイクロ波光導電減衰法及び表面光電圧法による熱酸化したAu析出n型Siウェーハの少数キャリアライフタイムの評価
池田正則,小泉勲,吉田敏之,石川卓磨,清水博文
日本大学工学部紀要   49(1) 55-60   Sep 2007   [Refereed]
Temperature-Programmed Desorption Analyses of Sol-Gel Deposited and Crystallized HfO2 Films
H. Shimizu , T. Sato , S. Konagai , M. Ikeda , T. Takahashi , and T. Nishide
Jpn. J. Appl. Phys.   46(7A) 4209-4214   Jul 2007   [Refereed]
Analysis of Au/Si Schottky Barrier Type AC Surface Photovoltage in Silicon Wafer Surface Dipped into Au Aqueous Solution
E. Omori, H. Shimizu, M. Ikeda
Electronics and Communications in Japan, Part 2   90(6) 27-33   Jun 2007   [Invited]
Au析出Si表面におけるショットキー型交流表面光電圧の解析
大森絵理,清水博文,池田正則
電子情報通信学会論文誌C   J89-C(7) 492-498   Jul 2006   [Refereed]

Misc

 
Au水溶液浸漬によるAu/n-Si(100)ショットキー障壁の形成
池田正則,清水博文
表面科学   33(3) 135-140   Mar 2012   [Invited]
導電性高分子膜/Ta2O5/Ta構造モデルセルの電流-電圧特性と温度依存性
池田正則,柳沼寛寿,生田目大輔,清水博文,北村武久,濱良樹,柴崎陽子,飯田和幸
電解蓄電器評論   123 1-11   Sep 2009   [Invited]

Books etc

 
基礎からの半導体工学
清水博文,星陽一,池田正則 (Part:Joint Work)
日新出版   Apr 2003   

Conference Activities & Talks

 
金属誘起結晶化法で作製したSi薄膜の表面光電圧測定
池田正則,高野隆盛
2018年日本表面真空学会学術講演会   19 Nov 2018   
MIC法で作製したSi薄膜の表面光電圧測定
高野 隆盛, 池田 正則
2017年(平成29年)応用物理学会東北支部第72回学術講演会   30 Nov 2017   応用物理学会東北支部
O2暴露により生じるSi(100)-(2×1)表面構造変化の温度依存性
菅野 陽介,池田正則
2017年真空・表面合同講演会第37回表面科学学術講演会   17 Aug 2017   表面科学会
走査型トンネル顕微鏡によるSi(100)-(2×1)表面の初期酸化過程観察
菅野陽介,池田正則
平成28年度日本表面科学東北・北海道支部学術講演会   9 Mar 2017   日本表面科学東北・北海道支部
交流表面光電圧法による熱酸化したSiにおける酸化膜電荷の評価
渡邉宣之,池田正則
2016年真空・表面合同講演会第36回表面科学学術講演会   30 Nov 2016   表面科学会

Patents

 
特許第5091795号 : シリコン半導体薄膜の結晶性評価装置及び結晶性評価装置
清水博文

Others

 
Jul 2006
マイクロ波光導電減衰法および表面光電圧による半導体シリコンの評価 〜金属原子の挙動と汚染計測〜
Nov 2004
超高集積化半導体デバイス対応の誘電体薄膜及び半導体表面科学に関する研究