藤原康文 (Yasufumi Fujiwara) - マイポータル

基本情報

所属: 立命館大学

学位: 工学博士(1986年9月大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901001948614043
researchmap会員ID: 1000162436

研究キーワード

研究分野

経歴

2022年4月 - 現在

大阪大学, エマージングサイエンスデザインR3センター, センター長
2003年7月 - 現在

大阪大学, 大学院工学研究科, 教授
2017年4月 - 2022年3月

大阪大学, ナノサイエンスデザイン教育研究センター, センター長
2019年10月 - 2020年3月

鳥取大学, 大学院工学研究科, 非常勤講師
2015年8月 - 2016年8月

大阪大学, 副理事
2006年4月 - 2011年3月

東京理科大学, 総合研究機構, 客員教授
2008年10月 - 2009年3月

京都大学, 大学院工学研究科, 非常勤講師
2006年4月 - 2009年3月

大阪教育大学, 教育学部, 非常勤講師
2007年10月 - 2008年3月

京都大学, 大学院工学研究科, 非常勤講師
2003年7月 - 2004年3月

名古屋大学, 大学院工学研究科, 非常勤講師
1997年4月 - 2003年6月

名古屋大学, 大学院工学研究科, 助教授
1993年4月 - 1997年3月

名古屋大学, 工学部, 助教授
1995年11月 - 1996年1月

University of Illinois at Urbana-Champaign, Materials Research Laboratory and Department of Electrical and Computer Engineering, Visiting Associate Professor
1991年1月 - 1993年3月

大阪大学, 基礎工学部, 講師
1985年8月 - 1991年1月

大阪大学, 基礎工学部, 助手

学歴

1983年4月 - 1985年7月

大阪大学, 基礎工学研究科, 物理系専攻電気工学分野博士後期課程
1981年4月 - 1983年3月

大阪大学, 基礎工学研究科, 物理系専攻電気工学分野博士前期課程
1977年4月 - 1981年3月

大阪大学, 基礎工学部, 電気工学科

委員歴

2020年3月 - 2022年3月

公益社団法人応用物理学会, 副会長
2009年

（社）日本金属学会, セミナー・シンポジウム委員会委員
2008年

（社）日本材料学会, 学会将来構想WGメンバー
2007年

（社）日本金属学会, 分科会委員会委員
2004年

Japanese Journal of Applied Physics, 編集委員

受賞

2021年12月

Best Paper Award, Eu-Doped GaN-Based Red LEDs as a Key Technology for Micro-LED Displays with Ultrahigh Resolution, International Display Workshop 2021 (IDW'21)

Yasufumi Fujiwara, Shuhei Ichikawa, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi
2021年11月

大阪大学賞（教育貢献部門）, 工学分野でのASEANキャンパスを活用した双方向ハイブリッド型教育プログラム推進, 国立大学法人大阪大学

藤原康文
2021年1月

蛍光体賞, 次世代マイクロLEDディスプレイに資するEu添加GaN赤色発光ダイオードの高輝度化とRGB集積化, 電気化学会蛍光体同学会
2020年4月

文部科学大臣表彰科学技術賞（研究部門）, 半導体イントラセンターフォトニクスの開発, 文部科学省
2019年3月

業績賞, 日本学術振興会光電相互変換第125委員会
2017年9月

フェロー, 公益社団法人応用物理学会
2015年5月

レーザー学会賞（論文賞）, 一般社団法人レーザー学会
2014年7月

平成26年国立大学法人大阪大学総長顕彰, 国立大学法人大阪大学
2013年8月

平成25年国立大学法人大阪大学総長顕彰, 国立大学法人大阪大学
2013年3月

JJAP/APEX編集貢献賞, 公益社団法人応用物理学会
2011年8月

平成23年国立大学法人大阪大学研究功績賞（研究部門）, 国立大学法人大阪大学
2010年9月

第32回応用物理学会優秀論文賞, 社団法人応用物理学会
2010年2月

平成21年度国立大学法人大阪大学教育・研究功績賞, 国立大学法人大阪大学
2005年3月

VBL情報・システムプロジェクト最優秀融合研究企画賞, 大阪大学
2004年3月

光都ビジネスコンペin姫路優秀賞, 姫路商工会議所
2002年3月

永井科学技術財団財団賞（学術賞）, 永井科学技術財団
1981年3月

楠本賞, 大阪大学

論文

371

An efficiently excited Eu3+ luminescent site formed in Eu,O-codoped GaN

Takenori Iwaya, Shuhei Ichikawa, Volkmar Dierolf, Brandon Mitchell, Hayley Austin, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara

