土屋英昭 (Hideaki Tsuchiya) - マイポータル

基本情報

所属: 神戸大学大学院工学研究科電気電子工学専攻准教授

学位: 工学修士(神戸大学)
博士（工学）(神戸大学)

J-GLOBAL ID: 200901064992344144
researchmap会員ID: 1000163360

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

学歴

- 1993年3月

神戸大学大学院自然科学研究科修了

受賞

2006年9月

電子情報通信学会エレクトロソサイエティ賞, ナノスケールデバイスシミュレータの先駆的研究, 電子情報通信学会

小川真人, 土屋英昭, 三好旦六

論文

微細化限界に挑戦する新型MOSFETのキャリア輸送特性とシミュレーション技術

土屋英昭

電子情報通信学会論文誌C J98-C(5) 70-78 2015年5月査読有り招待有り
Simulation of Electron Transport in Atomic Monolayer Semiconductor FETs

Hideaki Tsuchiya, Shiro Kaneko, Noriyasu Mori, Hideki Hirai

J. Advanced Simulation in Science and Engineering 2(1) 127-152 2015年5月査読有り招待有り
Non-equilibrium Green function simulations of graphene, silicene, and germanene nanoribbon field-effect transistors

Casey Clendennen, Nobuya Mori, Hideaki Tsuchiya

J. Advanced Simulation in Science and Engineering 2(1) 171-177 2015年5月査読有り
Computational Study of Effects of Surface Roughness and Impurity Scattering in Si Double-Gate Junctionless Transistors

Masato Ichii, Ryoma Ishida, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 62(4) 1255-1261 2015年4月査読有り
Effects of increased acoustic phonon deformation potential and surface roughness scattering on quasi-ballistic transport in ultrascaled Si-MOSFETs

Shunsuke Koba, Ryoma Ishida, Yuko Kubota, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(11) 114301 2014年11月査読有り
Theoretical considerations on efficiency degradation due to thermal effect in a planar GaN-based LED with a GaN substrate

Junko Sato-Iwanaga, Yang Liu, Robert W. Dutton, Hideaki Tsuchiya, Toshiya Yokogawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(10) 102101 2014年10月査読有り
Electron mobility calculation for graphene on substrates

Hideki Hirai, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 116(8) 083703 2014年8月査読有り
Channel length scaling limits of III-V channel MOSFETs governed by source-drain direct tunneling

Shunsuke Koba, Masaki Ohmori, Yosuke Maegawa, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(4) 04EC10 2014年4月査読有り
Theoretical performance estimation of silicene, germanene, and graphene nanoribbon field-effect transistors under ballistic transport

Shiro Kaneko, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

APPLIED PHYSICS EXPRESS 7(3) 035102 2014年3月査読有り
Optimized design of Si-cap layer in strained-SiGe channel p-MOSFETs based on computational and experimental approaches

Junko Sato-Iwanaga, Akira Inoue, Haruyuki Sorada, Takeshi Takagi, Aude Rothschild, Roger Loo, Serge Biesemans, Choshu Ito, Yang Liu, Robert W. Dutton …

SOLID-STATE ELECTRONICS 91 1-8 2014年1月査読有り
The impact of increased deformation potential at MOS interface on quasi-ballistic transport in ultrathin channel MOSFETs scaled down to sub-10nm channel length

Shunsuke Koba, Ryoma Ishida, Yuko Kubota, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

Technical Digest of Int. Electron Devices Meeting (IEDM2013) 312-315 2013年12月査読有り
Nano-Device Simulation from an Atomistic View

Nobuya Mori, Gennady Mil'nikov, Hideki Minari, Yoshinari Kamakura, Tomofumi Zushi, Takanobu Watanabe, Masashi Uematsu, Kohei M. Itho, Shigeyasu Uno, Hideaki Tsuchiya

Technical Digest of Int. Electron Devices Meeting (IEDM2013) 116-119 2013年12月査読有り招待有り
Increased Subthreshold Current due to Source-Drain Direct Tunneling in Ultrashort-Channel III-V Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors

Shunsuke Koba, Yosuke Maegawa, Masaki Ohmori, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

APPLIED PHYSICS EXPRESS 6(6) 064301 2013年6月査読有り
Computational study on band structure engineering using graphene nanomeshes

Ryutaro Sako, Naomi Hasegawa, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa

Journal of Applied Physics 113(14) 143702 2013年4月14日査読有り
Channel Length Scaling Effects on Device Performance of Junctionless Field-Effect Transistor

Katsuyuki Nagai, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(4) p. 044302 2013年4月査読有り
Performance Comparison of InAs, InSb, and GaSb n-Channel Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors in the Ballistic Transport Limit

Kenta Shimoida, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Matsuto Ogawa

APPLIED PHYSICS EXPRESS 6(3) p. 034301 2013年3月査読有り
Orientational Dependence in Device Performances of InAs and Si Nanowire MOSFETs Under Ballistic Transport

Kenta Shimoida, Yoshihiro Yamada, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 60(1) 117-122 2013年1月査読有り
Performance Analysis of Junctionless Transistors Based on Monte Carlo Simulation

Jaeil Choi, Katsuyuki Nagai, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, Matsuto Ogawa

APPLIED PHYSICS EXPRESS 5(5) p. 054301 2012年5月査読有り
Theoretical Evaluation of Ballistic Electron Transport in Field-Effect Transistors with Semiconducting Graphene Channels

