志村考功 (Takayoshi Shimura) - マイポータル

基本情報

所属: 早稲田大学大学院情報生産システム研究科教授

学位: 博士(工学)(名古屋大学)

連絡先: shimuraaoni.waseda.jp
研究者番号: 90252600
J-GLOBAL ID: 200901097234782713
researchmap会員ID: 1000163090

研究キーワード

研究分野

経歴

2024年4月 - 現在

大阪大学, 工学研究科, 招へい教授
2024年4月 - 現在

早稲田大学, 大学院情報生産システム研究科, 教授
2020年4月 - 2024年3月

大阪大学工学研究科物理学系専攻, 准教授
2007年1月 - 2024年3月

大阪大学・准教授
2007年4月 - 2020年3月

大阪大学工学研究科生命先端工学専攻, 准教授
2007年4月 - 2011年3月

大阪大学先端科学イノベーションセンター, 兼任准教授
2007年2月 - 2007年3月

大阪大学工学研究科生命先端工学専攻, 助教授
2005年8月 - 2007年1月

大阪大学工学研究科精密科学・応用物理学専攻, 助手
1993年4月 - 2007年1月

大阪大学助手
2007年

- 大阪大学・准教授
2007年

- Osaka University, Associate Professor
2005年4月 - 2005年7月

大阪大学工学研究科生命先端工学専攻, 助手
1998年8月 - 2005年3月

大阪大学工学研究科, 助手

受賞

2016年9月

第8回（2016年秋季）応用物理学会 Poster Award, 公益社団法人応用物理学会

冨田崇史, 岡博史, 小山真広, 田中章吾, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
2016年3月

第7回（2016年春季）応用物理学会 Poster Award, 応用物理学会

小川慎吾, 淺原亮平, 箕浦佑也, 迫秀樹, 川崎直彦, 山田一子, 宮本隆志, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
2014年3月

第3回（2014年春季）応用物理学会 Poster Award, 応用物理学会

小川慎吾, 川崎直彦, 木村耕輔, 田中亮平, 箕浦佑也, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司
2008年11月

2008 IWDTF Best Poster Award, The Japan Society of Applied Physics, Japan

T. Shimura, Y. Okamoto, T. Inoue, T. Hosoi, H. Watanabe

論文

542

Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy

Takuma Kobayashi, Asato Suzuki, Takato Nakanuma, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Materials Science in Semiconductor Processing 175 108251-108251 2024年6月査読有り
Oxygen-related defects in 4H-SiC from first principles

Sosuke Iwamoto, Takayoshi Shimura, Heiji WATANABE, Takuma Kobayashi

Applied Physics Express 2024年4月30日査読有り
Generation of single photon emitters at a SiO₂/SiC interface by high-temperature oxidation and reoxidation at lower temperatures

Kentaro Onishi, Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro KUTSUKI, Takayoshi Shimura, Heiji WATANABE, Takuma Kobayashi

Applied Physics Express 2024年4月26日査読有り
Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO₂/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation

Takuma Kobayashi, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 17(1) 011003-011003 2023年12月29日査読有り
Design of SiO2/4H–SiC MOS interfaces by sputter deposition of SiO2 followed by high-temperature CO2-post deposition annealing

Tae-Hyeon Kil, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

AIP Advances 13(11) 115304-1-115304-5 2023年11月1日査読有り
Oxygen-vacancy defect in 4H-SiC as a near-infrared emitter: An ab initio study

Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Journal of Applied Physics 134(14) 145701-1-145701-9 2023年10月11日査読有り
Passivation of hole traps in SiO₂/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping

Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 16(10) 105501-1-105501-4 2023年10月1日査読有り
Interface and oxide trap states of SiO2/GaN metal–oxide–semiconductor capacitors and their effects on electrical properties evaluated by deep level transient spectroscopy

