論文

査読有り
2017年5月

Measurements of defect PL in a‑Si:H by means of frequency resolved spectroscopy

Journal of Materials Science: Materials in Electronics
  • C. Ogihara
巻
28
号
10
開始ページ
7121
終了ページ
7125
記述言語
英語
掲載種別
研究論文（学術雑誌）
DOI
10.1007/s10854-017-6528-z
リンク情報
DOI
https://doi.org/10.1007/s10854-017-6528-z
Web of Science
https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000400394400025&DestApp=WOS_CPL
ID情報
  • DOI : 10.1007/s10854-017-6528-z
  • ISSN : 0957-4522
  • eISSN : 1573-482X
  • Web of Science ID : WOS:000400394400025
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