Si基板上微小溝へのGaAsの選択MOCVD成長を行った場合の埋め込みパターンの平坦化について議論する。KOHにより、SiO_2をマスクとして面方位(100)のSi基板にさまざまな深さの溝を作製し、GaAsの選択MOCVD成長を行った。また、表面拡散方程式を用いることにより、溝部での成長速度を計算した。その結果、原料種のマイグレーション長および溝の底面が大きいほど、埋め込みパターンが平坦化することが分かった。