Shingo Ogawa, Hidetoshi Mizobata, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Journal of Applied Physics 134(9) 095704-1-095704-7 2023年9月5日査読有り
Control on the density and optical properties of color centers at SiO2/SiC interfaces by oxidation and annealing

Takato Nakanuma, Kosuke Tahara, Katsuhiro Kutsuki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe, Takuma Kobayashi

Applied Physics Letters 123(10) 102102-1-102102-5 2023年9月4日査読有り
Impact of Sn incorporation on sputter epitaxy of GeSn

Nobuyuki Tanaka, Mizuki Kuniyoshi, Kazuya Abe, Masaki Hoshihara, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 16(9) 095502-095502 2023年9月1日査読有り
Improvement of interface properties in SiC(0001) MOS structures by plasma nitridation of SiC surface followed by SiO₂ deposition and CO₂ annealing

Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 16(7) 074004-1-074004-4 2023年7月1日査読有り
Formation of high-quality SiO₂/GaN interfaces with suppressed Ga-oxide interlayer via sputter deposition of SiO₂

Kentaro Onishi, Takuma Kobayashi, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 62(5) 050903-1-050903-4 2023年5月16日査読有り
Fabrication and Luminescence Characterization of Ge Wires with Uniaxial Tensile Strains Applied using Internal Stresses in Deposited Metal Thin Films

Takayoshi Shimura, Shogo Tanaka, Takuji Hosoi, Heiji Watanabe

Journal of Electronic Materials 2023年3月6日査読有り筆頭著者
Reduction of interface and oxide traps in SiO₂/GaN MOS structures by oxygen and forming gas annealing

Bunichiro Mikake, Takuma Kobayashi, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 16(3) 031004-031004 2023年3月1日査読有り
Controllability of luminescence wavelength from GeSn wires fabricated by laser-induced local liquid phase crystallization on quartz substrates

Takayoshi Shimura, Ryoga Yamaguchi, Naoto Tabuchi, Masato Kondoh, Mizuki Kuniyoshi, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 62(SC) SC1083-1-SC1083-5 2023年3月1日査読有り筆頭著者
局所液相成長法によって作製した単結晶GeSn細線の受光・発光特性

志村考功, 細井卓治, 小林拓真, 渡部平司

レーザー研究 50(10) 565-569 2022年10月査読有り筆頭著者
Degradation of NO-nitrided SiC MOS interfaces by excimer ultraviolet light irradiation

Hiroki Fujimoto, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 15(10) 104004-104004 2022年10月1日査読有り
Electrical properties and energy band alignment of SiO₂/GaN metal-oxide-semiconductor structures fabricated on N-polar GaN( 0001¯) substrates

Hidetoshi Mizobata, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Akitaka Yoshigoe, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 121(6) 062104-1-062104-6 2022年8月8日査読有り
Impact of post-nitridation annealing in CO2 ambient on threshold voltage stability in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Takuji Hosoi, Momoe Ohsako, Kidist Moges, Koji Ito, Tsunenobu Kimoto, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 16(6) 061003-1-061003-5 2022年5月査読有り
Comprehensive physical and electrical characterizations of NO nitrided SiO₂/4H-SiC(112̄0) interfaces

Takato Nakanuma, Yu Iwakata, Arisa Watanabe, Takuji Hosoi, Takuma Kobayashi, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 61(SC) SC1065-1-SC1065-8 2022年5月1日査読有り

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MISC

105

Fabrication of Tensile-strained Single-crystalline GeSn Wires on Amorphous Quartz Substrates by Local Liquid-phase Crystallization

T. Shimura, H. Oka, T. Hosoi, Y. Imai, S. Kimura, H. Watanabe

Proceedings of The 8th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials 143-146 2022年11月筆頭著者
高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御

