堀田將 (Susumu Horita) - マイポータル

基本情報

所属: 北陸先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科マテリアルサイエンス系教授

学位: 工学博士(東京工業大学)

J-GLOBAL ID: 200901077995207576
researchmap会員ID: 1000165696

外部リンク: http://www.jaist.ac.jp/ms/labs/handoutai/horita-lab/horita.html

研究キーワード

研究分野

経歴

委員歴

受賞

2017年4月

第15回APEX/JJAP編集貢献賞, 応用物理学会

堀田將
2015年11月

科研費審査委員賞, 独立行政法人日本学術振興会

堀田將
2013年12月

アウトスタンディングポスター論文賞, 第20回国際表示学会（IDW'13)
2012年4月

第10回APEX/JJAP編集貢献賞, 応用物理学会

堀田將
2003年12月

ポスター賞, 第10回国際ディスプレイワークショップ

論文

107

Study on residual OH content in low-temperature Si oxide films after in-situ post-deposition-heating (PDH)

Susumu Horita, Di Pu

Japanese Journal of Applied Physics 2023年8月28日査読有り筆頭著者
Highly effective removal of OH bonds in low-temperature silicon oxide films by annealing with ammonia gas at a low temperature of 175 degrees C

Horita Susumu

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58(3) 2019年3月1日査読有り
Investigation on Silicon Oxide Films Grown by Using Silicone Oil and Ozone at Low-Temperature

Sanjida Ferdous, Abu Bakar, Md Ismail, Susumu Horita

International Conference on Computer, Communication, Chemical, Material and Electronic Engineering, IC4ME2 2018 2018年9月13日
Dependences of deposition rate and OH content on concentration of added trichloroethylene in low-temperature silicon oxide films deposited using silicone oil and ozone gas

Susumu Horita, Puneet Jain

Japanese Journal of Applied Physics 57(3) 2018年3月1日査読有り
Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices - TFT Technologies and FPD Materials-

Hamada Hiroki, Horita Susumu, Furuta Mamoru, Kimura Mutsumi, Hattori Reiji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57(3) 2018年3月査読有り
Nano Electronic Materials FOREWORD

Kuzuhara Masaaki, Ichikawa Musubu, Baba Akira, Fujisawa Hironori, Horita Susumu, Itoh Eiji, Kawae Takeshi, Kimura Mutsumi, Masuda Atsushi, Mori Tatsuo …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57(2) 2018年2月査読有り
Effect of trichloroethylene enhancement on deposition rate of low-temperature silicon oxide films by silicone oil and ozone

Susumu Horita, Puneet Jain

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(8) 2017年8月査読有り
Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices -TFT Technologies and FPD Materials- FOREWORD

Hiroki Hamada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(3) 2017年3月
Room-temperature deposition of a crystallized dielectric YSZ film on glass substrate covered with cellulose nanopaper

Susumu Horita, Jyotish Patidar, Hitomi Yagyu, Masaya Nogi

Proceedings of the International Display Workshops 2 1529-1530 2017年1月1日
Effect of Trichloroethene (TCE) on Deposition Rate and Film Quality of Low-Temperature SiO2 Films Grown Using Silicone Oil and Ozone Gas

2017 24TH INTERNATIONAL WORKSHOP ON ACTIVE-MATRIX FLATPANEL DISPLAYS AND DEVICES (AM-FPD) 285-287 2017年査読有り
Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices-TFT Technologies and FPD Materials FOREWORD

Hiroki Hamada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(3) 2016年3月
Material properties of pulsed-laser crystallized Si thin films grown on yttria-stabilized zirconia crystallization-induction layers by two-step irradiation method

Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(3) 2016年3月査読有り
Nano Electronic Materials FOREWORD

Eisuke Tokumitsu, Musubu Ichikawa, Akira Baba, Hironori Fujisawa, Kazuaki Furukawa, Susumu Horita, Eiji Itoh, Takeshi Kawae, Shinya Kumagai, Atsushi Masuda …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(2) 2016年2月査読有り
Catalytic effect of trichloroethene on deposition rate of silicon oxides films deposited by APCVD using silicone oil and ozone gas