AIP Advances 14(2) 2024年2月1日
Enhancement of Er luminescence from bridge-type photonic crystal nanocavities with Er, O-co-doped GaAs

Zhidong Fang, Jun Tatebayashi, Ryohei Homi, Masayuki Ogawa, Hirotake Kajii, Masahiko Kondow, Kyoko Kitamura, Brandon Mitchell, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara

Optics Continuum 2(10) 2178-2178 2023年10月3日
Fabrication of polarity inverted LiNbO₃/GaN channel waveguide by surface activated bonding for high-efficiency transverse quasi-phase-matched wavelength conversion

Ryosuke Noro, Mariko Adachi, Yasufumi Fujiwara, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

Japanese Journal of Applied Physics 62(10) 102001-102001 2023年10月1日
Formation and Optical Characteristics of GaN:Eu/GaN Nanowires for Applications in Light-Emitting Diodes

Jun Tatebayashi, Takaya Otabara, Takuma Yoshimura, Raiki Hada, Ryo Yoshida, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara

ECS Journal of Solid State Science and Technology 2023年9月6日
Electrically driven europium-doped GaN microdisk

T. Taniguchi, D. Timmerman, S. Ichikawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

Optics Letters 48(17) 4590-4590 2023年8月28日
Second harmonic generation from a-plane GaN vertical monolithic microcavity pumped with femtosecond laser

Tomoaki Nambu, Tomohiro Nakahara, Yuma Yasuda, Yasufumi Fujiwara, Masayoshi Tonouchi, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

Applied Physics Express 16(7) 072005-072005 2023年7月1日
Red Electroluminescence from Light Emitting Diodes Based on Eu-Doped ZnO Embedded in p-GaN/Al₂O₃/n-ZnO Heterostructures

Jun Tatebayashi, Kazuto Nishimura, Shuhei Ichikawa, Shinya Yamada, Yoshikata Nakajima, Kazuhisa Sato, Kohei Hamaya, Yasufumi Fujiwara

ECS Journal of Solid State Science and Technology 12(7) 076017-076017 2023年7月1日
229 nm far-ultraviolet second harmonic generation in a vertical polarity inverted AlN bilayer channel waveguide

Hiroto Honda, Soshi Umeda, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Shuhei Ichikawa, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi …

Applied Physics Express 16(6) 062006-062006 2023年6月1日
Half‐Metallic Heusler Alloy/GaN Heterostructure for Semiconductor Spintronics Devices

Shinya Yamada, Masatoshi Kato, Shuhei Ichikawa, Michihiro Yamada, Takahiro Naito, Yasufumi Fujiwara, Kohei Hamaya

Advanced Electronic Materials 2023年5月9日
Demonstration of GaN:Eu/GaN nanowire light emitting diodes grown by selective-area organometallic vapor phase epitaxy

T. Otabara, J. Tatebayashi, T. Yoshimura, D. Timmerman, S. Ichikawa, Y. Fujiwara

Japanese Journal of Applied Physics 62(SG) SG1018-SG1018 2023年3月3日
Enhanced light output of Eu, O-codoped GaN caused by reconfiguration of luminescent sites during post-growth thermal annealing

T. Iwaya, S. Ichikawa, D. Timmerman, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

Applied Physics Letters 122(3) 032102-032102 2023年1月16日
Second harmonic generation in GaN transverse quasi-phase-matched waveguide pumped with femtosecond laser

Naoki Yokoyama, Yoshiki Morioka, Tomotaka Murata, Hiroto Honda, Kazunori Serita, Hironaru Murakami, Masayoshi Tonouchi, Shigeki Tokita, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara …

APPLIED PHYSICS EXPRESS 15(11) 2022年11月
Formation and Optical Characteristics of Tm,Yb-Codoped ZnO Nanowires Towards Improvement of Photovoltaic Conversion Efficiency Via Downconversion

Jun TATEBAYASHI, Naoto NISHIYAMA, Dolf TIMMERMAN, Shuhei ICHIKAWA, Yasufumi FUJIWARA