細井卓治, 山田高寛, 野崎幹人, 高橋言諸, 山田永, 清水三聡, 吉越章隆, 志村考功, 渡部平司

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(110) 11-14 2018年6月査読有り
SiO

Watanabe Kenta, Terashima Daiki, Nozaki Mikito, Yamada Takahiro, Nakazawa Satoshi, Ishida Masahiro, Anda Yoshiharu, Ueda Tetsuzo, Yoshigoe Akitaka, Hosoi Takuji …

Jpn. J. Appl. Phys. 57(6) 2018年5月11日
放射光光電子分光法によるGaN上GaO_x層の熱脱離過程の評価

野崎幹人, 寺島大貴, 渡邉健太, 山田高寛, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.18p‐C302‐7 2018年3月5日
SiO₂/GaN MOSデバイスの信頼性向上に向けた界面酸化層の制御

山田高寛, 寺島大貴, 渡邉健太, 野崎幹人, 山田永, 高橋言諸, 清水三聡, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.18p‐C302‐8 2018年3月5日
Control of Ga-oxide interlayer growth and Ga diffusion in SiO

Yamada Takahiro, Watanabe Kenta, Nozaki Mikito, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Shimizu Mitsuaki, Yoshigoe Akitaka, Hosoi Takuji, Shimura Takayoshi, Watanabe Heiji

Appl. Phys. Express 11(1) 2017年12月18日
プラズマ CVD 成膜した SiO2/AlGaN 界面特性の成膜電力依存性と堆積後熱処理の検討

寺島大貴, 渡邉健太, 山田高寛, 野﨑幹人, 施泓安, 中澤敏志, 按田義治, 上田哲三, 吉越章隆, 細井卓治 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th ROMBUNNO.5p‐C17‐5 2017年11月査読有り
ICP エッチング表面のプラズマ酸化処理による SiO2/GaN 界面欠陥の低減

山田高寛, 渡邉健太, 野崎幹人, 高橋言諸, 山田永, 清水三聡, 施泓安, 中澤敏志, 按田義治, 上田哲三 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.19p‐CE‐9 2017年11月査読有り
AlGaN表面の熱酸化過程の放射光光電子分光分析

渡邉健太, 山田高寛, 野崎幹人, 中澤敏志, SHIH Hongan, 按田義治, 上田哲三, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.15p‐315‐2 2017年3月1日
Design and control of interface reaction between Al-based dielectrics and AlGaN layer for hysteresis-free AlGaN/GaN MOS-HFETs

K. Watanabe, M. Nozaki, T. Yamada, S. Nakazawa, Y. Anda, M. Isliida, T. Ueda, A. Yoshigoe, T. Hosoi, T. Shimura …

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 219-222 2017年査読有り
熱酸化処理によるSiO₂/GaN界面でのGaO_x形成とMOS界面特性向上

山田高寛, 渡邉健太, 野崎幹人, 吉越章隆, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.16p‐B1‐5 2016年9月1日
低欠陥密度GaN基板の熱酸化過程の評価

山田高寛, 伊藤丈予, 淺原亮平, 渡邉健太, 野崎幹人, 中澤敏志, 按田義治, 石田昌宏, 上田哲三, 吉越章隆 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd ROMBUNNO.22A-W541-4 2016年3月3日
放射光光電子分光法によるn‐GaN上Al/Tiコンタクトの界面反応分析

伊藤丈予, 淺原亮平, 野崎幹人, 中澤敏志, 石田昌宏, 上田哲三, 吉越章隆, 寺岡有殿, 細井卓治, 志村考功 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.12A-A21-11 2015年2月26日
High‐k/Geゲートスタック界面特性向上に向けたゲート電極形成後熱処理条件の検討

田中亮平, 秀島伊織, 箕浦佑也, 吉越章隆, 寺岡有殿, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.18P-D8-1 2014年3月3日
極薄AlO_x層によるHigh‐k/Ge界面反応抑制とEOT=0.56nmの実現

田中亮平, 秀島伊織, 箕浦佑也, 吉越章隆, 寺岡有殿, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th ROMBUNNO.17P-B5-17 2013年8月31日
横方向液相成長によって作製したGOI構造のフォトルミネッセンス測定