Puneet Jain, Susumu Horita

23rd International Display Workshops in conjunction with Asia Display, IDW/AD 2016 2 1001-1002 2016年1月1日
Improving crystalline quality of polycrystalline silicon thin films crystallized on yttria-stabilized zirconia crystallization-induction layers by the two-step irradiation method of pulsed laser annealing

Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(3) 2015年3月査読有り
Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices-TFT Technologies and FPD Materials- FOREWORD

Susumu Horita, Mamoru Furuta, Reiji Hattori, Mutsumi Kimura, Toshihiko Toyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(3) 2015年3月査読有り
High performance and uniformity of poly-Si thin-film transistors using solid-phase crystallization on YSZ layers by two-step PLA method

Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita

Proceedings of the International Display Workshops 1 55-56 2015年1月1日
Temperature Dependences of Conductivity in Undoped and Doped Poly-Si Thin Films Grown on YSZ Crystallization-Induction Layers by Two-Step Irradiation Method with Pulsed Laser

Mai Lien Thi Kieu, Susumu Horita

2015 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD) 225-226 2015年査読有り
Effect of the crystallization-induction layer of yttria-stabilized zirconia on the solid state crystallization of an amorphous Si film

Susumu Horita, Tetsuya Akahori

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(3) 2014年3月査読有り
Raman spectral analysis of Si films solid-phase-crystallized on glass substrates using pulse laser with crystallization-induction layers of yttria-stabilized zirconia

Mai Thi Kieu Lien, Susumu Horita

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(3) 2014年3月査読有り

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MISC

Si基板上でのエピタキシャル強誘電体薄膜の配向制御法の確立

岡本庄司, 渡辺隆之, 森岡仁, 横山信太郎, 秋山賢輔, 村中一樹, 堀田將, 舟窪浩

第64回応用物理学会学術講演会 2a-V-8 505 2003年
Material properties of heteroepitaxial yttria-stabilized zirconia films with controlled yttria contents on Si prepared by reactive sputtering

S Horita, M Watanabe, S Umemoto, A Masuda

VACUUM 51(4) 609-613 1998年12月
Structural and electrical properties of yttria-stabilized zirconia films with controlled Y content heteroepitaxially grown on Si by reactive sputtering

S Horita, M Watanabe, A Masuda

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY 54(1-2) 79-83 1998年6月
Interface control of Pb(ZrxTi1-x)O-3 thin film on silicon substrate with heteroepitaxial YSZ buffer layer

S Horita, T Naruse, M Watanabe, A Masuda, T Kawada, Y Abe

APPLIED SURFACE SCIENCE 117 429-433 1997年6月
反応性スパッタ法によるSi基板上へのY組成制御YSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長

渡部幹雄, 成瀬哲哉, 増田淳, 堀田将

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 96(349) 19-25 1996年11月7日

書籍等出版物

薄膜作製応用ハンドブック

監修, 権田俊一、編集委員, 酒井忠司、田畑仁、八瀬清志 (担当:分担執筆, 範囲:第2編薄膜の作製と加工、第7章薄膜の加工／改質技術、第2節（再）結晶化アニール技術、629-642ページ)

エヌ・ティー・エス 2020年2月14日 (ISBN: 9784860436315)
薄膜ハンドブック（第2版）、4・3 誘電特性4・3・1 誘電体薄膜の性質（2）強誘電性

学術振興会, 委員会編 (担当:共著)

オーム社 2008年3月
薄膜トランジスタ、１章（分担）

薄膜材料デバイス研究会編 (担当:共著)

コロナ社 2008年

講演・口頭発表等

122

Effect of ammonia gas in annealing process on reduction of residual OH-bonds and improvement of electrical properties of low-temperature silicon oxide films

Susumu Horita

The 4th International Workshop on Advanced Materials and Devices IWAMD 2023, EMD-I7 2023年8月11日招待有り
堆積後その場熱処理による低温酸化Si膜中残留OH基量の堆積温度依存性

普迪, 堀田將

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会, 15p-PA04-2,12-063 2023年3月15日
Quantitative Evaluation of Low-temperature Si Oxide Films by Derivative FT-IR Spectra

