更家淳司 (Junji Saraie) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 旧所属京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科教授

学位: 工学博士(京都大学)
工学修士(京都大学)
工学士(京都大学)

J-GLOBAL ID: 200901017549738808
researchmap会員ID: 1000162956

研究キーワード

6

研究分野

3

学歴

4

委員歴

2

1999年

応用物理学会, 理事
1999年

Japan Society of Applied Physics, Director

MISC

113

Widening of optical bandgap of polycrystalline InN with a few percent incorporation of oxygen

M Yoshimoto, H Yamamoto, W Huang, H Harima, J Saraie, A Chayahara, Y Horino

APPLIED PHYSICS LETTERS 83(17) 3480-3482 2003年10月
Metastable GaAsBi alloy grown by molecular beam epitaxy

M Yoshimoto, S Murata, A Chayahara, Y Horino, J Saraie, K Oe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 42(10B) L1235-L1237 2003年10月
Widening of optical bandgap of polycrystalline InN with a few percent incorporation of oxygen

M Yoshimoto, H Yamamoto, W Huang, H Harima, J Saraie, A Chayahara, Y Horino

APPLIED PHYSICS LETTERS 83(17) 3480-3482 2003年10月
Metastable GaAsBi alloy grown by molecular beam epitaxy

M Yoshimoto, S Murata, A Chayahara, Y Horino, J Saraie, K Oe

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 42(10B) L1235-L1237 2003年10月
Fabrication of quantum dots of Ⅱ-Ⅵsemiconductors and Application to Light-emitting devices

更家淳司, 松村信男

J.Vac.Sac.Jpn 46(2) 111-115 2003年
Fabrication of InN/Si heterojunctions with rectisfying characteristics

phys.stat.sol.(C) 1-4 2003年
Growth conditions in molecukar beam epitany for controlling CdSeTe epilayer conposition

J.Criptal Growth (251.602-606) 2003年
Ⅱ－Ⅵ族半導体量子ドットの作製と発光デバイスへの応用

真空協会誌 (46) 111-115 2003年
Fabrication of InN/Si heterojunctions with rectisfying characteristics

phys.stat.sol.(C) 1-4 2003年
Growth conditions in molecukar beam epitany for controlling CdSeTe epilayer conposition

J.Criptal Growth (251.602-606) 2003年
Fabrication of quantum dots of II-VI semiconductors and application to light-emitting devices

Junji Saraie, Nobuo Matsumura

Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan 46(2) 111-115 2003年
Composition control of CdSeTe layers grown by molecular beam epitaxy

Nobuo Matsumura, Takuya Sakamoto, Junji Saraie

Journal of Crystal Growth 237-239(1-4) 1550-1553 2002年4月
Fabrication of wurtzite quantum-well structures of CdSe/ZnCdSe by molecular beam epitaxy

J.Crystal Grwoth 237-239, pp.1536-1540 2002年
Fabrication of ZnSe diodes with CdSe quantum-dot layers by molecular beam epitaxy

phys.stat.sol.(b) 229, pp.1039-1042 2002年
Composition control of CdSeTe layers grown by molecular beam epitaxy

J.Crystal Growth 237-239, pp.1550-1553 2002年
Fabrication of wurtzite quantum-well structures of CdSe/ZnCdSe by molecular beam epitaxy

J.Crystal Grwoth 237-239, pp.1536-1540 2002年
Fabrication of ZnSe diodes with CdSe quantum-dot layers by molecular beam epitaxy

N. Matsumura, H. Endo, J. Saraie

Physica Status Solidi (B) Basic Research 229(2) 1039-1042 2002年
Photoluminescence of self-assembled CdSe quantum dots by molecular beam epitaxy

J.Crystal Growth 227-228, pp.1121-1125 2001年
GaAsP pn diode on Si substrate grown by metalorganic molecular beam epitaxy for visible light-emitting devices

Jpn.J.Appl.Phys. 40, pp3953-3959 2001年
Direct observation of polytype domains in GaN using a cryogenic scanning photoluminescence microscope with sub-micron spacial resolution

Jpn.J.Appl.Phys. 40, pp.3159-3160 2001年

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書籍等出版物

14

MBE growth of InN on Si toward hole-barrier structure in Si devices

IPAP Conf.Series 1, 2000年
MBE growth of InN on Si toward hole-barrier structure in Si devices

IPAP Conf.Series 1, 2000年
Topmost surface analysis of 6H-SiC (0001) by coaxial impact collision ion scattaring spectroscopy

Inst. Phys. Conf. Ser. 1996年
Growth of cubic SiC on Si substrate by CVD using Hexa-methyldisilane and hexachlorodisilane

Inst. Phys. Conf. Ser. 1996年
Sublimation growth of cubic SiC bulk

Inst. Physics Conf. Ser. 1996年
Sublimation growth of 6H-SiC bulk

Inst. Physics Conf. Ser. 1996年
Topmost surface analysis of 6H-SiC (0001) by coaxial impact collision ion scattaring spectroscopy

Inst. Phys. Conf. Ser. 1996年
Growth of cubic SiC on Si substrate by CVD using Hexa-methyldisilane and hexachlorodisilane

Inst. Phys. Conf. Ser. 1996年
Sublimation growth of cubic SiC bulk

Inst. Physics Conf. Ser. 1996年
Sublimation growth of 6H-SiC bulk

Inst. Physics Conf. Ser. 1996年
Crystal Growth of SiC on AlN/sapphire by CVD method

Institute of Physics Conference Series NO. 137 1994年
Crystal Growth of SiC on AlN/sapphire by CVD method

Institute of Physics Conference Series NO. 137 1994年
New functionality materials

Elsevier 1993年
New functionality materials

Elsevier 1993年

所属学協会

7

共同研究・競争的資金等の研究課題

14