Journal of the Society of Materials Science, Japan 71(10) 811-818 2022年10月15日
Improved Q-factors of III-nitride-based photonic crystal nanocavities by optical loss engineering

Takenori Iwaya, Shuhei Ichikawa, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara

Optics Express 30(16) 28853-28864 2022年8月1日査読有り最終著者
Formation and optical characteristics of GaN:Eu/GaN core-shell nanowires grown by organometallic vapor phase epitaxy

T. Otabara, J. Tatebayashi, S. Hasegawa, D. Timmerman, S. Ichikawa, M. Ichimiya, M. Ashida, Y. Fujiwara

Japanese Journal of Applied Physics 61(SD) 1022/1-1022/5 2022年6月査読有り最終著者
DUV coherent light emission from ultracompact microcavity wavelength conversion device

Tomoaki Nambu, Taketo Yano, Soshi Umeda, Naoki Yokoyama, Hiroto Honda, Yasunori Tanaka, Yutaka Maegaki, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura, Shuhei Kobayashi …

Optics Express 30(11) 18628-18628 2022年5月23日査読有り
GaN channel waveguide with vertically polarity inversion formed by surface activated bonding for wavelength conversion

Naoki Yokoyama, Ryo Tanabe, Yuma Yasuda, Hiroto Honda, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Toshiki Hikosaka, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama

Japanese Journal of Applied Physics 61(5) 050902-050902 2022年5月1日
Elucidation of the excitation mechanism of Tb ions doped in AlxGa1−xN grown by OMVPE toward a wavelength-stable green emitter

R. Komai, S. Ichikawa, H. Hanzawa, J. Tatebayashi, Y. Fujiwara

Journal of Applied Physics 131(7) 073102-073102 2022年2月21日査読有り最終著者
Modeling defect mediated color-tunability in LEDs with Eu-doped GaN-based active layers

Hayley J. Austin, Brandon Mitchell, Dolf Timmerman, Jun Tatebayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara, Volkmar Dierolf

Journal of Applied Physics 131(4) 045701-045701 2022年1月31日査読有り
Eu-Doped GaN Red LEDs for Next-Generation Micro-LED Displays

Yasufumi FUJIWARA, Shuhei ICHIKAWA, Dolf TIMMERMAN, Jun TATEBAYASHI

NIHON GAZO GAKKAISHI (Journal of the Imaging Society of Japan) 60(6) 593-605 2021年12月10日査読有り招待有り筆頭著者

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主要なMISC

147

Nanoscale ErP islands on InP(001) substrate grown by organometallic vapor-phase epitaxy

Leonid Bolotov, Takahiro Tsuchiya, Takashi Ito, Yasufumi Fujiwara, Yoshikazu Takeda, Arao Nakamura

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers 38(2 B) 1060-1063 1999年査読有り

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書籍等出版物

"Extremely large Er excitation cross section in Er,O-codoped GaAs light emitting diodes grown by organometallic vapor phase epitaxy"

Materials Research Society Symposium Proceedings, Progress in Semiconductors II--Electronic and Optoelectronic Applications 2003年
"ESR study of heavily doped GaAs:Er grown by organometallic vapor phase epitaxy"

EPR in the 21st Century: Basics and Applications to Material, Life and Earth Sciences 2002年
"Organometallic vapor phase and droplet heteroepitaxy of quantum structur"

InP and Related Compounds -Materials, Applications and Devices-, Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices 2000年
"Growth condition dependences of optical properties of Er in InP and local structures"

InP and Related Compounds -Materials, Applications and Devices-, Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices 2000年
"Formation of InGaAs Dots on InP Substrate with Lattice-Matching Growth Condition by Droplet Heteroepitaxy"

Institute of Physics Conference Series 1999年
"High Thermal-Stability of Er-Related Luminescence and Atom Configurations around Er Atoms Doped in InP by OMVPE Growth"

Institute of Physics Conference Series 1999年
エンサイクロペディア電子情報通信ハンドブック

オーム社 1998年
"Extremely Sharp Er-Related Luminescence in Er-Doped GaP Grown by OMVPE with TBP"

Institute of Physics Conference Series 1998年
"EXAFS and X-Ray CTR Scattering Characterization of Er Doped in InP by OMVPE"

Materials Research Society Symposium Proceedings 1996年
"Erbium δ-Doping to InP by OMVPE"