Susumu Horita, Di Pu

The 29th International Display Workshops(IDW' 22), FMCp3-5L, pp. 361-364. 2022年12月16日
FT-IR微分スペクトルによる低温酸化Si膜中の残留OH基量の評価

普迪, 堀田將

第83回応用物理学会秋季学術講演会、23a-P04-2、12-292ページ 2022年9月23日
反応性スパッタ法により低温堆積したYSZ薄膜の結晶性への基板温度の影響

周景堯, 堀田將

第83回応用物理学会秋季学術講演会、21p-P16-11、05-187ページ 2022年9月21日
反応性スパッタ法により室温堆積したYSZ膜結晶性へのスパッタ圧力の影響

周景堯, 堀田將

第69回応用物理学会春季学術講演会、23p-P06-16、05-081ページ 2022年3月23日
反応性スパッタ法によりガラス基板上に室温堆積したYSZ 薄膜結晶性の組成依存性

周景堯, 堀田將

薄膜材料デバイス研究会第18 回研究集会「結晶成長技術とデバイスの新展開」、12-P06 , pp. 93 - 95. 2021年11月12日
反応性スパッタ法により室温堆積したYSZ薄膜における結晶性の酸素流量依存性

周景堯, 堀田將

第82回応用物理学会秋季学術講演会、 22a-P04-12、05-298ページ 2021年9月21日
Study on Deposition Mechanism of SiOx Films Produced by Silicone Oil and Ozone Gas

第81回応用物理学会秋季学術講演会、11a-Z10-5、12-205ページ 2020年9月11日
Deposition of Crystallized Yttria Stabilized Zirconia (YSZ) Films on Cellulose Nanopaper (CNP) Substrates at Low Temperature by Reactive Sputtering

第81回応用物理学会秋季学術講演会、10a-Z05-10、05-112ページ 2020年9月10日
Mechanism Study on Deposition of SiOx Films Produced by Silicone Oil and Ozone Gas

The 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD ’20) P-5, pp. 79 - 82. 2020年9月3日
Deposition Condition at Low Temperature for Crystallization Enhancement of YSZ Films on Glass Substrates by Reactive Sputtering

Jyotish Patidar, Susumu Horita

The 27th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FP ’20) P-8, pp. 85 - 88.D ’20) 2020年9月3日
Deposition Condition for High Crystalline Fraction of Yttria-Stabilized Zirconia (YSZ) Films Deposited by Reactive Sputtering at Room Temperature

Jyotish Patidar, Susumu Horita

第67回応用物理学会春季学術講演会講演、15a-PB1-1 2020年3月15日
Reduction of Hydroxyl in the Low-Temperature Si Oxide Films Fabricated under Various Deposition Conditions

Zhou Weiqi, Susumu Horita

第67回応用物理学会春季学術講演会講演、14a-PA4-5 2020年3月14日
セルロースナノペーパ(CNP)上への結晶化YSZ薄膜の形成

堀田將, パディタジョティシュ

薄膜材料デバイス研究会第16回研究集会「新時代に向けた薄膜材料のデバイス技術」 2019年11月9日
Pre-sputtering Condition for Crystallized Yttria Stabilized Zirconia (YSZ) Film Deposition on Cellulose Nanopaper (CNP) by Reactive Sputtering

Jyotish Patidar, Susumu Horita

第80回応用物理学会秋季学術講演会、21a-C310-7, 05-302ページ 2019年9月21日
FT-IR Study on Chemical Bonds of Low-Temperature Si Oxide Films Preserved in Various Conditions

Zhou Weiqi, Susumu Horita

第80回応用物理学会秋季学術講演会、18p-PB2-4, 12-095ページ 2019年9月18日
NH3ガスを用いた酸化Si膜残留OH成分除去量の低温アニール条件依存性

堀田將

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月9日
Reduction of Residual OH Content in a Low-temperature Si Oxide Film at less than 200 oC

堀田將

The 25th International Display Workshops(IDW'18) in conjunction with Asia Display 2018 2018年12月12日
触媒作用による低温酸化Si膜中残留OH成分の除去