松江将博, 安武裕輔, 深津晋, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th ROMBUNNO.18A-B4-7 2013年8月31日
MBD法により作製したMetal/High‐k/GeO₂/Geスタックの熱処理による構造変化

秀島伊織, 田中亮平, 箕浦佑也, 吉越章隆, 寺岡有殿, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th ROMBUNNO.28P-G2-10 2013年3月11日
Gate Stack Technologies for SiC Power MOSFETs (Invited)

H. Watanabe, T. Hosoi, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, D. Ikeguchi, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano …

220th ECS Meeting - Boston, MA 41(3) 77-90 2011年10月査読有り招待有り
Impact of Stacked AlON/SiO2 Gate Dielectrics for SiC Power Devices (Invited)

H. Watanabe, T. Kirino, Y. Uenishi, A. Chanthaphan, A. Yoshigoe, Y. Teraoka, S. Mitani, Y. Nakano, T. Nakamura, T. Hosoi …

ECS Transactions 35(2) 265-274 2011年5月査読有り招待有り
SiO₂/4H‐SiC界面構造と伝導帯オフセットの相関

桐野嵩史, CHANTHAPHAN Atthawut, 池口大輔, 吉越章隆, 寺岡有殿, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村孝, 細井卓治, 志村考功 …

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st ROMBUNNO.14P-ZS-6 2010年8月30日

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書籍等出版物

Epitaxially Ordered Structure in the Buried Oxide Layer of SIMOX Waters

The Physics and Chemistry of SiO₂ and the Si-SiO₂ Interface 4,(The Electrochemical Society, INC) 2000年
Analysis of Orderd Structure of Buried Oxide Layers in SIMOX Waters

志村考功

1999年
Advances in the Understanding of Crystal Growth Mechanisms

Takayoshi Shimura (担当:分担執筆)

Elsevier Science 1997年3月
Thermally Oxidized Layers on Si-wafers-Surface X-ray Scattering and Field Ion Microscopy-(共著)

志村考功

1997年
Structure of thermal Oxide on(111)and(011)Si Wafers(共著)

志村考功

1996年
X-RAY DIFFRACTION EVIDENCE FOR CRYSTALLINE SiO₂ IN THERMAL OXIDE LAYERS ON Si SUBSTRATES(共著)

The Physics and Chemistry of SiO₂ and the Si-SiO₂ Interface 3 1996年
X-RAY DIFFRACTION EVIDENCE FOR CRYSTALLINE SiO┣D22┫D2 IN THERMAL OXIDE LAYERS ON Si SUBSTRATES(共著)

志村考功

1996年
characterization of the Surface of Ice Crystal by X-Ray CTR Scattering(共著)

志村考功

1992年
X-ray Scattering Study of the Thermally Oxidized layer on a Si(001)Water(共著)

志村考功

1991年

主要な講演・口頭発表等

Fabrication and Luminescence Characterization of Uniaxial Tensile-strained Ge Wires using Internal Stress in Metal Thin Films

T. Shimura, S. Tanaka, H. Watanabe, T. Hosoi

The 19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP19) 2022年8月30日

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担当経験のある科目(授業)

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所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

局所液相成長によるGeSn細線の形成とレーザーダイオードの動作実証

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

志村考功
局所液相成長によるGeSn細線の形成とレーザーダイオードの動作実証

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

志村考功
屈折・回折・干渉を用いないエックス（ガンマ）線フーリエイメージング法の実証

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2022年6月 - 2024年3月

志村考功
構造化X線光源による高感度・高分解能透過型X線撮像法の実証

科学研究費補助金、挑戦的研究(萌芽) 2018年 - 2019年

志村考功
相界面反応制御技術を基軸とした混晶材料の設計と新機能発現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2013年4月 - 2018年3月

