田中秀司 (Shuji Tanaka) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 福岡工業大学工学部電子情報工学科教授

学位: 博士（工学）(宮崎大学)

J-GLOBAL ID: 200901072761544216
researchmap会員ID: 1000118476

外部リンク: http://www.fit.ac.jp/elec/lab/kita-tanalab/index.html

研究キーワード

2

研究分野

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学歴

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MISC

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Distribution of substitutional nickel atoms in dislocation-free silicon studied by deep level transient spectroscopy and theoretical analyses based on the dissociative mechanism of diffusion

S Tanaka, T Ikari, H Kitagawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 41(11A) 6305-6309 2002年11月
Precipitation-Enhanced Diffution of Nickel in Dislocation-Freesilicon Studies by In-Diffusion and Annealing Processes

Physica B308-310 308-310, PP427-430 2001年
In-Diffusion and Annealing Processes of Substitutional Nickel Atoms in Dislocation-Free Silicon(共著)

Japanese Journal of Applied Physics 40(part1) 5A,3063-3068 2001年
極微粒ダイヤモンド砥粒を用いた多層電着工具の開発(共著)

仙波卓弥, 田中秀司, 竹内恵三

日本機械学会 66(643) 1057-1063 2000年
Development of Multilayered Electroplated Diamond Tool with Fine Grains

Takuya Senba, Shuji Tanaka, Keizo Takeuchi

Nihon Kikai Gakkai Ronbunshu, C Hen/Transactions of the Japan Society of Mechanical Engineers, Part C 66(643) 1057-1063 2000年
Iron-related defect model in n-type silicon based on the electrical and diffusion properties

Hajime Kitagawa, Shuji Tanaka

Physica B: Condensed Matter 273-274 416-419 1999年12月15日
シリコンP⁺/nエピタキシャルダイオードへの正孔注入によるn形シリコン中鉄関連欠陥の再結合増速解離

福岡工業大学研究論集 32(1) 77-82 1999年
無転位シリコンバルク中ニッケルの析出と空孔子点の生成消滅源

福岡工業大学研究論集 31(2) 277-285 1999年
シリコンp+/nエピタキシャルダイオードへの正孔注入にするn形シリコン中鉄関連欠陥の再結合増速解離

田中秀司, 北川興

福岡工業大学研究論集 32(1) 77-82 1999年
Precipitation of Nickel in Bulk of Dislocation-Free N-type Silicon, and Sinks and Sources of Vacancy Annihilation and Generation

Research Bulletin of Fukuoka Institute of Technology 31(2) 277-285 1999年
Dissociative Diffusion of Nickel in Silicon, and Siuks and Sources of Vacancy Annihilation and Generation in the Crgstal Bulk.

Physica 273/274 391-394 1999年
Diffusion and electrical Properties of Iron-Related Detects in N-Type Silicon Grown by Czochralski-and Floating Zone Method

Shuji Tanaka, Hajime Kitagawa

Japanese Journal of Applied P Physics 37(9A) 4656-4662 1998年
Electrical Properties of Iron-Related Defects in Cz-and Fz-Grown N-Type Silicon.

Materials Research Society. 510 47 1998年
In-Diffusion and Isothermal Annealing of Iron-Related Defects in Czochralski N-Type Silicon.

Japanese Journal of Applied Physics 37(1A/B) L4-L6 1998年
Majority-carrier capture cross section of amphoteric nickel center in silicon studied by isothermal capacitance transient spectroscopy

S Tanaka, K Matsushita, H Kitagawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 35(9A) 4624-4625 1996年9月
Iron-Related Donor Level in N-Type Silicon.

Japanese Journal of Applied physics 34(6B) L721-L723 1995年
等温アニールによるn形シリコン中鉄欠陥準位の挙動

福岡工業大学研究論集 26(1) 29-34 1993年
ホール効果とDLTS測定によるn形シリコン中鉄関連準位の研究(共著)

北川興, 田中秀司, Kimerling Lionel C.

福岡工業大学研究論集 25(2) 143-153 1993年
Isothermal Annealing Behavior of Iron-Related Defects in n-Type Silicon

Research Bulletin of Fukuoka Institute of Technology 26(1) 29-34 1993年
Investigation of Iron-Related Levels in n-Type Silicon by Hall Effect and DLTS Measurements

Research Bulletin of Fukuoka Institute of Technology 25(2) 143-153 1993年

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所属学協会

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共同研究・競争的資金等の研究課題

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