紫外偏光制御デバイスは半導体リソグラフィーや医療等の多くの工業分野で利用される重要なデバイスである。近年、III族窒化物LEDの発展によって、集積デバイスへの応用も期待されるようになってきた。そこで我々は多層サブ波長回折格子を用いた偏光制御UV-LEDへの応用に着目した。サブ波長回折格子中では、従来の回折とは異なり、周期的な屈折率分布による固有モードと入射光の相互作用が光伝播を支配する。そのモード固有状態を制御することにより低損失かつ高い偏光選択性が期待できる。今回、多層サブ波長回折格子がUV-LEDの偏光特性に与える影響の理論的検討を行い最適構造をUV-LED上に作製した結果、消光比11:1の偏光特性を有するUV-LEDを実現した。