渡部平司, 志村考功, 細井卓治
SOIピクセル検出器による自己像直接検出型タルボ・ロー干渉計の高度化

科学研究費補助金、新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年 - 2017年

志村考功
局所液相エピタキシャル成長によるGeSnワイヤの形成とその光電子デバイス応用

科学研究費補助金、基盤研究(B) 2015年 - 2017年

志村考功
ビーム励起界面反応によるSiC-MOS界面欠陥の崩壊と選択修復

科学研究費補助金、挑戦的萌芽研究 2015年 - 2016年

渡部平司
埋め込みX線ターゲットを用いた超解像X線撮像法の実証

科学研究費補助金、挑戦的萌芽研究 2015年 - 2016年

志村考功
ビーム励起界面反応によるSiCパワーデバイスへテロ界面改質技術

科学研究費補助金、挑戦的萌芽研究 2013年 - 2014年

渡部平司
ショットキー接合型ＳｉＣプラズモニックトランジスタの創製

科学研究費補助金、若手研究(A) 2012年 - 2014年

細井卓治
チャネルラストプロセスによる歪み制御縦型Ｇｅトランジスタの作製と電気特性評価

科学研究費補助金、基盤研究(B) 2012年 - 2014年

志村考功
シリコン上ゲルマニウムエピタキシャル層を用いた1. 5ミクロン帯発光素子の開拓

日本学術振興会科学研究費補助金、基盤研究(B) 基盤研究(B) 2009年 - 2011年

石川靖彦
局所選択液相エピタキシャル成長によるＧＯＩ構造の作製と電気特性評価

日本学術振興会科学研究費補助金、基盤研究(B) 基盤研究(B) 2009年 - 2011年

志村考功
High-k/Metal Gate材料及び新プロセス開発に関する研究

キヤノンアネルバ 2011年
X線回折による歪シリコンウエハの歪量測定に関する研究

日本学術振興会科学研究費補助金、基盤研究(C) 基盤研究(C) 2008年 - 2010年

梅野正隆
高性能SiC-MOSFET用立体ゲート構造の研究開発

ローム株式会社、東京エレクトロン 2010年
機能性基板/生体超分子界面反応メカニズムの解明とその制御技術の研究

2010年
高機能化原子制御製造プロセス教育研究拠点

2009年
X線回折による歪シリコンウエハの歪量測定に関する研究

2009年

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産業財産権

特開2018-142657 半導体装置及び半導体装置の製造方法

渡部平司, 志村考功, 細井卓治, 辻英徳, 寺尾豊, 染谷満
特開2018-129558 半導体装置

渡部平司, 細井卓治, 志村考功, 中村亮太, 中野佑紀, 箕谷周平, 中村孝, 浅原浩和
WO2018-042541 半導体装置および半導体装置の製造方法

渡部平司, 山田高寛, 野▲崎▼ 幹人, 細井卓治, 志村考功
特許第6256941号 X線撮像方法及びX線撮像装置

志村考功, 渡部平司, 細井卓治, 森本直樹, 藤野翔
特許第6253748号成膜方法及び成膜装置

東雲秀司, 柏木勇作, 両角友一朗, 和村有, 原田豪繁, 高橋宏輔, 渡部平司, 志村考功, 細井卓治
特許第6245593号半導体装置および半導体装置の製造方法

渡部平司, 山田高寛, 野▲崎▼ 幹人, 細井卓治, 志村考功
特許第6239681号半導体装置

渡部平司, 志村考功, 細井卓治, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村亮太, 中村孝
特許第6232603号 X線撮像装置及びX線撮像方法