Institute of Physics Conference Series 1996年
"Erbium Doping to P-Based III-V Semiconductors by OMVPE with TBP as a Non-toxic P Source"

Materials Science Forum 1995年
"Visible Photoluminescence of Porous Silicon"

Materials Science Forum 1993年
光・薄膜技術マニュアル

オプトロニクス社 1989年
高温超伝導材料プロセスと応用技術

アイピーシー出版部 1989年
"Characterization of High Tc Superconductors by Luminescence Method"

Progress in High Temperature Superconductivity 1989年
"Thin Films And Their Applications in Opto-Electronics"

Optronics 1989年
"Process and Application of High Tc Superconductors"

IPC Press 1989年
"Luminescence Study of New High Tc Oxide Superconductors"

Advances in Superconductivity 1988年
"Characterization of LnBaCuO(Ln=Er, Eu, Gd. . . )Ceramics by Photo and Thermally Stimulate Luminescence"

Proc. MRS Intern. Mtg. Advanced Materials 1988年
"Local Strain Field in In-Doped Semi-Insulating GaAs"

Semi-Insulating III-V Materials 1986年

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講演・口頭発表等

Enhanced Eu luminescence in GaN: Eu,O-based light emitting diodes via introduction of nanostructures and nanocavities

Jun Tatebayashi, Shuhei Ichikawa, Yasufumi Fujiwara

Proceedings of AM-FPD 2020 - 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials 2020年9月
Evaluations of Selective Dry Etching of GaAs Core Layer having Embedded InAs Quantum Dots Using Optical Measurements towards Photonic Crystal Laser Fabrication

Takumi Okunaga, Tatsuhiro Nozue, Yifan Xiong, Hirotake Kajii, Masato Morifuji, Jun Tatebayashi, Yasufumi Fujiwara, Tsutomu Nishihashi, Masahiko Kondow

2020 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD) 2020年9月 IEEE
Characterization of Epitaxial Si Films Grown at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition

Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology, pp.69-70, Osaka, Japan. 2006年
Photoluminescence properties of ion-beam synthesized b-FeSi2/Si interface [Invited Talk]

Proceedings of the International Workshop on Sustainable Energy and Materials (Tokyo, Japan, September 5, 2006) pp. 3-39-3-42. 2006年招待有り
Characterization of Epitaxial Silicon Films Grown by Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures(450-600℃)

Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 2006, pp.1094-1095. 2006年
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体光デバイスの新しい潮流【招待講演】

日本金属学会セミナー「非シリコン半導体の現状と展望」 (2006) pp. 5-10. 2006年
INTERFACE STRESS AT InGaPAs/GaAs HETEROJUNCTION.

Sho Shirakata, Yasufumi Fujiwara, Masahiko Kondo, Taneo Nishino, Yoshihiro Hamakawa

Conference on Solid State Devices and Materials 1985年
CHARACTERIZATION OF RESIDUAL STRESS IN SEMI-INSULATING GaAs:Cr BY PHOTOLUMINESCENCE METHOD.

Y. Fujiwara, A. Kojima, T. Nishino, Y. Hamakawa, K. Yasutaka, M. Umeno, H. Kawabe

Conference on Solid State Devices and Materials 1984年

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

半導体イントラセンター・フォトニクスの新展開

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2023年4月 - 2028年3月

藤原康文, 林好一, 小島一信, 市川修平, 佐藤和則, 舘林潤
半導体イントラセンター・フォトニクスの開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究特別推進研究 2018年4月 - 2023年3月

藤原康文, 舘林潤, 市川修平, 芦田昌明, 佐藤和則
超狭帯域発光ダイオードによる細胞光エンジニアリング

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2017年6月 - 2019年3月

藤田静雄, 藤原康文
半導体における希土類発光機能のフォトン場制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2017年4月 - 2019年3月

藤原康文, 舘林潤, 市川修平, 児島貴徳
半導体に添加された希土類イオンを用いた次世代太陽電池用高効率波長変換材料の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2018年3月

藤原康文
希土類添加材料の発光強度10倍増へのアプローチ：マイクロ波吸収による消光要因探求

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2014年4月 - 2017年3月

石井真史, 藤原康文, 大観光徳, 渕真悟, 竹田美和, 広崎尚登, 小泉淳, 吉松良
希土類添加窒化物半導体における赤色発光機構の解明／制御による高輝度発光素子の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 基盤研究(S) 2012年5月 - 2017年3月