堀田將

薄膜材料デバイス研究会第15回研究集会 2018年11月9日

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

200℃以下の熱処理による低温作製したシリカ膜の電気的絶縁性の飛躍的向上

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2021年4月 - 2024年3月

堀田將
セルロースナノペーパー上の結晶化シリコン薄膜による薄膜トランジスタの作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2016年4月 - 2019年3月

堀田將, 能木雅也
種結晶層を用いた低温結晶化シリコン薄膜の粒径制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2009年 - 2011年

堀田將
中間電極を用いた新しい動作原理による強誘電体メモリの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2003年 - 2004年

堀田將, 西岡賢祐
シリコーンオイルとオゾンガスを用いた低温シリコン酸化膜の形成

2004年
Formation of Si oxide film by using ozone and silicone oil at lower temperature less than 200℃

2003年
シリコン基板上に界面制御して形成した単結晶強誘電体薄膜の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2000年 - 2001年

堀田將
Si基板上への不揮発・非破壊読出し強誘電体メモリの作製

2000年
Fabrication of low temperature poly-crystal Si film with controlled grain boundary location by a pulse laser beam on a glass substrate

1999年
界面制御によるシリコン基板上への強誘電体薄膜のヘテロエピタキシャル成長

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1997年 - 1998年

堀田將, 増田淳
Low temperature crystallization of a depositing Si film on a glass substrate covered with a poly-YSZ seed layer

1998年
チャネリングイオンを用いた非晶質表面上への二次元人工結晶格子の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽的研究 1997年 - 1997年

堀田将
界面制御した酸化物薄膜のシリコン基板上へのヘテロエピタキシャル成長

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 1995年 - 1996年

堀田將, 増田淳
超高感度新型PASによる薄膜熱物性値の高精度測定

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1994年 - 1996年

畑朋延, 佐々木公洋, 堀田将
酸化銅を用いた高移動度薄膜トランジスタの低温形成

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(B) 1995年 - 1995年

松村英樹, 堀田将
Fabrication of ferroelectric memory on Si substrate using intermediate electrode

1994年
超高感度新型PASによる積層構造界面の新しい評価法

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(B) 1989年 - 1991年

畑朋延, 堀田将
合金組成比を任意に制御出来る低温・高速スパッタ装置の開発研究

日本学術振興会科学研究費助成事業試験研究 1986年 - 1988年

畑朋延, 和佐清孝, 堀田将, 長谷川誠一
種結晶層を用いたガラス基板上への結晶化Si薄膜の低温作製
ガラス基板上へのパルスレーザによる結晶粒界位置を制御した低温多結晶シリコン薄膜の形成

産業財産権

学術貢献活動

アクティブマトリクスフラットパネルディスプレイ国際会議

企画立案・運営等, 査読

一般社団法人機能性薄膜材料デバイス国際会議 2009年10月1日 - 現在
国際ディスプレイワークショップ(IDW)，アクティブマトリックス（AMD)ワークショップ委員

企画立案・運営等, パネル司会・セッションチェア等, 査読

2003年3月1日 - 現在
APEX/JJAP編集運営委員会委員

企画立案・運営等, 審査・評価, 査読

（社）応用物理学会/（社）日本物理学会物理系学術誌刊行センター 2012年4月1日 - 2017年3月31日
薄膜材料デバイス研究会組織委員

企画立案・運営等, パネル司会・セッションチェア等, 査読

2004年4月 - 2015年11月
技術研究組合次世代レーザー加工技術研究所技術調査委員会，技術調査委員

審査・評価

技術研究組合次世代レーザー加工技術研究所（ALPROT) 2011年3月1日 - 2013年3月31日
APEX/JJAP編集委員会APEX/JJAP編集委員

審査・評価, 査読

社）応用物理学会/（社）日本物理学会物理系学術誌刊行センター 2009年4月1日 - 2012年3月31日
JJAP編集委員会JJAP編集委員

審査・評価, 査読

（社）応用物理学会/（社）日本物理学物理系学術誌刊行センター 2008年4月1日 - 2009年3月31日

堀田將

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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