志村考功, 渡部平司, 細井卓治, 森本直樹, 藤野翔
特開2017-183740 半導体装置

渡部平司, 細井卓治, 志村考功, 中村亮太, 中野佑紀, 箕谷周平, 中村孝, 浅原浩和
特開2017-168719 炭化珪素半導体装置の製造方法

渡部平司, 志村考功, 細井卓治, 染谷満
特開2017-055098 半導体装置の製造方法及びこれに用いる半導体製造装置

渡部平司, 志村考功, 細井卓治, 染谷満
特開2017-038088 成膜方法及び成膜装置

東雲秀司, 柏木勇作, 両角友一朗, 和村有, 原田豪繁, 高橋宏輔, 渡部平司, 志村考功, 細井卓治
特許第6042160号成膜方法及び成膜装置

東雲秀司, 柏木勇作, 両角友一朗, 和村有, 原田豪繁, 高橋宏輔, 渡部平司, 志村考功, 細井卓治
特開2016-157976 半導体装置

渡部平司, 志村考功, 細井卓治, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村亮太, 中村孝
特許第5960491号半導体装置およびその製造方法

北野尚武, 南卓士, 山口述夫, 清野拓哉, 中川隆史, 渡部平司, 志村考功, 細井卓治
2016-148428 X線位相差撮像装置

佐野哲, 田邊晃一, 吉牟田利典, 木村健士, 岸原弘之, 和田幸久, 和泉拓朗, 白井太郎, 土岐貴弘, 堀場日明, 志村考功, 渡部平司, 細井卓治
特許第5943341号単結晶状GeSn含有材料の製造方法

志村考功, 渡部平司, 細井卓治
特開2016-015407 半導体デバイス及びその製造方法

東雲秀司, 森嶋雅人, 大内健次, 加藤大輝, 渡部平司, 志村考功, 細井卓治
特開2015-198185 成膜方法及び成膜装置

東雲秀司, 柏木勇作, 両角友一朗, 中島滋, 原田豪繁, 渡部平司, 志村考功, 細井卓治
特許第5823294号半導体装置およびその製造方法

箕谷周平, 中野佑紀, 渡部平司, 志村考功, 細井卓治, 桐野嵩史

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学術貢献活動

The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018

企画立案・運営等

The 145th Committee on Processing and Characterization of Crystals of Japan Society for the Promotion of Science (JSPS) 2018年11月
Third International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology

企画立案・運営等

The Global COE Program "Atomically Controlled Fabrication Technology" 2010年11月
Second International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology

企画立案・運営等

The GCOE Program "Atomically Controlled Fabrication Technology" 2009年11月
First International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology -Surface and Thin Film Processing -

企画立案・運営等

The Global COE Program "Atomically Controlled Fabrication Technology" 2009年2月
放射光を用いた結晶評価の新展開～X線トポグラフィーによる半導体評価を中心として～

その他

2008年11月
The 4th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials

企画立案・運営等

The 145th Committee on Processing and Characterization of Crystals of Japan Socety for the Promotion of Science (JSPS) 2004年11月

メディア報道

GaN製パワー半導体パナソニックが基地局向け

日本経済新聞（電子版） 2018年2月
5G基地局向け半導体小型で大電流耐える

日経産業新聞 2018年2月
大電力電源機器を高速・小型化絶縁ゲート型GaNパワートランジスタ

日刊工業新聞 2018年2月
連続安定駆動が可能 MIS型GaNパワーTR

電波新聞 2018年2月
大阪大学ら SiC絶縁耐圧1.5倍 AlON膜で信頼性向上

半導体産業新聞 2012年12月
漏れ電流１ケタ低減 AlON採用のSiCトランジスタ阪大など開発長期信頼性も向上

化学工業日報 2012年12月
阪大/京大/ローム/東京エレゲート絶縁膜にAｌON採用 SiCパワーMOSFET開発 13年度にも実用化めざす

電波新聞 2012年12月
電力損失を大幅低減パワー半導体アルミ酸化物使う阪大など

日経産業新聞 2012年12月
SiC MOSFET 高誘電率ゲート絶縁膜採用阪大など漏れ電流9割低減

日刊工業新聞 2012年12月

志村考功

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