藤原康文, 吉田博, 小泉淳, 児島貴徳, 寺井慶和
半導体に精密添加された希土類イオンに起因する量子情報機能の開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2014年4月 - 2016年3月

藤原康文
赤色発光を示す希土類添加窒化物半導体におけるエネルギー輸送機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2012年4月 - 2013年3月

藤原康文
希土類添加半導体を用いたテラヘルツ波発生/検出素子の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2011年 - 2012年

藤原康文, 寺井慶和, 西川敦
希土類元素添加の精密制御による物性・機能性の開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業学術創成研究費学術創成研究費 2007年 - 2011年

藤原康文, 寺井慶和, 西川敦, 市田秀樹, 朝日一, 長谷川繁彦, 江村修一, 周逸凱, 太田仁, 大久保晋
再現性に優れるGaInNAs結晶技術の確立および長波長半導体レーザへの適用

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2006年 - 2010年

近藤正彦, 藤原康文, 森伸也, 百瀬英毅, 石川史太郎, 森藤正人
希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現

日本学術振興会科学研究費助成事業 2008年 - 2008年

藤原康文, 寺井慶和, 斗内政吉, 市田秀樹
希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2007年 - 2008年

藤原康文, 寺井慶和, 斗内政吉, 市田秀樹
希土類添加半導体を基盤とした光ナノ共振器の作製と発光特性の評価

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究萌芽研究 2007年 - 2008年

藤原康文, 寺井慶和
希土類添加半導体の励起・緩和機構の解明と波長超安定発光デバイス高性能化への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2006年 - 2007年

藤原康文, 寺井慶和, 斗内政吉, 近藤正彦
希土類添加半導体の秩序制御と高次発光機能の発現

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2005年 - 2006年

藤原康文, 寺井慶和, 斗内政吉, 市田秀樹
Siベース発光デバイス用材料:β-FeSi2単結晶の作製とホモエピタキシャル成長

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究萌芽研究 2005年 - 2006年

藤原康文, 山内勇, 寺井慶和, 末益崇
テラヘルツエミッション顕微鏡の開発とLSI故障解析への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2004年 - 2006年

斗内政吉, 村上博成, 川山厳, 藤原康文, 川瀬晃道, 二川清
希土類元素添加半導体の新展開:秩序制御による新しいスピン物性の発現

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2004年 - 2005年

藤原康文, 斗内政吉, 白井光雲, 太田仁, 藤村紀文, 大渕博宣

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産業財産権

特願2021-120455 希土類添加半導体素子とその製造方法

藤原康文, 上村強, 宮永和恒, 神﨑伯夫
特許6876337 窒化物半導体基板とその製造方法および半導体デバイス

藤原康文, 朱婉新, 小泉淳, Brandon Mitchell, Tom Gregorkiewicz
特願2021-028698 希土類添加窒化物半導体素子とその製造方法、半導体ＬＥＤ、半導体レーザー

藤原康文, 市川修平, 竹尾敦志, 舘林潤
特許6788301 AlInN膜および２次元フォトニック結晶共振器とこれらの製造方法ならびに半導体発光素子

藤原康文, 稲葉智宏
特願2019-160339 近赤外発光半導体素子とその製造方法

市川修平, 吉岡尚輝, 藤原康文, 舘林潤
特願2019-145022 表示装置およびその製造方法

藤原康文, 上野山雄, 舘林潤, 市川修平
特願2019-029938 窒化物半導体デバイスとその基板、および希土類元素添加窒化物層の形成方法

市川修平, 藤原康文, 舘林潤
特許6450061 赤色発光半導体素子とその製造方法

藤原康文, 西川敦, 寺井慶和
特許5896454 赤色発光半導体素子とその製造方法

藤原康文, 西川敦, 寺井慶和
特許6222684 赤色発光半導体素子とその製造方法

藤原康文, 小泉淳
特許6048896 窒化物半導体素子用基板とその製造方法、および赤色発光半導体素子とその製造方法

藤原康文, 小泉淳, 寺井慶和
特許5388041 赤色発光半導体素子および赤色発光半導体素子の製造方法

西川敦, 藤原康文, 寺井慶和, 川崎隆司, 古川直樹
新規な結晶材料

藤原康文

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学歴

委員歴

受賞

論文

主要なMISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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