Hideaki Tsuchiya, Hiroshi Hosokawa, Ryutaro Sako, Naomi Hasegawa, Matsuto Ogawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(5) p. 055103 2012年5月査読有り
Atomistic modeling of electron-phonon interaction and electron mobility in Si nanowires

Y. Yamada, H. Tsuchiya, M. Ogawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 111(6) 2012年3月査読有り

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書籍等出版物

ナノ構造エレクトロニクス入門

土屋英昭

コロナ社 2013年9月 (ISBN: 9784339008517)
OHM大学テキスト量子物理

森伸也, 鎌倉良成, 宇野重康, 伊藤博介, 土屋英昭, 尾崎俊二 (担当:共著)

オーム社 2012年11月 (ISBN: 9784274212895)
ナノエレクトロニクスの基礎

三好旦六, 小川真人, Hideaki Tsuchiya (担当:共著)

培風館 2007年11月 (ISBN: 9784563067649)

講演・口頭発表等

105

モンテカルロ法によるナノスケールFETの自己発熱解析

鎌倉良成, 脇村豪, 土屋英昭, 森伸也

応用物理学会分科会シリコンテクノロジー分科会 2015年7月
Coupled Monte Carlo Simulation of Transient Electron-Phonon Transport in Small FETs

Yoshinari Kamakura, Indra Nur Adisusilo, Kentaro Kukita, Go Wakimura, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, Nobuya Mori

International Electron Devices Meeting 2014年12月招待有り
平坦形2次元結晶ナノリボンFETの性能比較

クレンデネン啓示, 森伸也, 土屋英昭

応用物理学会関西支部平成26年度第2回講演会 2014年11月
絶縁基板上グラフェンの電子輸送シミュレーション

平井秀樹, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 小川真人

応用物理学会関西支部平成26年度第2回講演会 2014年11月
モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出

土屋英昭, 石田良馬, 鎌倉良成, 森伸也, 宇野重康, 小川真人

電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 2014年11月
モンテカルロシミュレーションによるSiマルチゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送特性解析

石田良馬, 木場隼介, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 宇野重康, 小川真人

応用物理学会関西支部平成26年度第2回講演会 2014年11月
単原子層Geナノリボンの電子移動度解析

森規泰, 下井田健太, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 小川真人

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月
絶縁基板上グラフェンの電子移動度解析

平井秀樹, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 小川真人

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月
ジャンクションレストランジスタの表面ラフネス散乱及び不純物散乱の影響

一居雅人, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 小川真人

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月
グラフェン／シリセン／ゲルマネンナノリボンFETの性能比較

クレンデネン啓示, 森伸也, 土屋英昭

第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月
Extraction of Quasi-Ballistic Transport Parameters in Si Double-Gate MOSFETs Based on Monte Carlo Method

Ryoma Ishida, Shunsuke Koba, Hideaki Tsuchiya, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori, Shigeyasu Uno, Matsuto Ogawa

2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2014年9月
シリセン／ゲルマネン／グラフェンFETの電子輸送モデリング

土屋英昭, 兼古志郎, 平井秀樹, 森規泰

応用物理学会シリコンテクノロジー研究会 2014年7月招待有り
原子論的アプローチに基づくGeナノワイヤの電子移動度解析

下井田健太, 森規泰, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 宇野重康, 小川真人

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月
極微細FETにおける自己発熱効果の過渡応答シミュレーション

鎌倉良成, 久木田健太郎, インドラヌルアディスシロ, 脇村豪, 木場隼介, 土屋英昭, 森伸也

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月
シリセン／ゲルマネン／グラフェンナノリボンFETのバリスティック性能評価

兼古志郎, 長谷川直実, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 小川真人

第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月
ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析

大森正規, 木場隼介, 前川容佑, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 小川真人

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 2013年11月
極微細Si MOSFETの準バリスティック輸送パラメータの抽出

石田良馬, 木場隼介, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 小川真人

第74回応用物理学会学術講演会 2013年9月
バリスティック輸送下でのグラフェンナノリボンFETの性能評価

長谷川直実, 下井田健太, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 小川真人

第74回応用物理学会学術講演会 2013年9月
ソースドレイン直接トンネリングによるIII-V MOSFETの短チャネル化限界

大森正規, 木場隼介, 前川容祐, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 小川真人

第74回応用物理学会学術講演会 2013年9月
Simulation study on quasi-ballistic heat transfer effect in FinFETs

鎌倉良成, 久木田健太郎, Indra N. Adisusilo, 木場隼介, 土屋英昭

2013 Int’l Conf. on Solid State Devices and Materials 2013年9月招待有り

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

2次元単原子層材料を用いた集積デバイスの性能予測

学術研究助成基金助成金／基盤研究(C) 2015年4月 - 2018年3月

土屋英昭
極低消費電力ＬＳＩの実現に向けたグリーンナノデバイスの研究

学術研究助成基金助成金／基盤研究(C) 2011年

土屋英昭
新材料及び新構造ＭＯＳＦＥＴの準バリスティック量子輸送モデリングに関する研究

科学研究費補助金／基盤研究(C) 2006年

土屋英昭
ナノスケール新構造ＭＯＳ素子の電流雑音の評価

科学研究費補助金／基盤研究(C) 2005年

三好旦六
シリコン集積化デバイスの量子輸送特性に関する研究

科学研究費補助金／基盤研究(C) 2005年

土屋英昭